【大学物理· 恒定电流的磁场】有磁介质时的安培环路定理和高斯定理 磁场强度

一、磁化强度

磁化强度:表征磁介质磁化的程度

M=\frac{\sum m+\sum \Delta m}{\Delta V}

\alpha _{s}为圆柱形磁介质表面上单位长度的磁化面电流,即磁化面电流的线密 度,S为磁介质的截面积,l为所选取的一段磁介质的长度

M为单位体积内的磁矩

M=\frac{\left | \sum m \right |}{V}=\frac{\alpha _{s}Sl}{Sl}=\alpha _{s}

磁介质表而某处的磁化而电流线密度的大小等于该处磁化强度的量值

\oint M\cdot dl=\alpha _{s}l=I_{s}

磁化强度对闭合回路的线积分等于通过回路所包围的面积内的总磁化电流

二、有磁介质时的安培环路定理

磁场强度H

H=\frac{B}{\mu _{0}}-M

有磁介质时的安培环路定理

\oint H\cdot dl=\sum I

磁化率X_{m}

X_{m}=\frac{M}{H}

磁介质的相对磁导率\mu _{r}

\mu _{r}=1+X_{m}

B=\mu _{0}\mu _{r}H=\mu H

磁介质的磁导率\mu =\mu _{0}\mu _{r}

三、有磁介质时的高斯定理

\iint_{}^{}B\cdot dS=\iint_{}^{}\left ( B_{0}+{B}' \right )\cdot dS=0

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