【大学物理·静止电荷的电场】静电场的高斯定理

一、静电场的高斯定理

       如果闭合曲面内没有包围电荷,电荷在闭合曲面外面,那么进人 闭合曲面的电场线等于穿出该闭合曲面的电场线,所以总的E通量为零

\iint_{S}^{}E\cdot dS=0

(q在闭合曲面的外面)

高斯定理

      在静电场中,通过任一闭合曲面的E通量, 等于该曲面内电荷量的代数和除以\xi _{0}

\iint_{S}^{}E\cdot dS=\frac{1}{\xi _{0}}\sum_{i}^{}q_{i}

      左端的电场强度E是空间所有电荷在闭合曲面上任一点所激发的总电场强度,也就是说,闭合曲面外的电荷对闭合曲面上各点的电场强度也有贡献,但对整个闭合曲面上E通量的贡献却为零.

二、应用高斯定理计算电场强度示例

       电荷分布具有某些特殊的对称性,从而使相应的电场分布也具有一定的对称性时,就有可能应用高斯定理来计算电场强度

1.分析电荷法分布和电场分布是否具有对称性

(1)球对称性

(2)轴对称性

(3)平面对称性

2.闭合面(习惯上称它为高斯面)的选择

(1)部分面上电场强度垂直于闭合面,且大小处处相等;

(2)部分面上电场强度大小不等, 但垂直于闭合面;

(3)部分面上电场强度与该面处处平行.


球面对称的电场

求电荷均匀分布的球面和球体所激发的电场强度

设球半径为R,球所带的电荷量为q

按电荷q均匀分布在球体内和均匀分布在球面上两种情况来讨论.

1)假定电荷9均匀分布在整个球体内.

a.P点在球外

E=\frac{q}{4\pi \xi _{0}r^{2}}e_{r}

b.P点在球内

E=\frac{qr}{4\pi \xi _{0}R^{3}}e_{r}

2 ) 若电荷量q 均匀分布在半径为R 的球面上

a.P 点在球外

E=\frac{q}{4\pi \xi _{0}r^{2}}e_{r} 

b.P点在球内

E=0

 

柱对称的电场

求均匀带电的“无限长”圆柱体所激发的电场强度

设该圆柱的半径为R,单位长度所带的电荷量为\lambda

过场点P作一个与带电圆柱共轴的圆柱形闭合高斯面S , 柱高为 I 底面半径为r .

(1)如果P点处位于带电圆柱之外( r > R )

E=\frac{\lambda }{2\pi \xi _{0}r}e_{r}

(2)如果P 点在带电圆柱之内( r < R)

E=\frac{\lambda r}{2\pi \xi _{0}R^{2}}e_{r}

平面对称的电场

电荷均匀分布在一个 “无限大”平面上,求它所激发的电场强度

设平面上的电荷面密度为\sigma

P点场强:

E=\frac{\sigma }{2\xi _{0}}e_{n}

一对电荷面密度等值异号的 无限大均匀带电平行平面间电场强度的大小为

E=\frac{\sigma }{\xi _{0}}


           如果在高斯面上的E处处为零,那么穿过该高斯面的E通量必定等于零,又根据高斯定理,此高斯面内一定没有净电荷,或者说要么此高斯面内根本就没有电荷,要么此高斯面内正负电荷相等,净电荷为零.
           反过来,如果高斯面内没有净电荷,只能说明穿过该高斯面的总E通量必定等于零,但不能肯定面上所有各点的E都等于零。因为穿过该高斯面的E通量等于零,可以是确实没有电场,也可以是进 人高斯面的E通量等于从高斯面穿出的E 通量,E通量总和为零,在这种情况下面上所有各点的E 就不一定等于零.


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