王道计算机组成原理2(笔记自用）

王道计算机组成原理

九、浮点数的表示和运算

定点数的局限性

2B定点整数 short表示： -8540

马云的财富：88888888888888888

4B定点整数 int 无法表示

从科学计数法理解浮点数：

+3.026 * 10^11

阶码（大小）：阶符 + 阶码的数值 常用补码或者移码表示的定点整数

尾数（精度）：数符+尾数数值 常用原码或者补码表示的定点小数

浮点数尾数的规格化

尾数的最高位不能是无效值

若是无效值，可以左移最高数值位，此时阶码的值也要减去左移位数（左规）

如果运算后尾数出现溢出（双符号位为01或10），不符合科学计数法，阶码值加上右移位数 （右规）

采用“双符号位”，当溢出发生时。可以挽救。更高的符号位是正确的符号位

规格化浮点数的特点

十、存储系统的基本概念

存储器的层次结构

CPU Cache 主存 辅存

主存的读写速度跟不上CPU运算速度，所以加入cache高速缓存器，解决了速度不匹配的问题

主存辅存解决了主存容量不够的问题

eg：辅存 （1TB）：100 MB/s : SATA6 Gb/s 现在用SSD固态 ：500MB/s 更快更稳定

	m.2接口SSD读写速度可达4GB/s

​ 因此固态中的系统启动更快

​ 三星内存条 (8G)：4 GB/s

​ cache（L1 ~L3）（i5 12MB）：200~900 GB/s

​

​ 上层：速度快、容量小、价格高

​ 1. 寄存器

​ 2. Cache 高速缓存

​ 3. 内存 （主存）

​ 4. 磁盘 （辅存）

​ 5. 外存 （磁带、光盘）

​ 下层：速度慢、容量大、价格低

存储器的分类

1.是否可以被CPU直接读写：

内存和Cache可以

2.存储介质：

​ 半导体存储器

​ 光存储器

​ 磁性材料

3.存取方式：

​ RAM 随机存取、 SAM 顺序存取 、DAM 直接存取 （串行访问存储器）

​ 相联存储器：根据内容检索地址比如快表

4.信息的可更改性：

​ 读写存储器

​ 只读存储器（BIOS通常写在ROM中，事实上ROM也可以多次读写但是很麻烦）

5.信息的可保存性：

​ 易失性存储器

​ 非

​ 破坏性读出

​ 非破坏性读出

存储器的性能指标

存储字长：字数*字长

单位成本：总成本/总容量

存储速度：数据传输率=数据的宽度/存储周期

存取时间

存取周期：存取时间+恢复时间

主存带宽（数据传输率）

十一、主存储器的基本组成

半导体元件的原理

主存逻辑上可分为

MAR MDR 存储体

一个存储体由多个存储单元组成，存储单元由多个存储元组成

存储元： MOS管+电容

充放电过程就是存储读取01的过程

于是科学连接这些存储元就可以一次性写多个二进制数（接上同一根MOS管电压线）

也就是组成了一个存储字，比如说8个存储元组成8b的存储字

存储芯片的原理

如何根据地址读写到具体存储字（找到存储字）？

​ /：译码器根据MAR中的地址，给某个字选线接通，点亮这个存储字的MOS管，输出一个字的二进制数

（译码器将地址信号转换为字选线的高低电平）

​ 然后接收到输出的数据线把结果给MDR /

在这个过程中，需要控制电路（位于芯片外）：

1.各个线稳定后再打开通道 ，通过驱动器实现讲点信号放大

2.存储芯片对外（CPU）提供片选线 CS CE，低电平有效

3.读写控制线，可能有一条或者两条，WE，OE；WE：写，读，注意引脚数

总结： 片选线 译 码 存 储 读 写 数据线

​ 地址线 驱 动 矩 阵 电 路 读写控制线

4类引脚数：1.选择芯片：片选线

​ 2.输入输出：数据线和地址线

​ 3.读写控制线，接通WE OE

片选线（CS）作用：选择工作芯片

n位地址 -> 2^n个存储单元

总容量 = 存储单元个数*存储字长

8 * 8 位的存储芯片

常见的描述：

如何实现不同的寻址方式

寻址

如，总容量为1KB（说明地址线有10根，地址空间从10个全0到10个全1），字长为4B，存储矩阵为：
0 1 2 3
4 5 6 7
8 9 10 11
12 13 14 15
… … … …
1020 1021 1022 1023

按字节寻址：1K个单元，每个单元1B；（按每个存储单元）
按字寻址：256个单元，每个单元4B；（按行）
按半字寻址：512个单元，每个单元2B；（按半行）
按双字寻址：128个单元，每个单元8B；（按两行）

按字节寻址时，和数据线没有任何关系；只有当按字寻址时，才考虑数据线，通过数据线来判断字长。

【例】cpu有20根地址线和32根数据线，按字节和字寻址，寻址范围分别是多少？

按字节寻址，寻址范围：220=1MB；
按字寻址，32根数据线可以看做存储字长有32位，那么一个存储字就有4个字节，这4个字节的区分，需要从20根地址线拿出两根作为字内寻址，这样剩下18根数据线来寻址，寻址范围：218=256KB

字地址和字节地址的关系

【例】地址线20根，数据线16根，按字节寻址：220=1MB；按字寻址：219=512KB；

a × \times × b的芯片，a是字线，连接的是地址线，b是位线，连接的是数据线。
2K × \times × 4位芯片：11根地址线，4根数据线

十二、SRAM和DRAM（静态动态RAM）

DRAM用于主存、SRAM用于Cache

存储元件的特性差异

DRAM芯片：栅极电容

SRAM芯片：双稳态触发器

存储元的区别：

栅极电容 （电容只能维持2ms，必须刷新充电）

读：电容放电，信息被破坏，读出后需要重写

（读写速度更慢、成本低、集成度高、功耗低） 成本低，制作主存

双稳态触发器：呈现两种稳定状态：1（A高B低 ）0（A低B高）

读：触发器状态保持稳定，无需重写

（读写速度更快、成本高、集成度低、功耗大）适合高速缓存的作用，高速存放信息

断电信息都会丢失

DRAM的刷新

1.多久刷新一次

2ms

2.每次刷新多少存储单元

以行为单位，每次刷新一行存储单元

行列地址减少选通线数量，分为行译码器，列译码器

3.如何刷新

有硬件支持不需要CPU控制，读出一行的信息后重写写入，占用1个读、写周期

4.什么时刻刷新

分散刷新，每个读写周期后，刷新也占用一次

集中刷新，2ms中某一段时间专门用来刷新，无法访问主存，称为死区

异步刷新，每隔一段时间刷新，可在译码阶段刷新

DRAM的地址线复用技术

本来需要n位地址线同时送行列地址，现在用n/2个地址线，前后传送给行列地址缓冲器

减少了地址线，也减少了引脚数

PS：现在主存通常采用SDRAM芯片

十三、只读存储器ROM（非易失性）

了解各种ROM

MROM——掩模式只读存储器：可靠性高、灵活性差、生产周期长、适合批量定制

PROM——可编程只读存储器：用户可以自己写一次数据

EPROM——可擦除可编程只读存储器：写完可以用某种方法擦除数据，可进行多次重写

UVEPROM 紫外线照射擦除，擦除所有信息

EEPROM 电擦除的方式，擦除特定的字

Flash Memory——闪存（U盘、SD卡）——每个存储元只需要单个MOS管，位密度比RAM高

断电后能保存信息，可进行多次快速擦除重写

写速度比读速度慢，因为写数据的时候需要先擦除

SSD——固态硬盘

由控制单元+存储单元（Flash芯片）构成，核心区别在于控制单元不同。

计算机内的重要ROM（BIOS）

主板上的BIOS芯片，存储了“自举装入程序”，负责引导装入操作系统（开机）

逻辑上，主存由RAM+ROM组成，且二者常统一编址