存储系统及数据通路实验——存储器实验

最新推荐文章于 2024-08-31 12:52:15 发布

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分类专栏：计算机组成原理实验文章标签：架构硬件工程

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第二部分存储器实验

一、实验目的

掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。

二、实验内容

1、实验原理

主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，如图3—5所示，它的数据总线挂在外部数据总线EXD0～EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273（U37）给出，地址值由8个LED灯LAD0～LAD7显示，高电平亮，低电平灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关KD0～KD7提供，并经一三态门74LS245（U51）连至外部数据总线EXD0～EXD7，实验时将外部数据总线EXD0～EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0～BUSD7，分时给出地址和数据。它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下，写信号由W/R` 提供，片选信号由CE`提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。

由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其实际使用容量为256字节。6264有四个控制线：CS1第一片选线、CS2第二片选线、OE读线、WE写线。其功能如表3—4所示。CS1片选线由CE`控制（对应开关CE）、OE读线直接接地、WE写线由W/R`控制（对应开关WE）、CS2直接接+5V。

图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR拨在左边，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。

2、实验接线

总清开关拨到“1”位置。
J20,J21,J22,接上短路片；
J23，J24，J25，J26接左边；
J27,J28 右边；
JA5 置“接通”；
JA6 置“手动”；
JA1,JA2,JA3，JA4置“高阻”；
JA8 置上面“微地址”；
EXJ1接BUS3。

图2.1 主存储器单元电路

表2.1 6264功能表

工作方式	I/O		输入
工作方式	DI	DO	/OE	/WE	/CS1
非选择	X	HIGH-Z	X	X	H
读出	HIGH-Z	DO	L	H	L
写入	DI	HIGH-Z	H	L	L
写入	DI	HIGH-Z	L	L	L
选择	X	HIGH-Z	H	H	L

3、实验预习

（1）根据实验原理详细接线如下：

①EXJ1连    BUS3      ；

②跳线器J22上T3连    TS3    ；

③跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左 (左/右)边（手动方式）；

（2）连接线路，仔细查线无误后，接通电源。

（3）形成时钟脉冲信号T3，方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关"运行控制"和"运行方式"。将"运行控制"开关置为"   运行    "状态、"运行方式"开关置为"    连续   "状态时，按动"    运行启动   "开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器   W1    ，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号；本实验中"运行方式"开关置为" 单步   "状态，每按动一次"     启动运行     "开关，则T3输出一个正单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。

（4）向存储器中写入数据，具体操作步骤分两步完成：

注意：向存储器的地址单元中写入数据时，一定要先送 地址 ，再送 数据。

①先通过输入开关向AR中置入存储单元的地址。

将存储器地址送入AR：置KD0-KD7为00000001，置SWB= 0 ，CE=   1   ，打开输入三态门，然后置LDAR=   1   ，按动   T3    开关，则T3输出一个正单脉冲，将数据置入AR。

②再向RAM的存储单元中置入数据。

置KD0-KD7为00010000，置SWB=   0   ，LDAR=    0   ，打开输入三态门，然后置CE= 0   ，WE=   1   ，使存储器写有效，按动    T3   开关，则T3输出一个正单脉冲，将数据置入存储器RAM。

（5）读出写入地址单元的内容，观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下：

①将存储器地址送入AR：置KD0-KD7为00000001，置SWB= 0 ，CE=   1   ，打开输入三态门，然后置LDAR= 1 ，打开AR输入控制开关，按动   T3    开关，则T3输出一个正单脉冲，将数据置入AR。

②置SWB= 1   ，CE=   0   ，关闭输入三态门，置LDAR=   0   ，关闭AR输入控制开关，置WE=    0   ，使存储器读有效。则通过LZD0-LZD7可观察读出结果。

4、实验步骤

① 连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。

② 形成时钟脉冲信号T3。方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行启动”开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器W1，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号；本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态，每按动一次“启动运行”开关，则T3输出一个正单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。

③ 向存储器的00地址单元中写入数据11，具体操作步骤如下：

如果要对其它地址单元写入内容，方法同上，只是输入的地址和内容不同。

④ 读出刚才写入00地址单元的内容，观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下：

⑤ 以自己的学号后两位为数据，以同组同学的学号后两位为地址，按以上步骤操作验证。写出具体步骤。

答：具体步骤如下：

① 连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。

② 形成时钟脉冲信号T3。方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行启动”开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器W1，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号；本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态，每按动一次“启动运行”开关，则T3输出一个正单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。

向存储器的03地址单元中写入数据07，如上图。

④ 读出刚才写入03地址单元的内容，观察内容是否与写入的07一致。如上图。

三、实验数据记录

1、根据存储器的读写原理，填写下表。

控制信号	写地址	写内容	读内容
SWB开关	0	0	1
LDAR 开关	1	0	0
CE 开关	1	0	0
WE开关	0	1	0

2、记录向存储器写入数据的操作过程。

按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为00H， 01H，02H，03H，04H，05H的单元分别写入数据：55H，33H，44H，66H，08H，F0H。

3、写出读出存储器单元内容的操作过程并记录以下地址单元读出的内容。

地址	内容	地址	内容
00000000	55H	00000100	08H
00000001	33H	00000101	F0H
00000010	44H	00001000	00H
00000011	66H	00000100	08H

四、根据电路图分析向存储器置数和从存储器读数的工作原理。

答：存储器是计算机用来保存程序与数据的主要部件。存储器可以分为易失性和非易失性存储器，易失性存储器中的数据在关闭电源之后就不复存在，非易失性存储器的数据在关闭电源之后不会丢失。易失性存储器又可以分为动态存储器和静态存储器，动态存储器保存信息时间只有2ms，工作时需要不断更新，既不断刷新数据静态存储器只有不断电，信息是不会丢失的。

五、实验总结

通过这次实验，我掌握了静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法，了解了存储器读写时的简单原理及操作过程。知道了写操作是计算机先把存储器地址写到地址总线上，再把数据放到数据总线上，这样就可以把数据写到正确的存储单元；读操作是计算机先把存储器地址写到地址总线上，存储器再把数据放在数据中心上，这样计算机就可以从数据总线上读取数据了。

六、思考题

1、存储器的地址是放在哪个芯片中的，为什么在输入地址时，控制开关CE=1、LDAR=1？

答：动态存储器芯片，关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存门控信号（LDAR=1），由开关给出要写入的存储单元地址，T3产生一正向脉冲将地址打入到地址锁存器。

当CE=1时，芯片被选中，可进行读/写操作，否则芯片没被选中，不能进行读/写操作。

当LDAR=1时，将单元的地址送到地址寄存器中。

2、在读存储器内容时控制信号SWB=1、CE=0、WE=0、LDAR=0的含义是什么？

答：SWB=1：关闭输入三态门74LS245；

CE=0：存储芯片选信号有效；

WE=0：存储芯片读有效，写无效；

LDAR=0：封闭存储芯片的地址寄存器。