MCU内部基准1.2V使用方法

本文以武汉芯源CW32L010为例展开说明。

CW32L010是一款M0+核的MCU，主频最高可达48MHz，最大64K flash，4K RAM，内置 12 位模数转换器具有多达 14 个外部通道和 2 个内部通道（温度传感器、BGR 1.2V 电压基准），但是010的ADC参考电压只能是VDD电源电压，那BGR1.2V这个电压基准就尤为重要了。

1.2V是由内部参考电压生成器生成的，010d 1.2V的校准值存放在0x0010_07D2和0x0010_07D3这两个地址里，该值为每个MCU出厂前校准好的1.2V基准电压实测值，以mV为单位；例如下图：

也就是说我所测的板子的1.2V校准值是0x04BE，单位是mV，所以换算出来就是1214mV，也就是1.214V；在计算的时候，就将这个值带进去，先反推VDD，然后再用VDD作参考电压计算所需测量的AD值。

但是请注意，此时的1.2V不仅要从内部存储器里读出来，还要通过内部转换通道转换出来，存储器里读出来的值是标准值，基本不会根据外部电压的变化而变化，那么内部ADC转换通道转换出来的值的误差，其实就是基准VDD的误差；所以可以用ADC计算公式，用内部通道转换出来的1.2V的值，反过来推出VDD的电压即，也就是1.2V的转换电压值比上1.2V的出场校准电压值即为实际VDD电压值。