本征半导体:在纯真单晶硅中,电子被共价键所束缚,很难移动,所以不导电。
P区域:在硅中参杂3价元素,所有3个电子会和硅元素组成共价键,会有一个共价键缺少电子变成空穴(缺少了一个带负电的电子)。空穴也可以用来导电:带正电的空穴。
N区域:在硅中参杂5价元素,其中4个电子会和硅元素组成共价键,剩下一个变成自由电子:带负电的电子。
扩散运动:由于浓度差,电子由浓度较高的n型半导体流向p型半导体。
漂移运动:n型半导体失去了电子,呈现正电;p型半导体中空穴被电子填充,呈现负电。从而让发生扩散的地方形成了一个电场(反向由n到p),电场内的电子受到由p到n的力,部分电子就会因为这个力从p到n运动。
扩散运动(浓度差)和飘逸运动(电场点位差)是动态平衡。
正向偏置:
从外部施加一个由p指向n的电场(即p接电源正极,n接电源负极)。电子从电源负极出发,涌向n区,扩散到pn结中。P区电子也会在此时向电源正极移动,但此时p区没有多少左右电子,都是空穴。此时原先形成pn结时,由n区来的电子就会离开,向正极移动,pn结中又形成了新的空穴。N区pn结由于电子的进入在变窄,p区pn结由于电子流出,空穴增多也在变窄。当pn结宽度变为0,半导体成为导通状态(用外电压克服内电压)。
反向偏置:
将电源方向倒转,此时n区自由电子会被电源正极吸引,离开n区;p区有电源电子流入,填补p区空穴。此时,n区pn结由于失去电子在变宽,p区pn结由于失去空穴也在变宽,原先内电场被加强,导致半导体不导电。
但此时由于内电场变宽,导致飘逸运动也会加强。仍然有电子在做飘逸运动,当能量达到阈值时,被电源赋能的自由电子可以把共价键中的电子撞出来,形成自由电子和一个空穴,形成链式反应,形成很大的电流(雪崩击穿),不会损害半导体,但是会产生大量的热,导致半导体烧毁。