1、什么是PN结
2、PN结的关键参数
3、印刷工序是否对PN结有影响呢?
1、什么是PN结
PN结:在同一纯净的硅片上,有N型半导体和P型半导体两部分组成,他们的交界面就是PN结。
想要更好理解其中含义,需要知道啥是P型半导体、N型半导体。
半导体:既容易得电子,也容易失电子,硅的最外层电子是4个,原子对电子的束缚能力不太强,容易转化为自由电子,处于绝缘体和金属之间。
本征半导体:纯净的硅片,只含硅元素,没有掺杂,不导电。
P型半导体:掺杂硼的本征半导体。
N型半导体:掺杂磷的本征半导体。
2、PN结的关键参数
扩散的三个指标——方阻、结深和表面浓度,在半导体工艺中各自扮演着重要的角色,它们共同影响着半导体器件的性能和特性。
- 方阻:方阻是描述材料电阻特性的一个参数,它表示单位面积上的电阻值。在半导体扩散过程中,方阻的大小直接反映了扩散层的导电性能。方阻越小,说明扩散层的导电性能越好,反之则导电性能越差。通过控制扩散条件,可以调整方阻的大小,从而优化半导体器件的电阻特性。
- 结深:结深是指扩散层与基体之间的界面深度。在半导体工艺中,结深的大小决定了器件的击穿电压和漏电流等关键参数。较深的结深可以提高器件的击穿电压,但也可能增加漏电流;而较浅的结深则可以降低漏电流,但击穿电压可能较低。因此,在扩散过程中需要精确控制结深,以达到器件性能的最优化。
- 表面浓度:表面浓度是指扩散层表面的杂质浓度。它影响着半导体器件的表面电学特性,如表面电阻率和表面态密度等。通过调整扩散过程中的杂质源浓度和扩散时间,可以控制表面浓度的分布,从而优化器件的表面性能。
3、印刷工序是否对PN结有影响呢?
LECO产生的的高温仅仅在栅线区的个别触点上,并没有如印刷浆料一般覆盖整个细栅区,触点很小,只腐蚀了绒面的塔尖尖儿,不同于前道SE工序的激光影响到整个细栅区。
且LECO这种瞬间高温具有来的快去得也快的特性,持续时间在几微秒~几毫秒之间,没有足够的时间让硼原子向内扩散。
激光功率也较SE功率明显偏小,不会产生重掺效果,也不会在表面产生微损伤。
综上,目前印刷对PN结没有影响,特别是在加载LECO后,钝化层被破坏从而降低开压的风险更小了。