PN结
半导体内,上层为Conduction band,下层为Valence band,电子在上层,空穴在下层
N-type注入donor impurities,提供电子前往上层
P-type注入acceptor impurities,提供空穴前往下层
上层的电子将CB和VB下压,下层的空穴将CB和VB上顶,形成势垒
PN结的电流
I
D
I_D
ID 与电压
V
D
V_D
VD 关系如下:
I
D
=
I
S
[
e
x
p
(
V
D
n
V
T
)
−
1
]
I_D=I_S[exp(\frac{V_D}{nV_T})-1]
ID=IS[exp(nVTVD)−1]
其中
I
S
I_S
IS是漏电流,属于二极管自带的特性
V
T
V_T
VT是热电压,在300K时
V
T
=
0.025
V
V_T=0.025V
VT=0.025V
等式后面的1一般可以忽略
AC analysis
交流和直流电源都存在的电路,需要将AC和DC分开分析
输入是二极管的压降和交流电源的函数(包括周期等)
①分析直流,忽略AC电源,将二极管视为与正向偏置反方向的电源,用电源电压减去二极管压降除以电阻得到二极管电流
②分析交流,忽略DC电源,将二极管视为电阻r,用热电压
V
T
V_T
VT除直流时得到的电流得到电阻r(二极管交流电阻等于热电压除以直流时的电流
r
d
=
V
T
I
D
Q
r_d=\frac{V_T}{I_{DQ}}
rd=IDQVT),交流电压
v
i
v_i
vi除以
(
r
d
+
R
)
(r_d+R)
(rd+R) 得到电流
r d = V T I D Q r_d=\frac{V_T}{I_{DQ}} rd=IDQVT须记忆
BJT(Bipolar Junction Transistor)
BJT有NPN和PNP两种,NPN电流从从射电极(E)发出,PNP电流从集电极(C)发出
中间那一层提供势垒,通入电流后势垒减弱,晶体管打通
*Is是漏电流
NPN BJT
发出的电流和进入BJT的电流相等,在NPN中是
I
E
=
I
c
+
I
B
I_E = Ic + I_B
IE=Ic+IB
BJT有三种状态,分别是Active Region, Saturation Region和Cutoff Region
1.Cutoff region:电压最小,没有电流,b-e/c-b反向偏置
2.Active region:Ib可以增大输出电流,b-e正向偏置,c-b反向偏置
3.Saturation region:增大Ib也不会增大输出电流,b-e/c-b正向偏置
电流增益β = 输出电流/Ib
I
E
=
I
s
[
e
x
p
(
V
B
E
/
n
V
T
)
−
1
]
I_E = I_s[exp(V_{BE}/nV_T)-1]
IE=Is[exp(VBE/nVT)−1]
I
c
=
I
s
[
e
x
p
(
V
B
E
/
V
T
)
−
1
]
Ic = I_s[exp(V_{BE}/V_T)-1]
Ic=Is[exp(VBE/VT)−1]
其中
I
s
I_s
Is是漏电流(leakage current)
n在理想情况下等于1,极端情况下为2
这两个公式需要记忆,其中的-1可以被忽略
第二个公式说明集电极电流和C-E电压是不相关的,然而实际上,Vce的增大会微小的增大Ic,这被称为“early effect”
穿通
NPN BJT有两种特殊情况,穿通(Punch Through) 和厄利效应(Early Effect)
首先解释穿通,这是一种特殊的击穿。在BJT工作的过程中,基极会逐渐被耗尽,而当基极宽度减少为0时,穿通就会发生,此时基极失去对电流的控制,集电极电流迅速增大,如果BJT没有被过热烧坏,则可以通过减小集电极电压来逆转这种效应
厄利效应
这个效应之所以叫early effect是因为这个效应由一个叫early的人发现,和early这个单词本身的意思并无关联
理想的电流特性线随着电压增大应该成为一条水平的直线,然而实际的方向却略微向上偏斜。
厄利发现,如果将实际的电压-电流的输出特性曲线前推到电流为零的情况,则所有特性曲线都会聚于一点,这个点的电压被称为厄利电压
如果晶体管电阻无穷大,则代表无厄利效应
V
A
V_A
VA(early voltage)
由此,我们可以得出V_A也是可以影响Ic的,所以上面所表示的Ic的表达式严格意义上并不完整,下面是考虑Vce的形式
I
c
=
I
s
[
e
x
p
(
V
B
E
V
T
)
]
(
1
+
V
C
E
V
A
)
Ic = Is[exp(\frac{V_{BE}}{V_T})](1+\frac{V_{CE}}{V_A})
Ic=Is[exp(VTVBE)](1+VAVCE)
还有,注意这里的饱和区和放大区都是对于
I
b
I_b
Ib和
I
c
I_c
Ic而言的
在饱和区,基极电流不会引起集电极电流的增大;在放大区,基极电流与集电极电流呈线性关系,详细介绍可以看这篇文章
静态工作点(quiescent operating point)
在BJT电路中仅存在直流时,一个Ib对应的电压,电流可用特性曲线上一个特定的点表示,这个点通常是直流负载线与某一个Ib特性曲线的交点,也即静态工作点Q,Q对应的Vce和Ic则被称为Vceq和Icq。
直流负载线是Ic,Vc的U-I特性曲线
随着Ib的变化,静态工作点沿着直流负载线移动。
静态工作点的作用是,保证交流信号输入后,处理输出的信号不会出现失真
小信号等效电路
晶体管是非线性元件,完整的分析需要建立复杂的模型,因此,可以将电路简化为小信号等效的,简单的线性电路,从而简化分析的过程
简化建模过程
1.DC分析,将所有AC信号视为0,将所有电容器视为开路
2.将AC元件转化为等效的AC元件
3.添加外部元件并分析最终的AC电路
hybrid-π
等效电路不止一种,比如hybrid-π和T等等,他们得出的结果应该是一样的,具体选用哪一种取决于我们需要分析的电路
我们主要使用的是hybrid-π等效电路,这种电路有两种形式,主要区别在于增益的表达形式,一种是β*ib,一种是gm*Vπ
我将等效电路分为三部分,分别是输入,增益和输出。
输入可以被视为电阻
r
π
r_π
rπ
r
π
=
Δ
V
B
E
/
Δ
I
B
r_π = ΔV_{BE}/ΔI_B
rπ=ΔVBE/ΔIB
输出可以被视为电阻
r
0
r_0
r0
r
0
=
(
V
C
E
Q
+
V
A
)
/
I
C
Q
r_0 = (V_{CEQ} + V_A)/I_{CQ}
r0=(VCEQ+VA)/ICQ
其中
V
A
V_A
VA是厄利电压,是三极管的参数
这个公式里的V_CE常常被近似为0
增益有两种参数,电流增益β和跨导g_m
β
=
Δ
I
c
/
Δ
I
B
β = ΔIc/ΔI_B
β=ΔIc/ΔIB
g
m
=
Δ
I
c
/
Δ
V
B
E
g_m = ΔIc/ΔV_{BE}
gm=ΔIc/ΔVBE
r
π
=
β
/
g
m
r_π = β/g_m
rπ=β/gm
β
=
g
m
∗
r
π
β = g_m*r_π
β=gm∗rπ
在300K的温度下
g
m
=
40
∗
I
c
g_m = 40*Ic
gm=40∗Ic