PEG修饰红色InP/ZnS量子点的研究:
InP量子点被认为是最有希望替代Cd基量子点的材料。然而对于InP量子点的制备和性质的研究远远小于Cd基量子点的研究,特别是其光学性方面的研究。本文采用一锅法制备了晶格质量良好,光学性能优异的InP/ZnS量子点,通过TEM图像确认制备出了的InP核的尺寸约为3 nm,晶格间距与闪锌矿结构的InP(111)晶面间距一致;通过变功率的光谱测试以及拉曼测试,认定InP/ZnS中存在两个发光来源,高能端的来源于自由激子的跃迁,低能端的来源于界面应力产生的缺陷。
小编推荐-peg/g-c3n4量子点复合荧光纳米微球(g-cnqds-peg)的制备
(1)将1gg-c3n4粉末加入有80ml5mhno3的蒸馏烧瓶中回流26h,将溶液蒸干后得到的白色粉末水洗至中性,然后置于70℃的真空干燥箱中干燥20min,得到硝酸氧化的g-c3n4(g-c3n4-hno3)。
(2)取100mgg-c3n4-hno3和200mgpeg1500n加入50ml去离子水中,超声30min,将混合液置于100ml的高压反应釜中,在200℃下水热反应10h,冷却至室温,用0.22μm滤膜过滤后取溶液、经透析、冷冻干燥后得到g-cnqds-peg。
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瑞禧YWX.2022.10.28