晶体生长需要解决的13个问题

晶体生长涉及热力学条件、形核控制、界面结构、溶质再分配等多个复杂环节。从形核、界面物理化学过程到溶质分布、热平衡控制,每个步骤都直接影响晶体的质量和性能。此外,晶体缺陷的形成与控制、原料提纯、化学反应动力学以及生长环境的精准调控等都是关键问题。晶体生长研究需要跨学科的知识,涵盖物理、化学、材料科学等多个领域。
摘要由CSDN通过智能技术生成

所谓晶体生长是物质在特定的物理和化学条件下由气相、液相或固相形成晶体的过程。人类在数千年前就会晒盐和制糖。人工模仿天然矿物并首次合成成功的是刚玉宝石(α氧化铝)。

维尔纳叶约在1890年开始试验用氢氧焰熔融氧化铝粉末,以生长宝石,这个方法一直沿用至今。

第二次世界大战后,由于天然水晶作为战略物资而引起人们的重视,科学家们又发明了水热法生长人工水晶。人们还在超高压下合成了金刚石,在高温条件下生长了成分复杂的云母等重要矿物,以补充天然矿物的不足。

20世纪50年代,锗、硅单晶的生长成功,促进了半导体技术和电子工业的发展。20世纪60年代,由于研制出红宝石和钇铝石榴石单晶,为激光技术打下了牢固的基础。

然而,要想成为一个炼“晶”术师,晶体生长中需要解决的问题不得不看。

01晶体生长过程能够发生的热力学条件分析及其生长驱动力

晶体生长过程是一个典型的相变过程,因此进行晶体生长过程设计时首先需要考虑的是该相变过程在什么条件下可以发生、相变驱动力的大小与环境条件的关系,并以此为基础,选择合理的晶体生长条件。这是一个典型的热力学问题。

02晶体生长过程中的形核

晶体生长的第一步是获得晶体结晶核心,后续的结晶过程通过该核心的长大完成。结晶核心可以是外来的,即引入籽晶,也可以直接从母相中形核获得。该形核过程是需要严格控制的。

理想的单晶生长过程应该精确地控制到只形成一个晶核。在后续的晶体长大过程中,防止

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