Silicide:金属氧化物。具有低阻值、抗电子迁移、高熔点等特性。主要应用在形成Polycide结构中,使PolySi与金属导体间形成低阻值的欧姆接触,降低RC延迟时间,提升元件执行速度。常用组成金属硅化物的结构有Ti、W等。
Polycide:多晶硅-金属硅化物结构(见下图)。相较于常规CMOS技术中采用重掺杂磷的型多晶硅作为栅极材料,这种结构可以改善多晶硅栅的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。
Salicide:自对准硅化物。自对准指利用单一掩模版在硅片上形成多层自对准结构,简单来说就是,在栅极、源极和漏极都镀上金属硅化物。Salicide相较于Polycide,它既能降低栅极电阻,又能降低源漏电阻,大大提高了器件的电流驱动能力和速度。Ti或Co的硅化物都可以采用自对准工艺,以的自对准硅化物工艺为例,见下图。