Silicide、Polycide、Salicide

Silicide：金属氧化物。具有低阻值、抗电子迁移、高熔点等特性。主要应用在形成Polycide结构中，使PolySi与金属导体间形成低阻值的欧姆接触，降低RC延迟时间，提升元件执行速度。常用组成金属硅化物的结构有Ti、W等。

Polycide：多晶硅-金属硅化物结构（见下图）。相较于常规CMOS技术中采用重掺杂磷的型多晶硅作为栅极材料，这种结构可以改善多晶硅栅的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。

 

Salicide：自对准硅化物。自对准指利用单一掩模版在硅片上形成多层自对准结构，简单来说就是，在栅极、源极和漏极都镀上金属硅化物。Salicide相较于Polycide，它既能降低栅极电阻，又能降低源漏电阻，大大提高了器件的电流驱动能力和速度。Ti或Co的硅化物都可以采用自对准工艺，以的自对准硅化物工艺为例，见下图。