一、二极管原理
表征:单向导电性(正向压降0.3V或0.7V)。 实质:PN结作用。
实质:PN结作用。
即PN结的P区掺杂三价元素而形成多数载流子——空穴(极性为正),N区掺杂五价元素而形成多数载流子——电子(极性为负),P区和N区交界处因载流子的扩散再平衡得到空间电荷区(即耗尽层),此时形成内电场(方向从N区指向P区),如下图。
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图 1PN结内部结构示意图
当PN结正向偏置时(P接电源正极,N接电源负极),电源电压得到的外加电场与PN结内电场反向,且外加电场强度大于PN结内电场时(表征为PN结有一定压降),PN结导通,如下图;
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图 2二极管正向偏置示意图
当PN结反向偏置时(P接电源负极,N接电源正极),电源电压得到的外加电场与PN结内电场同向,PN结内电场得到加强,PN结截止(因少数载流子的缘故会有微小的反向电路),当电源电压足够高时,外加电场强度过大可破坏稳定的共价键,引发雪崩效应或齐纳效应,从而PN结被击穿(无法恢复)。
图 3二极管反向偏置示意图
二、常见分类及其特性
1.锗二极管:
工艺:它由一个n型掺杂的锗晶体和一个p型掺杂的锗晶体组成。
特点:饱和电流大、漏电流小、导通压降小(0.2V~0.4V)、开关速率稍慢,主要用于计算器、收音机、电视机等检波电路。
2.硅二极管:
工艺:它由一个n型掺杂的硅晶体和一个p型掺杂的硅晶体组成。
特点:耐高温、反向击穿电压高、开关速率快,但正向压降较大(0.6V~0.8V),容易产生热损耗,电流与温度呈正相关关系,适合高频电路。
3.砷化镓二极管:
工艺:它由一个n型掺杂的砷化镓(GaAs)和一个p型掺杂的砷化镓(GaAs)组成。
特点:开关速率极高、禁带宽度小、漏电流低,常用于高频率、光电类电路等。
三、常见功能
1.整流作用:
利用二极管的单向导电性,可以将交流电变换成直流电。
2.稳压作用:
利用稳压二极管工作在反向击穿状态(击穿电流不超额定值,齐纳效应可恢复),其反向击穿电压恒定的特性,可保护电路电压稳定。
3.限幅作用:
二极管正向导通后有一定压降,故二极管可以作为限幅元件,将信号幅度限制在一定范围内。
4.检波作用:
将调幅波还原为调制前的音频信号。
5.开关作用:
通过改变二极管两端电压正反向偏置来控制电路通断。
四、选型要点
1.最大正向工作电流:
根据电路中的最大工作电流来选择,推荐降额使用(实际过流小于工作电流)。
2.最大反向工作电压:
根据电路中的最大反向工作电压来选择,推荐降额使用(实际电压小于工作反向电压)。
3.反向电流:
在其他参数相差很小的情况下,选择反向电流相对更小的二极管,在二极管截止时可降低电路功耗。
4.最大工作频率:
应根据电路中的最大工作频率来选择,推荐降额使用,且要符合电路信号时延的。
5.最大功耗:
应根据电路中的最大功耗来选择,推荐降额(50%~70%)使用。
6.封装类型:
应考虑电路板的空间布局和安装需求。
7.温度特性:
应考虑电路板的散热条件、工作温度以及二极管结温和耗散功耗。
8.最大导通压降:
应考虑电路中二极管后端电路电压正常范围,以确保不影响后端电路正常工作电压为选用标准。