硬件知多少之三极管篇（作者：行知者也）

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一、三极管原理简介

电路功能：信号放大、电路开关。

基本构成：（以NPN型三极管为例）由三个不同掺杂区组成，分别为发射区（N型重度掺杂——多数载流子为电子）、基区（P型轻度掺杂且很薄——多数载流子为空穴）、集电区（N型中等掺杂——多数载流子为电子），这三区引出导体引线分别称为发射极、基极、集电极，三区分布为如图1，形成两个PN结，也称为发射结和集电结。

                                  图1 NPN型三极管示意图

二、原理特性

发射结正偏且偏置电压大于发射结压降，自由电子可从发射极注入到基极并能轻易到达集电区；集电结反偏，集电区的自由电子被吸引到电源处。从而可以理解为：发射结正偏，重掺杂的发射区大量自由电子被注入到基区，少部分流向基极外接电源正极，大部分因基区很薄且轻掺杂可以流到集电区继而被集电极外接电源正极吸引。

工作区：截止区、饱和区、有源区（放大区）、击穿区，特性曲线详见图2。

截止区（集电结反偏、发射结未偏置）：在基极电流为0时，此时集电极电流极其微小，被称为集电极截止电流。

饱和区（集电结反偏、发射结正偏）：此时Vce较小（0V~1V）,集电结的正电压无法绝大多数收集发射极注入基极的自由电子，电流增益小于正常值。

有源区或放大区（集电结反偏、发射结正偏）：集电极将发射极注入基极的自由电子几乎全部收集，集电极电流此时恒定。

击穿区（集电结反偏）：此时Vce大于三极管的最大反向击穿电压，三极管被击穿而损坏。

这四类工作区是三极管应用参考因素，其中有源区被用于放大电路，截止区和饱和区被用于开关电路，击穿区用来约束电路三极管选型，实际反向电压必须远离击穿电压。

                                   图2 集电极特性曲线

三、选型要点

电流增益β

β=Ic/Ib，其中Ic为集电极电流，Ib为基极电流（如图3，β=193/1.02=187.38）。每种三极管都有固定的电流增益，可根据实际电路需要进行选型。

图3 三极管偏置电流关系图

击穿额定值（Vceo、Vcbo、Vebo）

Vceo（反向击穿电压）：基极开路时集电极与发射极之间的电压；

Vcbo（反向击穿电压）：发射极开路时集电极与基极之间的电压；

Vebo（反向击穿电压）：集电极开路时发射极与基极之间的电压。

​这三中反向击穿电压在电路设计时应考虑，即在实际电路中，这三种实际反向电压均应显著小于击穿额定值，以增加三极管可靠性。

最大电流（Ic）

在选型时应考虑最大电流，同样应选择最大电流显著大于电路实际工作电流，以增加三极管可靠性。

最大功耗（Pd）
在选型时应考虑最大功耗，同样应选择最大功耗显著大于电路实际最大功耗，以增加三极管可靠性。

开关特性（延时Td、上升时间Tr、下降时间Tf）

在高频电路中选型时应考虑开关特性，应选择延时更小一类的具有良好开关特性的三极管。

温度特性（结温、结壳热阻、耗散功率）

在功率电路中常常兼顾产品散热环境、工作环境温度、最大功率工作温升等因素，去做热分析而选择具有良好温度特性的三极管。