硬件知多少之场效应晶体管（MOSFET）篇（作者：行知者也）

最新推荐文章于 2025-02-20 17:03:06 发布

行知者也

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文章标签：硬件工程嵌入式硬件单片机

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_71945335/article/details/139785884

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一、MOS场效应晶体管原理简介

电路功能：电路开关。

基本构成：（以NPN型MOSFET为例）由四部分组成，分别为漏极（N型掺杂——多数载流子为电子）、栅极（金属板与二氧化硅层）、源极（N型掺杂——多数载流子为电子），衬底（P型掺杂——多数载流子为空穴），如图1。

图1 NPN型MOS管示意图

二、原理特性

如图2所示，当栅极电压为0V时，源极和漏极之间没有导电路劲，此时电流为0，当栅极电压为正时，它会吸引自由电子到P区与二氧化硅层交界附近，与空穴复合，当栅极电压足够大（大于等于Vgs）时，则会吸引大量的自由电子可填满交界附近的空穴并且还会余下自由电子，这些自由电子可以在源极和漏极之间流动，此时在交界处便建立了一个可以导电的薄层（类似于N沟道）。