观海微电子--常用基础电子元器件_ESD防护器件

ESD防护器件

瞬态电压最主要的特点有三个: 超高压, 瞬时态, 高频次。

超高压是指通常的瞬态电压尖峰，高出正常电路电压幅值的好几倍。

瞬时态是指瞬态电压持续的时间非常之短，它可以在数亿分之一秒内完成迸发到消失的过程。 高频次是指瞬态电压的活动十分频繁，可以说无时不有、无处不在。

瞬态电压是会对微电子半导体芯片造成损坏的。人的神经所能感受到的静电是阶于2,000v至3,000v。可是只需要30v的静电电压就足以损坏现在所生产的精、细、IC。虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降，但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。瞬态电压对芯片器件造成的损伤难以与其它原因造成的损伤加以区别, 从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。由于微电子半导体芯片的精、细、结构, 如要替换或修理需要使用高度精密仪器,是非常费财的。为一的有效方法就是把瞬态电压抑制在被保护元件能承受的安全水平。

压敏电阻

抑制浪涌的器件主要有压敏电阻、TVS，下面是对它们的介绍

压敏电阻：  

原理：当压敏电阻上面的电压超过一定的幅度的时候，电阻的阻值会降低，从而将浪涌能量泻放掉，并将浪涌电压的幅度限制在一定的幅度。  

特点：压敏电阻的峰值电流承受能力较大，价格低。  

缺点：钳位电压较高（相对于工作电压），随着受到浪涌冲击的次数增加，漏电增加，响应时间变长，寄生电容较大。

压敏电阻的选用主要考虑：

最大直流工作电压VDC：VDC必须大于信号线的直流工作电压；

电容Cp：对于高频信号来说Cp尽量小一些；

压敏电压Vn：即击穿电压或阈值电压，经过电压达到压敏电压时压敏电阻放电，Vn>1.5~2.5*VDC ；

最大限制电压Vc:Clamping Voltage 箝位电压，指压敏电阻两端所能承受的最大电压，此电压必须小于要保护的最大电压；

响应时间：静电放电的上升时间是0.7～1ns，所以压敏电阻的响应时间要小于1ns，越小越好    漏电流:

最大峰值电流：压敏电阻在规定的条件下，允许通过其上的最大脉冲电流值；

绝缘电阻/瞬态电阻： 最大能量吸收能力:

应用范围：某些压敏电阻会推荐具体应用，例如用在EMI、ESD防护、过压保护、高速信号、电源保护、特殊应用等；

环保要求：是否符合RoHS、三星、索尼等环保要求；

瞬态电压抑制二极管(TVS:Transient Voltage Suppressor)：  

原理：当TVS上的电压超过一定的幅度的时候，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，释放浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值。

 特点：响应时间短，钳位电压低（相对于工作电压）。  

缺点：半导体材料因过载能力差，不易制作大容量的浪涌保护元件，所以TVS承受的峰值电流较小。另外，一般TVS的寄生电容较大，如果在高速数据线上面使用，需要选择特制的低电容器件。价格较贵。

额定反向关断电压 VRWM：在此阶段瞬态电压抑制二极管为不导通之状态，Vrwm必需大於电路的正常工作电压，尽量接近电路工作电压；

最大反向漏电流 ID ：一般都会有10-100μA的反向漏电电流；

最小击穿电压 VBR ：当瞬态电压超过Vbr,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平,提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开,避开被保护元件；

击穿电流 IR：

最大箝拉电压VC：当持续时间为20us的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，其两极间出现的最大峰值电压为VC。VC不能大於被保护回路的可承受极限电压,否则元件面临被损坏，Vc通常都是越小越好。 VC与VBR之比称为箝位因子，一般在 1.2~1.4 之间；

最大峰值脉冲电流 IPP： 要求大于瞬态浪涌电流；

电容量 C：对於数据/讯号频率越高的迥路,瞬态电压抑制二极管的电容值对电路的干扰越大。这会形成噪音或衰减讯号强度。高频迥路或高传输如USB2.0,1394,需要选择低电容值瞬态电压抑制二极管,电容值不大於10pF。而对电容值要求不高的迥路,电容值可高於100pF。

最大峰值脉冲功耗 PM： PM 是 TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。在给定的最大箝位电压下，功耗 PM 越大，其浪涌电流的 承受能力越大；在给定的功耗 PM 下，箝位电压 VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。

箝位时间 TC TC 是从零到最小击穿电压 VBR 的时间。对单极性 TVS 小于 1×10-12 秒；对双极性 TVS 小于是 1×10-11 秒。

单极性还是双极性：交流、有正负电平时使用双极性；