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RSS订阅原创 南京观海微电子----VCC、 VDD、VSS、VEE 电压符号解释
VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd!3、在场效应管（或CMOS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。3、在场效应管(或CMOS器件)中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd)，VSS是接地点。
2024-08-31 11:10:57
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原创 南京观海微电子----CMOS门电路(OD门、传输门、双向模拟开关、三态门)
MOS管：绝缘栅型场效应管。当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)。
2024-08-31 11:07:58
1012
原创 南京观海微电子----静电放电ESD保护设计方案
图 5- 2 片上 ESD 保护设计的概念除了输入与输出端口的 ESD 钳位器件， 对 IC 中所有器件和电路防止 ESD 损伤（ 特别是针对引脚到引脚和 VDD 到 VSS 的 ESD 应力） ， 实现整个芯片保护的最重要的设计是合理排布电源线， 并且在不同的电源线之间采用电源轨 ESD 钳位电路。使用正确的整片 ESD 保护计划， 通过位于 I / O 端口的 ESD 钳位器件和位于电源轨之间的 ESD 钳位电路， 才能实现对核心电路的有效保护。
2024-08-08 10:36:59
342
原创 南京观海微电子----MOS管发生反向电流2个原因，3种阻断方法
1.在电源多路复用的时候，当3.3V电源开关打开时，向系统施加5V电压的情况，对于开关，使用简单的FET解决方案，即使开关断开，反向电流也能够流过FET体二极管。第二种是当MOS管用于负载切换，二极管正向偏置，反向电流可以通过其体二极管反向流动，输出电压大于输入电压，就会产生反向电压，导致体二极管两端的功率耗散线性上升。和二极管相比，它的电压降更低，不过需要更大的空间。第一种是，当电源和系统断开的时候，输入电压突然的下降，在输出端留下更高的电压，导致暂时性反向电流的产生。可以使用背靠背MOSFET！
2024-08-08 10:35:16
358
原创 南京观海微电子----使用运算放大器过零检测器电路图
从上面的波形可以看出，每当正弦波过零时，运算放大器的输出就会从负移到正或从正移到负。在过零检测电路中，运算放大器的非反相端与地连接作为参考电压，正弦波输入 (Vin) 馈送到运算放大器的反相端，如电路图所示。230v 电源提供给 12-0-12V 变压器，其相位输出连接到运算放大器的第 2 针脚，中性线与电池的地线短接。，同相端（参考电压）的电压变得大于反相端（输入电压）的电压，因此运算放大器的输出变为高电平或正饱和。我们知道，当非反相端的电压小于反相端的电压时，运算放大器的输出为低或负饱和。
2024-08-04 10:31:47
401
原创 南京观海微电子----单通道遥控开关电路原理及制作
当6脚反相端有峰值脉冲超过5脚设定的门限电压时，7脚输出一个跳变的低电平信号，触发由T2、T3等组成的双稳态电路反转，控制T4导通或截止，继电器吸合或释放。使用时将接收电路继电器的常开触点，串联在需要控制的电器的供电回路中，然后按一下遥控器，继电器吸合，电器工作，再次按遥控器继电器释放，电器断电。1.遥控器：电路如图1，由T5、T6等组成的多谐振荡器，产生的方波信号，对T7等组成的电感三点式振荡器产生的240MH--260MH射频进行脉冲调制，调制后的射频信号由电路板的印刷天线向空间辐射。
2024-08-04 10:26:40
191
原创 南京观海微电子----TL431常用DC线性稳压电路方案
下图是TL431作为基准电压源时的两种典型接法，TL431的内部含有一个2.5V的基准电压，若直接将输出电压(VO)引入ref脚(1脚)，则输出电压为2.5V;它具有体积小、电压精准、性能优良、价格低廉等特点，被广泛运用于恒流源电路，电压比较电路，电压监视电路，低压保护电路，过压保护电路，线性稳压电源电路，开关电源电路，基准电压电路等。如下图电路基于TL431的并联稳压电路，通过并联Q2三极管调节输出电流，相应的降低或升高输出电压，相应的限流电阻R9也选着足够功率的电阻，以达到最大功率要求。
2024-07-27 17:09:53
258
原创 南京观海微电子----同步整流和异步整流区别、优缺点
由于二极管的电压降是恒定的，因此当流经的电流很大时，二极管上的功率损耗占比会变小，这也导致在大电流时，DC-DC的工作效率会比较低，但输入电压比较高时却是可以的。当开关电源的输入电压为5V以下，输出电流较大时，采用肖特基二极管整流，功耗会很大，这种整流方式，会让电源效率大幅度的下降。上下管都是MOS管的 DCDC，就是同步的，只有一个上管的，下面需要增加一个肖特基二极管的 DCDC就是异步的。当降压比高时，续流二极管的导通时间长，如果Vout低，整体损耗比例会因为续流二极管的VF而变大。
2024-07-27 17:08:16
311
原创 南京观海微电子----开关调节器的控制逻辑方法
很多电子产品都需要电池供电，且大部分处于待机状态，因此可以使用具有远程控制功能的电源转换器，配合外部电路，可以实现低静态功耗、顺序控制、防止浪涌电流等功能。本文介绍了远程逻辑控制功能，列举了隔离型和非隔离型的外部接线，比较了两者的区别，并最终实现了一种适用于隔离型转换器的逻辑开关控制器。开关电源模块的设计目标，就是追求更小的产品体积、更高的功率密度、更高的转换效率，以确保整体系统运作能符合节能的需求，甚至进一步延长电子产品的电池寿命。相反，当 Ctrl 引脚的逻辑为 1 时，高电压信号将关闭转换器。
2024-07-16 11:37:47
995
原创 南京观海微电子----运放与MOS管组成的恒流源电路原理分析
此电路看似简单，实际原理是当采样电阻的电压变化时，直接反馈到运放的反相输入端，它与同相输入端电压的差值被运放放大，输出控制三极管的基极电流，改变三极管的内阻，从而改变发射极与集电极间的电压降，从而使采样电阻的电压保持不变，以达到负载电流恒定的目的。可变电阻区在输出特性的最左边， Id随着Uds的增加而上升，两者基本上是线性关系 ，所以可以看作是一个线性电阻，当Ugs不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由Ugs控制的可变电阻。在一定的Uds下，D极电流Id的大小是与G极电压Ugs有关的。
2024-07-16 11:36:14
965
原创 南京观海微电子----AC/DC、DC/DC转换器知识
Direct Current（直流）的首字母缩写。DC是极性（方向）不随时间变化的电流。①流动极性（方向）和大小皆不随时间变化的电流通常被称为DC。②流动极性不随时间变化，但大小随时间变化的电流也是DC，通常被称为纹波电流 (Ripple current)。
2024-07-04 10:15:58
818
原创 南京观海微电子-----短路(过流)保护电路详细工作解析
当负载接入，次极绕组输出正常的情况下，经二极管、电容C1整流滤波后，在电容C1上稳定平滑的直流输出，一路R7、C2、负载、接地回到电容C1的负极构成电流回路，给C2充电，随着C2充电至完成，在C2上形成的电压加到T3 9014NPN三极管的基极b上；T3 9014NPN三极管的集电极c、发射极e饱和导通后，电容C1上稳定平滑的直流输出经T1 TIP42C PNP的发射极e、基极b、T3 9014NPN三极管的集电极c、发射极e、R3、接地构成电流回路，T1 TIP42C PNP的基极b为低电平。
2024-07-04 10:12:10
510
原创 南京观海微电子----运放的偏置电流对运放电路产生什么影响
我们也可以换一种方式来分析以上现象，对于以上偏置电流产生的VOUT误差，可以这样来定量分析，当忽略运放的偏置电流时，即不考虑Ib1时，I1=I2. A点电压VA=VIN,当不忽略运放的偏置电流时，I1=I2+Ib1，此时还是VA=VIN，即A点的电压不变，说明流经R1的电流即I2不变，根据I1=I2+Ib1，可得出结论，不忽略偏置电流时，这个多出来的Ib1是完全通过增加流过R2上的电流I1来达到的。因理想运放输入端是虚断状态，根据基尔霍夫电流定律，可得出 I1=I2+Ib1--式1,
2024-06-29 14:40:18
308
原创 南京观海微电子---MOS栅极-源极的下拉电阻作用
GS之间有一层绝缘体，也就是二氧化硅（SiO2），因此G-S之间就是高阻抗（几十到几百兆不等），一旦驱动异常，它可能会通过米勒电容的电流给G-S充电，小电流高阻抗可能对应着高电压，栅极电压被充电，当超过门槛电压“Vgs(th)”，就会导致MOSFET重新开通，这是十分危险的情况。当MOSFET关断时，米勒电容的存在，会使MOS管的Vds产生一个电压从接近0（饱和压降）到母线的变化过程，这个电压变化率就是“dv/dt”，然而电容就是电压变化发生作用的器件，电压在电容两端变化，即产生电流“i”。
2024-06-29 14:38:39
193
原创 南京观海微电子----N沟道vs P沟道MOSFET
当我们在栅极端施加正电压时，静电作用会吸引少数载流子，即p型区的自由电子，从而形成静电负杂质离子。如果你使用的是3.3V的电路板，确保你使用的MOSFET与3.3V开关兼容。当在漏极和源之间施加电压时，电流在它们之间自由流动，栅极电压控制通道中的电子。，电源连接到一个正电压，当栅极上的电压降到某个阈值（Vgs 0）以下时，FET就会导通。这意味着，如果你想用一个P沟道MOSFET开关高于5V的电压，你需要另一个晶体管（某种类型）来打开和关闭它。在更高的负载下，P沟道MOSFET会比N沟道MOSFET更热。
2024-06-18 09:49:42
903
原创 南京观海微电子-----PCB设计怎样降低EMI
现在，直到源极的EMI耦合到相邻的电路或设备(受害者)之前，它的危险性(有时)才变得如此危险，因此，通过消除/最小化潜在的耦合路径，通常可以降低EMI。根据麦克斯韦方程，这种交流电和电压会产生交变电磁场，尽管该场的大小会随着距离的增加而减小，但它会与导电部件(如PCB上的铜走线)相互作用，它们就像天线一样，在线路上产生额外的噪声，导致EMI。辐射EMI与电流(I)的大小和流过的环路面积(A)成正比，因此，通过减小电流/电压的面积，我们可以降低辐射EMI的水平。它们通常位于电源的输入和/或输出处。
2024-06-14 10:03:50
917
原创 南京观海微电子---DC 电源输入防反接保护电路总结
但是此电路有关缺点就是，二极管占用一定压降，如果电路中电流过大会导致二极管耗电过多，导致二极管发热量大。当然可以选用低压降的二极管，比如肖特基二极管，可以减少一部分压降，但是这个问题并没有根本解决，随着负载电路电流的增加，二极管消耗的功率也就越多。电源电压接入正确时，由于MOS管中的寄生二极管的存在，从而使得MOS管的Vgs电压为输入电压减去寄生二极管压降电压0.7V，这个电压是大于MOS开关导通的阈值电压，从而使MOS管导通，导通后相当于寄生二极管被MOS管导通短路，从而可以通过更大的电流。
2024-06-14 10:02:37
367
原创 南京观海微电子-----555函数信号发生器电路分析
三角波再经低通滤波器转换成正弦波，其原理为：根据傅立叶变换，将三角波展开为傅立叶级数可知，它含有基波和3次、5次等奇次谐波，因此通过低通滤波器取出基波，滤除高次谐波，即可将三角波转换成正弦波。电路框图如下方左图所示。输入电压和输出电压的波形如下方右图所示，uO的频率等于uI基波的频率。当555多谐振荡器输出高电平时，C3通过R3开始充电，C3的充电电压增加。当555多谐振荡器输出变成低电平时，C3通过R3放电，C3上的电压降低。555多谐振荡器输出方波后，经电容C1耦合到由R3，C3组成的积分网络。
2024-06-05 15:02:13
236
原创 南京观海微电子----焊机用DC-DC 24V 升压电路分析
当负载变化时，电路的输出电压、电流都将发生变化，此时，输出电压经R24、R23分压给芯片2脚1个的电压信号以及3脚的电平值（输出电流在R28而形成的压降）也随之改变，从而使芯片内部的电流比较器输出值也发生改变，从而改变6脚的输出脉宽。如果输出电流过大，芯片3脚电压大于1V时，关闭输出，从而保护了功率开关管。当3脚上的电压消失后，芯片又继续工作。UC3843是脉宽调制IC，工作频率可达500kHz，组成电路引脚少、外围元件简单，启动电流仅需1mA，开启电压8.5V，是驱动功率MOSFET的理想器件。
2024-06-05 14:59:05
646
原创 南京观海微电子---简单驱动电路设计用NMOS防反接，性价比比较高？
再者，MOS管是电压型器件，电流消耗比较小，开关频率也比较低，几乎不存在EMI问题。当源极电压低于漏极电压时，输入电压（VIN）会低于系统电压，MOS管驱动关断，体二极管提供了防反保护功能，防止了电容电流回流。不过，NMOS的防反结构，它的电源地和负载地是分开的，而这种结构在汽车电子产品设计中很少使用。如果源极电压超过漏极电压，输入电压超过系统电压，MOS管驱动导通，可以避免体二极管导通影响电路效率。当输入电压叠加到100kHz，峰值为2V时，输入电压和源极电压一致，系统电压与漏极电压一致。
2024-06-01 10:37:44
306
原创 南京观海微电子---多图解析开关电源中一切缓冲吸收电路
基本拓扑电路上一般没有吸收缓冲电路，实际电路上一般有吸收缓冲电路，吸收与缓冲是工程需要，不是拓扑需要。吸收与缓冲的功效：防止器件损坏，吸收防止电压击穿，缓冲防止电流击穿使功率器件远离危险工作区，从而提高可靠性降低(开关)器件损耗，或者实现某种程度的关软开降低di/dt和dv/dt，降低振铃，改善EMI品质提高效率(提高效率是可能的，但弄不好也可能降低效率)也就是说，防止器件损坏只是吸收与缓冲的功效之一，其他功效也是很有价值的。
2024-06-01 10:35:22
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原创 南京观海微电子---2种 电流检测中的高低边采样电阻和共模抑制比问题
自己搭建运放电路：（这种对电阻的精度要求较高，对称电路中电阻的一致性，为了减小共模抑制比）一种是用封装好的电流检测芯片+采样电阻；另一种是自己搭建运放电路。
2024-05-26 15:54:23
194
原创 南京观海微电子----升压和降压模块电路解析
1. 如果是交流电压升压，那非常简单，只要选择变比合适的变压器就行(1:3和1:4.17);2. 如果是直流电压升压，从12v升到36v也很容易，可选择用的开关稳压器很多，例如:Cs5171.Cs5172.Cs5173.Cs5174.Mc33063.MC33163等，一般升压上限可以到40v。
2024-05-26 15:52:14
710
原创 南京观海微电子-----二极管的特性、性质和作用讲解
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能特性(具有正向特性和反向特性)，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。
2024-05-17 14:47:06
372
原创 南京观海微-----2种运算放大器比例放大电路方案
显然，电阻R2加上电阻R3的阻值，是要大于电阻R2阻值的，也就是(R2 + R3) / R2的值是要大于1的。从这个层面讲，Vout是要大于Vin，运算放大器输出的电压是超过了输入的电压，所以这个电路就实现了放大的功能。就比例放大电路而言，正相的意思，就是运算放大器输出的电压与输入的电压是成正比例的；同理，负相的意思，就是运算放大器输出的电压与输入的电压也是成正比例关系的，只是多了一个负号。它既是电阻R2两端的电压，也是运算放大器负相输入引脚的电压，这个电压在数值上，它是等于运算放大器正相输入引脚的电压。
2024-05-17 14:45:09
444
原创 南京观海微电子----开关电流与输入输出电流的关系
BOOST 结构简单原理图见图 1，工作时各点的电压电流波形见图 2。不考虑上电时的情形，仅考虑稳定工作时，情况如下：当开关管 Q 导通时（开关管电压为 0），电感 L 相当于一端接 VIN，另一端通过开关管接到 GND。此时，VIN 给电 感充电（电感电压左正右负），电感电流上升，由于开关管串联在回路中，故此段时间，开关管 Q 电流等于电感 L 电流， 同时此过程续流二极管 D 反偏，故二极管上无电流。
2024-05-12 12:30:22
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原创 南京观海微电子---电源，从微观角度观看电功率是怎么产生
从微观角度看看无功功率是怎么产生的，在此之前，我们得先知道引起无功功率的元器件是储能器件，主要是电感和电容。首先，在宏观上，我们知道电感能导致电压超前电流90°，可从如下公式推出：由此可以得两边积分得推出同理可推出电容会使电压滞后电流90°：推出所以，对于电感或电容负载其视在功率为：而有功功率：所以无功功率：以上是在宏观角度推算出电感和电容导致电压与电流“方
2024-05-06 09:53:35
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原创 南京观海微电子---高速MOS驱动电路设计和应用指南
自举电容CBST，一个有两极的推拉输出电路的驱动器和普通的栅极电阻就是自举解决方案的变动的以源极为参考的部分。这个特殊的器件可以很有效的运用到12到大约24伏的运用没有变动的驱动的简单的低功耗的PWM控制器的系统中。这个是有益的，因为芯片的额定电压不限制输入的电压的大小。这些高电压集成电路是由它们独特的电平位移设计来区分的，为了维持高效率和可控的能耗，这些电平位移器在主开关导通期间不应该分走任何电流，即使1mA的电流作用在电平位移晶体管上，就有可能在驱动集成电路上消耗0.5W的功率。
2024-04-26 09:38:05
503
原创 南京观海微电子---MOS型（NMOS和PMOS）LDO应用原理
相比NMOS型LDO ，由于NMOS的源极和门极之间的导通门限，它的输入与输出之间的压差必须要大于这个导通门限，这个压差是很大的。NMOS型LDO它采用了一对电阻来采样输出电压，并将其输送到误差放大器的输入端，与一个基准进行比较，然后在误差放大器中进行放大，最后产生一个电压信号来控制NMOS的门极。一般工作在线性区域的晶体管，可以把它当作是一个压控电流源，去控制电路并连续检测输出电压，然后根据负载的需求，进行调节电流源，确保输出电压能够保持在期望的数值。因此，静态电流成为了NMOS型LDO最大的一个优势。
2024-04-26 09:36:00
928
原创 南京观海微电子---常用的控制电路
当吸引线圈断电时，电磁吸力消失，衔铁在复开，使常开触头闭合，位弹簧作用下释放，所有触头随之复位，接触器处于失电状态。交流接触器，控制方式，其实是非常简单的，上面是常开，常闭触点，然后下面的一个线圈。对于这个接触器就是，本来常开的变成了常闭，不对，应该说本来吸着的两片铜片，现在，分开了……输入输出端采用光电隔离的方法，也是可以消除共模干扰，同时在保护继电器的的输出端并接压敏电阻，有效的提高了继电器的寿命，也降低了由于外部接触器动作对内部的干扰。接触器，其实就是个大电流开关，全名应该叫做交流接触器，
2024-04-16 10:06:22
281
原创 南京观海微电子---外电路和内电路的区别和联系、应用和优缺点
但是在开路状态下，外电路中没有电流通过，所以外电路的阻抗不起作用，只有内电路的内阻起作用，所以电源两端的电势差就是电动势。当外电路的电阻增大时，外电路的电流减小，内电路的内阻也减小，电动势也减小。当外电路的电阻减小时，外电路的电流增大，内电路的内阻也增大，电动势也增大。举个例子，如果我们用一节干电池和一个小灯泡组成一个简单的回路，那么从干电池的正极出发，经过导线和小灯泡，再回到干电池的负极，这一部分就是外电路。的关系，即U=IR，其中U是原电池的电动势，I是外电路的电流，R是内外电路的总电阻。
2024-04-16 10:00:37
477
原创 南京观海微电子---二极管钳位电路
在选择电阻器和电容器时，您必须注意电容器的放电时间，因为它会保持波形的时间段。它必须比时间段的一半大得多，以便电容器放电缓慢。电解电容器不应用于钳位电路，因为它们的充电和放电速度很慢。放电时间（）可以使用以下公式计算：其中R是电路中使用的电阻，C是电容器的电容。基于夹紧的夹紧电路主要有三种类型：正向钳位器负钳位器偏置夹紧器。
2024-04-14 13:41:59
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原创 南京观海微电子----快速判断出三极管的好坏
把表笔负极放在基极B，表笔正极分别放在集电极C，发射极E，会有大概0.7V左右的压降。这样我们还可以确定三个脚。当然负极脚就是三极管的基极B，另外两个极对基极B正向不通的为集电极C，有大概1.4V左右的为发射极E。把表笔正极放在基极B，表笔负极分别放在集电极C，发射极E，会有大概0.7V左右的压降。当然正极脚就是三极管的基极B，另外两个对基极B反向不通的为集电极C，有大概1.6V左右的为发射极E。可以把NPN管看着两个二极管，当然PNP管也是两个二极管，这样我们可以用测量二极管的方法来测量三极管。
2024-04-14 13:39:55
218
原创 南京观海微电子---Vitis HLS中数据类型定义——Vitis HLS教程
Q为低位部分的量化模式；图中结果可以明显看出，采用任意精度的解决方案（s2_ap）生成的RTL比C语言默认的数据类型解决方案（s1_native）生成的RTL时钟可以运行在更高的频率上、系统周期延迟也显著的降低、资源使用总数也显著的降低。由于1.25对应的二进制形式为0101（蓝色为整数部分，绿色为小数部分），但ap_[u]fixed<3,2>的定义相当于取了1.25的2bit整数部分，1bit的小数部分，即最终数据为010，即代表数据1。
2024-04-07 10:47:14
327
原创 南京观海微电子---Vitis HLS设计流程（实例演示）——Vitis HLS教程
（5）由于在Vitis HLS 2021.1版本中，建立新工程（solution1）时即便没有添加directives，HLS会给solution默认添加“HLS PIPELINE”指令。新的Solution命名为“solution2”，同时我们勾选“Copy directives and constraints from solution: solution1”选项，即solution2拷贝了solution1原有的directives指令（该示例中，solution1的directives指令为空）。
2024-04-07 10:46:11
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原创 南京观海微电子---Vitis HLS设计流程介绍——Vitis HLS教程
传统的FPGA RTL设计流程主要是采用VHDL、VerilogHDL或System Verilog进行工程的开发，同时也是通过硬件描述语言来编写测试案例（Test Bench）对开发的工程进行仿真验证。Vitis HLS提供很方便的工具让开发员创建不同的Solutions，开发员通过对比有着不同directives的Solutions综合出来的结果，来迭代和优化自己的设计。采用基于C语言的设计流程，开发人员直接使用C/C++语言来描述算法以及Test Bench，执行C的仿真来验证设计的正确性。
2024-03-28 14:06:03
1101
原创 南京观海微电子---Vitis HLS的工作机制——Vitis HLS教程
C1状态到C3状态会重复执行3次，其中C1状态产生地址、读取数组in的值并存储到x中，同时C1状态会控制一个累加器来判断自己需要迭代重复几次C1~C3的流程。由图中可以看到，Scheduling阶段，该运算流程被分为2个时钟周期完成，第一个时钟周期完成乘加操作，第二个时钟周期完成第二次加法操作。调度（Scheduling），调度主要完成的任务是判定每个时钟周期要完成哪些操作、每个操作又需要多少个时期周期来完成、以及调度等工作。捆绑映射（Binding），判定每个操作需要是什么资源来实验，完成资源的过程。
2024-03-28 14:03:44
1002
原创 南京观海微电子---初识PCIe协议——PCIe接口专栏(一)
例如，将一个PCIe x1卡插入PCIe x16插槽中，系统会将该卡的带宽限制为PCIe x1的速度。例如，一个PCIe x16插槽通常可以容纳任何较小的PCIe卡，如PCIe x8、PCIe x4或PCIe x1。PCIe具有向下兼容的特性，这意味着较新版本的PCIe插槽和设备可以与较旧版本的PCIe插槽和设备进行互操作。PCIe插槽还需要向下兼容供电。较新的PCIe插槽可以为较旧版本的PCIe卡提供适当的电源。桥接器可以将PCI设备的请求转换为PCIe x1规范的请求，并连接到计算机PCIe插槽上。
2024-03-22 15:25:17
1027
原创 南京观海微电子---MIG IP核的使用——DDR接口专栏（二）
注意，可能有用户发现文章弹出的界面和自己的MIG IP核设置界面不太一样，这个是由于工程选用了不同的FPGA器件，不同的FPGA器件使用的MIG IP是有细微不同，比如我们这个IP核名称后面显示是MIG 7 Series，即该MIG IP是专门用于Xilinx 7系列FPGA的。比如上面选择的DDR颗粒带宽为1600MT/s，则一定要选择速度等级支持大于等于1600MT的FPGA器件，这样才能发挥该DDR颗粒的最大带宽效率。在使用MIG IP核前，我们需要了解待读写的DDR存储颗粒的型号。
2024-03-22 15:23:24
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原创 南京观海微电子---快速上手DDR读写例程——DDR接口专栏（三）
当app_en使能时，如果该信号无效，则app_cmd、app_addr必须保持，等待app_rdy信号有效时再释放；app_rd_data_end：高有效，指示当前app_rd_data为最后一个数据，该信号仅当app_rd_data_valid为高时有效；蓝色框为写具体的DDR数据操作，由于app_wdf_rdy一直为高，因此UI接口上一次性将8个数据都写入到DDR IP核的数据缓存FIFO中。app_en：高有效，使能app_cmd、app_addr、app_sz和app_hi_pri信号；
2024-03-12 10:49:03
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观海微GH8555BL-01 Driver IC Data Sheet
2022-12-30
空空如也
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