集成电路半导体疑题分享

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已于 2022-07-30 00:28:45 修改

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文章标签：集成学习

于 2022-07-30 00:28:36 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_72668770/article/details/126026038

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1、纯净半导体温度升高导致电阻率降低的原因：

A：T升高，由于本征激发使价电子获得能量激发成为导电电子，也就是使共价键中电子挣脱共价键束缚成为自由电子，因此电导率上升，电阻率为电导率的倒数，电导率 $\sigma = nq\mu n+pq\mu p$ ，T升高，导电电子增多，n增大，迁移率下降，但是 $\mu$ 下降的速率没有n增长的快，因此n增大，电阻率降低。

2、金刚石结构各向异性小结：

晶面晶向	面间距	原子面密度	晶面间作用于每个原子的共价键数目	共价键面密度	原子线密度
1 0 0	$\frac{a}{4}$	$\frac{2}{a^{2}}$	2	$\frac{4}{a^{^{2}}}$	$\frac{1}{a}$
1 1 0	$\frac{\sqrt{2}a}{4}$	$\frac{4}{\sqrt{2}a^{^{2}}}$	1	$\frac{4}{\sqrt{2}a^{^{2}}}$	$\frac{\sqrt{2}}{a}$
1 1 1	$\frac{\sqrt{3}a}{4}$	$\frac{4\sqrt{3}}{3a^{2}}$	1	$\frac{4\sqrt{3}}{3a^{2}}$	$\frac{2\sqrt{3}}{3a}$
1 1 1	$\frac{\sqrt{3}a}{12}$	$\frac{8\sqrt{3}}{3a^{2}}$	3	$\frac{4\sqrt{3}}{a^{2}}$	$\frac{2\sqrt{3}}{3a}$

①晶面之间的共价键密度以{1 1 1}面的相邻双原子面之间最小，而相邻原子面间距最大，所以相邻原子之间最不牢固，在外力作用下Ge、Si易沿{1 1 1}面裂开，称为解理面。

②按{1 1 1}双原子面内 $\rightarrow$ {1 0 0}面间 $\rightarrow$ {1 1 0}面，共价键面密度递减，面间距增加，因此化学腐蚀速度{1 1 1}面最慢，{1 0 0}中等，{1 1 0}最快。

3、化学键总结：

①闪锌矿结构是由_2种不同原子_组成，晶胞中共有_8_个原子。
②价电子在两个原子之间的完全转移会形成_离子键_，例如_Nacl_。
③价电子在两种不同原子间的部分共有和部分转移会形成_混合键_，例如_GaAs_。
④价电子在同一种原子之间的共有会形成_共价键_，例如_C、Si_。
⑤价电子为晶体中所有原子共有会形成_金属键_，例如_Au、Ag、Al、Cu、Fe_。

5、如何理解能级分裂成能带，从共有化运动角度考虑。

答：当原子互相靠近形成晶体时，由于核外电子波函数的交叠，电子不再属于某一个固定原子，从而做共有化运动，电子在共有化运动作用下，波函数交叠，加之泡利不相容原理限制，将会从固定的能级分裂成能量间距非常大的能级，这些能级将组成能带。

6、导带满带不导电，那根据电导率公式 $\sigma = nq\mu n+pq\mu p$ ，电子越多导电能力越强怎么解释？

答：前提是能带未满的情况下，导带电子越多，导电能力越强。

7、如果不施加外界条件（不提供能量）的话，导带上会有电子吗？价带上会有空穴吗？价带上的电子跃迁到导带上必须提供能量吗？

答：根据能量最低理论，当热力学温度为0K时，半导体物理理论认为，纯净半导体的价带都是满的，导带都是空的。电子跃迁必须施加外力来提供能量，如热激发（本征激发）或光照（产生非平衡载流子）。

8、推导能带中量子态k的取值方式。

答：一维晶体，使用波恩卡曼循环边界条件 $\varphi k(x)= \varphi k(L)$ , $L= Na$ 和布洛赫波函数 $\varphi k(x)=uk(x)e^{ikx}$ , $uk(x)= uk(x+sa)$ 。

取x=0，分别有 $\varphi k(0)= \varphi k(L)=uk(L)e^{ikL}$

$\varphi k(0)=uk(0)e^{ik0}=uk(0)$

所以有， $e^{ikL}=1$ ,根据欧拉公式得到 $k=\frac{2\prod }{L}$ 。

推广到三维有 $kx=\frac{2nx\prod }{L}$

$ky=\frac{2ny\prod }{L}$

$kz=\frac{2nz\prod }{L}$

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1、纯净半导体温度升高导致电阻率降低的原因：A：T升高，由于本征激发使价电子获得能量激发成为导电电子，也就是使共价键中电子挣脱共价键束缚成为自由电子，因此电导率上升，电阻率为电导率的倒数，电导率，T升高，导电电子增多，n增大，迁移率下降，但是下降的速率没有n增长的快，因此n增大，电阻率降低。2、金刚石结构各向异性小结：①晶面之间的共价键密度以{1 1 1}面的相邻双原子面之间最小，而相邻原子面间距最大，所以相邻原子之间最不牢固，在外力作用下Ge、Si易沿{1 1 1}面裂开，称为解理面。②按{1 1 1}双
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