1、纯净半导体温度升高导致电阻率降低的原因:
A:T升高,由于本征激发使价电子获得能量激发成为导电电子,也就是使共价键中电子挣脱共价键束缚成为自由电子,因此电导率上升,电阻率为电导率的倒数,电导率,T升高,导电电子增多,n增大,迁移率下降,但是
下降的速率没有n增长的快,因此n增大,电阻率降低。
2、金刚石结构各向异性小结:
晶面晶向 | 面间距 | 原子面密度 | 晶面间作用于每个原子的共价键数目 | 共价键面密度 | 原子线密度 |
1 0 0 | 2 | ||||
1 1 0 | 1 | ||||
1 1 1 | 1 | ||||
1 1 1 | 3 | |
①晶面之间的共价键密度以{1 1 1}面的相邻双原子面之间最小,而相邻原子面间距最大,所以相邻原子之间最不牢固,在外力作用下Ge、Si易沿{1 1 1}面裂开,称为解理面。
②按{1 1 1}双原子面内{1 0 0}面间
{1 1 0}面,共价键面密度递减,面间距增加,因此化学腐蚀速度{1 1 1}面最慢,{1 0 0}中等,{1 1 0}最快。
3、化学键总结:
①闪锌矿结构是由_2种不同原子_组成,晶胞中共有_8_个原子。
②价电子在两个原子之间的完全转移会形成_离子键_,例如_Nacl_。
③价电子在两种不同原子间的部分共有和部分转移会形成_混合键_,例如_GaAs_。
④价电子在同一种原子之间的共有会形成_共价键_,例如_C、Si_。
⑤价电子为晶体中所有原子共有会形成_金属键_,例如_Au、Ag、Al、Cu、Fe_。
5、如何理解能级分裂成能带,从共有化运动角度考虑。
答:当原子互相靠近形成晶体时,由于核外电子波函数的交叠,电子不再属于某一个固定原子,从而做共有化运动,电子在共有化运动作用下,波函数交叠,加之泡利不相容原理限制,将会从固定的能级分裂成能量间距非常大的能级,这些能级将组成能带。
6、导带满带不导电,那根据电导率公式,电子越多导电能力越强怎么解释?
答:前提是能带未满的情况下,导带电子越多,导电能力越强。
7、如果不施加外界条件(不提供能量)的话,导带上会有电子吗?价带上会有空穴吗?价带上的电子跃迁到导带上必须提供能量吗?
答:根据能量最低理论,当热力学温度为0K时,半导体物理理论认为,纯净半导体的价带都是满的,导带都是空的。电子跃迁必须施加外力来提供能量,如热激发(本征激发)或光照(产生非平衡载流子)。
8、推导能带中量子态k的取值方式。
答:一维晶体,使用波恩卡曼循环边界条件,
和布洛赫波函数
,
。
取x=0,分别有
所以有,,根据欧拉公式得到
。
推广到三维有