文章目录 半导体的特点 本征半导体 本征激发 杂质半导体 N型半导体（电子型） 电离 施主杂质： 多子 少子 P型半导体（空穴型） 电离 受主杂质： 多子 少子 杂质半导体的示意图 PN结 1、 PN 结中载流子的运动 （1） 扩散运动 （2）扩散运动形成空间电荷区—— PN 结，耗尽层。 （3）空间电荷区产生内电场 （4） 漂移运动 （5） 扩散与漂移的动态平衡 总结 2、PN结的单向导电性 （1）正向偏置：P“+”，N“-” 反向偏置：P“-”，N“+” 3. PN结的伏安特性 4. PN结的反向击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 半导体的特点 导电能力：介于导体和绝缘体之间 热敏性：温度会明显影响电导率 光敏性：光照会影响电导率，还可产生电动势 掺杂性：杂质会影响电导率 通过掺入杂质可明显改变半导体的电导率，（在30℃的纯锗中掺入一亿分之一的杂质，电导率增加几百倍） 本征半导体 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体材料。它在物理结构上呈单晶体形态。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 这外层的4个电子为了变成稳定的8电子结构会和其他的原子结合成稳固的共价键。 本征激发 本征激发（热激发）：受温度、光照等环境因素的影响
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