嵌入式硬件面试题整理（二）

1.什么是共模干扰、差模干扰？如何消除？

任何两根电源线或通信线上所存在的干扰，均可用共模干扰和差模干扰来表示：

        共模干扰在导线与地（机壳）之间传输，属于非对称性干扰，它定义为任何载流导体与参考地之间的不希望有的电位差；

        差模干扰在两导线之间传输，属于对称性干扰,它定义为任何两个载流导体之间的不希望有的电位差。

        在一般情况下，共模干扰幅度大、频率高，还可以通过导线产生辐射，所造成的干扰较大。差模干扰幅度小、频率低、所造成的干扰较小。

        1、差模干扰（Differential-mode Interference）定义为任何两个载流导体之间的不希望有的电位差。

        2、共摸干扰（Common- mode Interference）定义为任何载流导体与参考地之间的不希望有的电位差。

如何消除：

消除共模干扰

（1）采用屏蔽双绞线并有效接地

（2）布线时远离 高压线，更不能将高压电源线和信号线捆在一起走线

（3）采用 线性稳压电源或高品质的 开关电源(纹波干扰小于50mV)

（4）使用差分式电路

（5）在信号线或电源线中串联共模扼流圈、在地与导线之间并联电容器、组成LC滤波器进行滤波,滤去共模传导噪声。

（1）屏蔽和绝缘：使用屏蔽电缆或屏蔽盒，以阻止外部干扰信号进入信号线或电路。

（2）差分信号：使用差分信号传输，其中信号由两个相对的信号线组成，共模干扰信号会在两个线上产生相同的影响，从而在接收端可以被抵消。

（3）地线设计：优化地线和接地系统，以减小地线噪声和共模干扰。

（4）滤波器：使用共模电感来去除共模干扰信号，通常是在接收端或信号处理器中使用。

消除差模干扰：

（1）前提是减小共模干扰，不然共模干扰可能转化为差模干扰

（2）采用差模扼流圈。

2.常用二极管有哪些？

        二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管（如1N4001、M7等等）、稳压二极管、开关二极管（如1N4148）、肖特基二极管、发光二极管、光电二极管、激光二极管、变容二极管等等。

普通二极管：
1N4007（1N4000系列普通二极管）
主要参数：正向电流1A，反向耐压1000V。
应用场合：主要用于交流整流侧以及类似整流处

开关二极管
1N4148（1N4150、1N4448、1N4454、1N457、1N457、1N914、1N914A、1N916、1N916A）
主要参数：Vf 0.7V左右，反向耐压100V最大
应用场合：主要在直流测用于防反等用途

稳压二极管：1N47xx系列稳压二极管、1N52xx系列稳压二极管

快恢复二极管
RS1M（HERxxx系列快恢复二极管、MURxxx系列快恢复二极管）
主要参数：最大反向恢复时间100ns左右，反向耐压1000V，最后一位“M”代表反向耐压，根据场合可以选择,常用为J和M
应用场合：开关电源的尖峰吸收，辅助绕组得整流中，

超快恢复二极管
US1M
主要参数：最大反向恢复时间35ns左右，反向耐压1000V，最后一位“M”代表反向耐压，根据场合可以选择,常用为J和M
应用场合：与RS1M类似，效果比RS1M好，可以降低开关损耗

肖特基二极管
SS26 SS10
主要参数：正向导通压降0.5V左右，正向电流一般由数字第一位决定，第二位为反向耐压
应用场合：主要在需要小压降得普通电路中

3.常用的NPN三极管型号有哪些？

        常见的三极管型号有901X, 2SC945/2SA733、2SC1815/2SA1015\2N5401/2N551\S8550和8050三极管等型号，选用时应根据应用电路的具体要求而定。后级功率放大电路中使用的互补推挽对管，应选用大电流、大功率、低噪音晶体管，其耗散功率为100-200W。常用的大功率互补对管SC2922/2SA1216\2SC3280/2SA1301\2SC3281/2SA1302\2N3055/MJ2955等型号。

详细参考：三极管基础分类, 参数选择及常见型号对比_区分三极管csdn-CSDN博客

4.常用的MOS管型号有哪些？

5.常用的LDO（低压差线性稳压器）有哪些？

        压差就是指输入电压和输出电压之间的差值，假如我使用USB供电，并用LDO降压到3.3V，那么压差就是1.7V，

        LDO有一个重要参数——最低压差，意思就是从输入到输出，最小也得降低这么多电压，1117的最小压差通常在1.1V左右，如果我使用一节4.2V锂电池，希望使用1117降压到3.3V,那么是无法实现的，因为最小压差为1.1V，LDO最高也只能输出4.2-1.1=3.1V，同时，随着时间推进，电量减少，电池的电压不再是4.2V。输出的电压还会进一步降低。

最大输出电流是LDO的第二个重要参数，表示输出电压最高能输出多大的电流。

最大入电压是LDO的第三个重要参数，表示LDO输入端最大能抗住多大的电压。

噪声也是LDO的重要参数，但是过于深入，这里不做讲解

        ① AMS1117（SOT223）

        特点：最低压差大（1.1V），最大输出电流大（1A），最大输入耐压大（12V），噪声较大

        ②XC6206P332MR(sot23-3)        

        XC6206P332MR的典型型号（输出电压为3.3V）又被称为662K——因为其原件表面刻有662K字样。XC6206P332MR，标黄色部分用于区分其输出电压，332表示33x10²mV，即3300mV,亦即3.3V，依此：XC6206P282MR即表示输出为2.8V，XC6206P122MR即表示输出为1.2V。常用于对电源稳定性、电流大小要求都不高的场景，可以节约大量成本，十分适用于仅为单片机供电，没有其他设备需要3.3V供电的电路。

        XC6206PxxxMR特点：最低压差小（250mV），最大输出电流最小（200mA），最大输入耐压小（6V），噪声较大，体积最小，外围电路简单。

        ③XC6219B332MR(sot23-5)

        命名部分也是332区分电压。该元器件封装尺寸在上一实例的基础上加了两个引脚，其余部分相同（但是引脚位置不同，注意区分）。

        图中NC脚什么都不接，空着。CE脚通常接高电平（一般直接接到输入端），接高电平的情况下，输出端持续输出电压，CE脚也可以接开关或者单片机的控制引脚，当CE脚为低电平时，Vout（5脚）无输出，当CE脚为高电平时，Vout（5脚）脚输出输出电压。

         XC6219B332MR在662K的基础上提升了电源稳定性，增加了输出电流的最大值，在给单片机供电的同时还能给其他元器件供电，例如：单片机+ch340串口芯片+12864显示屏+两三个温湿度传感器，是较为理想的单片机电路供电LDO。

        XC6219BxxxMR特点：最低压差小（200mV），最大输出电流中等（450mA），最大输入耐压小（6V），噪声较小，体积小，外围电路简单。

        ④ME6213C33M(sot23-5)
        该器件与上一实例基本一致，引脚位置也完全相同，在要求不严谨的情况下，可以彼此拆除替换。像这样的封装尺寸、引脚相同的LDO有很多，还有RT9193之类，这里不一一指出。参数上存在细微差别，具体参考其数据手册。ME6213C33M，标注黄色部分为其电压参数，这一型号为3.3V。

        ME6213CxxM特点：最低压差小（250mV），最大输出电流中等（420mA），最大输入耐压小（6.5V），噪声较小，体积小，外围电路简单。

常用LDO

名称	输入	输出	压差	特点
AMS1117-3.3	4.5-12V，接100uF电解、104滤波	3.3V 0.8A，接100uF电解、104滤波	最小1.1V	大功率大压差大噪声
XC6206P332MR （662K）	1.8-6V，接106滤波	3.3V 200mA，接106滤波	250mV	输入小输出小体积小
XC6219B332MR （A226）	2-6V，接106滤波	3.3V 240mA，接106滤波	200mV	压差小 输出中 噪声小
ME6213C33M	3.3-6V	3.3V 350mA	250mV	压差小 输出中 噪声小
RT9193-33GB	2.5-5.5V不得超过6V，接106滤波	3.3V 0.3A，接106、104滤波	220mV	低压差 低噪声

5.常用的DCDC有哪些？

LM2596S

MP1584EN

TPS5430

6.三种典型的ESD模型。

人体模型（HBM）、机器模型（MM）、带电器件模型（CDM）

1、人体模型 (Human Body Model, HBM)
这个模型模拟了当人体携带静电并突然放电到设备上的情景。它通常涉及一个100pF的电容，通过一个电阻（通常是1.5kΩ）迅速放电到设备的引脚上，用来评估电子元件或系统的静电防护能力。

2、机器模型 (Machine Model, MM)
机器模型代表了设备在自动化生产或处理过程中，由于接触分离而产生的静电放电。相比HBM，MM放电电流通常更大，因为其等效电路中没有串联电阻或电阻值很小（可以视为直流通路），并且电容值较大，导致放电峰值电流可达几百安培，持续时间为几百纳秒。

3、充电器件模型 (Charged Device Model, CDM)
此模型模拟了带有静电电荷的器件自身在接触导体或接地时发生的放电现象。CDM放电通常具有非常快的上升时间和高电流密度，对半导体器件的内部结构构成严峻挑战，尤其是对那些超大规模集成电路(VLSI)和先进的半导体技术。

特点

1、人体模型放电
人体模型放电是一种常用的静电放电测试模型，用来模拟人体接触电子设备时可能产生的静电放电现象。HBM放电的典型参数大致如下：

        1）峰值电压：通常在几千到数万伏特，具体数值取决于起始条件，但常见的测试水平为2kV至15kV。

        2）峰值电流：HBM放电的峰值电流一般小于0.7A，常见参考值大约是0.6A至0.8A，具体取决于放电电压和其他测试条件。

        3）放电时间：约为150ns至300ns，150ns是较为典型的放电时间。

2、机器模型放电
它主要用于模拟带有塑料外壳的自动化设备或生产线上工具接触电子器件时可能发生的静电释放情况。MM放电的一些典型参数包括：
        1）峰值电流：机器模型放电的峰值电流通常小于8A，

        2）放电时间：MM放电的时间非常短，一般在5ns左右，这比HBM的放电时间要短得多，模拟了快速放电的情形。

        3）峰值电压：机器模型放电的峰值电压并不是一个固定值，因为它可以根据具体的测试设置变化，但一般来说，机器模型测试的电压水平相比人体模型（HBM）会有所降低。在实际应用中，MM测试的电压范围可能从几百伏特到几千伏特不等，具体取决于所依据的标准和被测设备的要求。然而，具体到峰值电压的确切数值，常见的测试等级可能包括200V、400V、600V等，这取决于不同的测试标准和产品耐受性评估。值得注意的是，尽管峰值电压是理解静电放电效应的一个重要参数，但在MM中，更强调的是其高电流和短时间的特点，这些因素往往对电子元件构成更大的威胁。因此，在设计防护措施时，除了考虑电压水平外，还需特别注意电流承载能力和响应速度。

3、充电器件模型放电
它专门用于评估半导体器件在制造、处理或组装过程中因自身带电而发生的放电现象。与人体模型不同，CDM更关注器件内部的脆弱性，特别是在现代高集成度和小型化芯片中。CDM放电的特点包括：

        1）峰值电压：CDM放电的峰值电压范围大致在250V到几千伏特不等，具体数值依据测试标准（如ANSI/ESD STM5.3.1）和被测器件的特性。例如，STM5.3.1标准中的测试电压可选范围是250V至1000V，增量通常为100V。

        2）峰值电流：CDM放电可以产生非常高的峰值电流，通常在几千安培（A）的量级，有的情况下甚至更高，例如10kA至20kA。这是由于放电时间极短，导致电流密度极大。

        3）放电时间：CDM放电事件的持续时间非常短暂，一般在纳秒(ns)范围内，常见的放电时间约为5ns至20ns，这要求保护措施必须具有极高的响应速度。

        4）电容值：在CDM测试设置中，器件自身的电容是关键参数之一，它决定了放电能量的大小。典型测试中使用的电容值可能在10pF至200pF之间，具体取决于被测器件的实际情况

7.晶体管基本放大电路共射、共集、共基三种基本放大电路的特点 

        共射：共射放大电路具有放大电流和电压的作用，输入电阻大小居中，输出电阻较大，频带较窄，适用于一般放大。

        共集：共集放大电路只有电流放大作用，输入电阻高，输出电阻低，具有电压跟随的特点，常做多级放大电路的输入级和输出级。

        共基：共基电路只有电压放大作用，输入电阻小，输出电阻和电压放大倍数与共射电路相当，高频特性好，适用于宽频带放大电路。

8.多级放大电路的级间耦合方式有哪几种？哪种耦合方式的电路零点偏移最严重？哪种耦合方式可以实现阻抗变换？

        有三种耦合方式：直接耦合、阻容耦合、变压器耦合。直接耦合的电路零点漂移最严重，变压器耦合的电路可以实现阻抗变换。

9.耦合、去耦、旁路、滤波。

        耦合：两个本来分开的电路之间或一个电路的两个本来相互分开的部分之间的交链。可使能量从一个电路传送到另一个电路，或由电路的一个部分传送到另一部分。

        去耦：阻止从一电路交换或反馈能量到另一电路，防止发生不可预测的反馈，影响下一级放大器或其它电路正常工作。

        旁路：将混有高频信号和低频信号的信号中的高频成分通过电子元器件（滤高频通常是电容 ）过滤掉，只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入。

        滤波：滤波是将信号中特定波段频率滤除的操作，是抑制和防止干扰的一项重要措施。

10.竞争与冒险？

        逻辑电路中，由于门的输入信号经过不同的延时，到达门的时间不一致，这种情况叫竞争。由于竞争而导致输出产生毛刺 （瞬间错误），这一现象叫冒险。

11.无源滤波器和有源滤波器

        无源滤波器由无源器件R、L、C组成，将其设计为某频率下极低阻抗，对相应频率谐波电流进行分流，其行为模式为提供被动式谐波电流旁路通道。无源滤波器可分为两大类：调谐滤波器和高通滤波器。无源滤波器结构简单、成本低廉、运行可靠性高，是应用广泛的被动式谐波治理方案。

        有源滤波器由有源器件（如集成运放）和R、C组成，不用电感L、体积小、重量轻。有源滤波器实际上是一种具有特定频率响应的放大器。集成运放的开环电压增益和输入阻抗很高，输出电阻很小，构成有源滤波电路后有一定的电压放大和缓冲作用。集成运放带宽有限，所以有源滤波器的工作频率做不高。

12.锁相环PLL (Phase-Locked Loop)

       它是一种硬件电路， 在数字信号处理和通信系统中广泛应用。其通过将输出信号与参考信号进行比较和调整，使得输出信号的相位和频率与参考信号保持一致。

        由鉴相器（PD又称相位比较器）、环路滤波器（LF）、压控振荡器（VCO）、分频器几部分组成。

        

        当输入信号和VCO的输出信号相位不匹配时，相位比较器会产生一个控制信号，驱动VCO调整其频率。随着VCO频率的调整，输出信号的相位逐渐与输入信号同步。一旦达到锁定状态，VCO的输出信号与输入信号保持相位和频率的一致性。

13.RS-232C标准的逻辑0和逻辑1电压范围

        RS-232C 电气标准是负逻辑，逻辑0的电压范围是+5V~ +15V，逻辑1的电压范围是-5V ~ -15V。-5V~+5V为不稳定区。

14.常用差分平衡电平接口。

        RS422、RS485、RJ45、CAN、USB、LVDS。

15.电磁干扰的三要素？

         电磁干扰源→→干扰传播路径→→干扰敏感设备

        所有电磁干扰都是由上述三个因素的组合而产生的，由电磁骚扰源发出的电磁能量，经过某种耦合通道传输到敏感设备，导致敏感设备出现某种形式的响应并产生效果。这一作用过程及其效果，称为电磁干扰效应。

        最为经济和有效的措施就是切断耦合通道。（骚扰的耦合通道有两条：1.通过空间辐射；2.通过导线传导）

16.串扰和振铃

         串扰：串扰是指一个信号被其它信号干扰，作用原理是电磁场耦合。信号线之间的互感和互容会引起线上的噪声。容性耦合引发耦合电流，而感性耦合引发耦合电压。

        振铃：是因为信号线本身阻抗不匹配导致信号发生反射和叠加，从而使信号出现了振荡波形。

17.需要控制单端阻抗为50欧姆、75欧姆的信？需要控制差分阻抗为90欧姆、100欧姆、120 欧姆的信号？

        一般的高频信号线均为50欧姆~60欧姆。75欧姆主要是视频信号线。USB信号线差分阻抗为90欧姆，以太网差分信号线差分阻抗为100欧姆。RS422、RS485、CAN 差分信号的差分阻抗为120欧姆。

18.差分线走线等长优先还是等距优先？

        应该等长优先，差分信号是以信号的上升沿和下降沿的交点作为信号变化点的，走线不等长的话会使这个交点偏移，对信号的时序影响较大，另外还给差分信号中引入了共模的成分，降低信号的质量，增加了EMI。小范围的不等距对差分信号影响并不是很大，间距不一致虽然会导致差分阻抗发生变化，但因为差分对之间的耦合本身就不显著，所以阻抗变化范围也是很小的，通常在10%以内，只相当于一个过孔造成的反射，这对信号传输不会造成明显的影响。由于差分信号频率都是几十M或者几百M，所以在走线过程中，尽量以少转折，少打孔为优，差分信号每换一次层面（即打一个孔）则相当于跨一次切割，所以要严格控制过孔数目。

        等长：等长是指两条线的长度要尽量一样长，是为了保证两个差分信号时刻保持相反极性，减少共模分量。

        等宽等距：等宽是指两条信号的走线宽度需要保持一致，等距是指两条线之间的间距要保持不变，保持平行

19.为什么高频信号线的参考地平面要连续（即高频信号线不能跨岛）？

        参考地平面给高频信号线提供信号返回路径，返回路劲最好紧贴信号线，最小化电流环路的面积，这样有利于降低辐射、 提高信号完整性。如果参考地平面不连续，则信号会自己寻找最小路径，这个返回路径可能和其他信号回路叠加，导致互相干扰。而且高频信号跨岛会使信号的特征阻抗产生特变，导致信号的反射和叠加，产生振铃现象。

20.通孔、盲孔、埋孔、机械孔、激光孔

        通孔是贯穿整个PCB的过孔，

        盲孔是从PCB表层连接到内层的过孔，

        埋孔是埋在PCB内层的过孔。

        大多数PCB厂家的加工能力是这样的：大于等于8mil的过孔可以做机械孔，小于等于6mil的过孔需要做激光孔。对小于等于6mil的微型孔，在钻孔空间不够时，允许一部分过孔打在PCB焊盘上。

21.过孔的两寄生参数

        寄生电容和寄生电感。

        寄生电容会延长信号的上升时间，降低电路的速度。寄生电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效果。   

        过孔本身存在着寄生的杂散电容，如果已知过孔外径为D2,过孔焊盘的内径为D1,PCB板的厚度为T,板基材介电常数为ε,则过孔的寄生电容大小近似于：C=1.41εTD1/(D2-D1)

        其中L指过孔的电感，h是过孔的长度，d是中心钻孔的直径。从式中可以看出，过孔的直径对电感的影响较小，而对电感影响最大的是过孔的长度。L=5.08h[ln(4h/d)+1]

        1、从成本和信号质量两方面考虑，选择合理尺寸的过孔大小。比如对6-10层的内存模块PCB设计来说，选用10/20Mil（钻孔/焊盘）的过孔较好，对于一些高密度的小尺寸的板子，也可以尝试使用8/18Mil的过孔。目前技术条件下，很难使用更小尺寸的过孔了。对于电源或地线的过孔则可以考虑使用较大尺寸，以减小阻抗。

        2、上面讨论的两个公式可以得出，使用较薄的PCB板有利于减小过孔的两种寄生参数。

        3、PCB板上的信号走线尽量不换层，也就是说尽量不要使用不必要的过孔。

        4、电源和地的管脚要就近打过孔，过孔和管脚之间的引线越短越好，因为它们会导致电感的增加。同时电源和地的引线要尽可能粗，以减少阻抗。

        5、在信号换层的过孔附近放置一些接地的过孔，以便为信号提供很近的回路。甚至可以在PCB板上大量放置一些多余的接地过孔。当然，在设计时还需要灵活多变。前面讨论的过孔模型是每层均有焊盘的情况，也有的时候，我们可以将某些层的焊盘减小甚至去掉。特别是在过孔密度非常大的情况下，可能会导致在铺铜层形成一个隔断回路的断槽，解决这样的问题除了移动过孔的位置，我们还可以考虑将过孔在该铺铜层的焊盘尺寸减小。

22.基频晶体、泛音晶体、最大频率45MHz、如何区别

        基频晶体（Fundamental Mode Crystal）是指以其基频（最低振动频率）工作并发出信号的晶体振荡器。基频通常是晶体的自然共振频率，且在此频率下晶体的性能最为稳定。

        泛音晶体（Harmonic Mode Crystal）则是指利用晶体的高次谐振频率（如二次谐波、三次谐波等）进行工作。泛音晶体的频率是基频的整数倍，通常用于需要更高频率的应用。

        振动频 率越高，晶体薄片的厚度就越小，机械强度就越小。当前业界切割厚度的极限约为37um，此厚度的基频晶体的振动频率只可以 达到45MHz左右。以现在业界的工艺能力，大于45MHz的基本上都是泛音晶体，但也有价格比较高的特制基频晶体。

        辨别方法：

1. 频率标注：基频晶体的频率通常较低，而泛音晶体的频率较高，且是基频的整数倍（如基频为10MHz的泛音晶体可能为20MHz或30MHz）。

2. 电路配置：

   • 基频晶体一般在其基频下使用，电路设计较为简单。
   • 泛音晶体可能需要更复杂的电路设计，以适应高次谐振。

3. 使用环境：

   • 基频晶体适用于要求高稳定性的低频应用。
   • 泛音晶体常用于高频应用，如射频通信等。

4. 测试方法：

          使用频率计或示波器测试晶体的输出频率，观察其是否为基频或高次谐振频率。通过频谱分析仪或带FFT快速傅里叶变换功能的示波器测量。根据测量到的频谱图，如果最低频谱分量就是标称频率，这个晶体就是基频晶体。如果频谱图中含有比标称频率低的频率分量（比如3分频、5分频），那这个晶体就是泛音晶体。

23.手持电子产品的ESD，参数

        手持设备，众多输入输出接口均可能受到静电放电的损害，所以要加ESD保护器件。ESD元件的选择需要注意三个参数： 正常工作电压、动作嵌位电压和等效电容。

        如果在时钟线加上ESD器件后，接口工作不正常，而去掉后又能正常工作，可能的原因包括：

1. 信号衰减：

   ESD器件（尤其是电容性器件）会增加信号的RC延迟，导致时钟信号无法达到所需的上升/下降时间。

2. 引入噪声：

   ESD器件可能在信号线中引入额外的噪声或干扰，影响信号完整性。

3. 不匹配的电容值：🔺🔺🔺

   选择的ESD器件的电容值过大，导致时钟信号失真。等效电容过大，会影响信号的工作频率，所以需要根据信号最大工作频率来选 择ESD器件的等效电容。

24.音频功放管

        有四类：A类、B类、AB类、D类。

        D类功放效率最高，A类功放效率最低。

        B类功放存在交越失真。

        AB类功放的功放管导通时间大于半个周期小于一个周期，B类功放的功放管导通时间是半个周期。功放管一直处于放大状态的是A类功放。

        A类功率放大电路
        A类功率放大电路也叫甲类功率放大电路。当输入信号整个周期内都有电流导通（即导通角为全周期）称为甲类功率放大电路。
        该电路的优点是输出信号波形失真小。但是由于A类功率放大电路在交流信号源处串联了一个比交流信号源大很多的信号所以该电路中的静态工作点电流大、管耗大，因此放大电路的效率低。理论效率低于50%，实际一般小于30%。同时因为直流电源的作用甲类放大电路通电以后即使不工作也会发热，所以该电路在使用时还需要一个大型散热器。

        B类功率放大电路
        B类功率放大电路也叫做乙类功率放大电路。当输入信号仅有半个周期内有电流导通（即导通角为半周期）则称为乙类功率放大器。
        该电路与甲类功率放大电路相比交流信号源处不再串联较大的直流电源。所以只有半个周期有电流导通。也由于这个原因该电路的管耗小因此放大电路的效率高。理论效率78.5%，实际在50-60%多。同时该电路由于没有了直流电源抬升交流电源，所以在输出信号正半周和负半周的交界处时由于静态工作点过低导致波形连接处不连续，这就是所谓的交越失真。

        AB类功率放大电路
        AB类功率放大电路也叫甲乙类功率放大电路，当电流导通大于输入信号的半个周期而小于输入信号的一个周期时（导通角再半周期以上一周期以下）成为甲乙类功率放大电路。
        该电路的管耗同样很小，放大电路的效率高。同时该电路使晶体管在静态时处于微导通的状态，因此可以很好地改善交越失真。

        C类功率放大电路
        C类功率放大电路也叫丙类功率放大电路，如果只有小于半个输入信号周期（即导通角小于半个周期）有电流导通则称为丙类功率放大电路。
        该电路减小了集电极耗散功率、提高效率。效率一般在90%以上。但是该电路中的晶体管的集电极输出电流存在非线性失真，是一系列周期性的余弦脉冲。并且该电路只适用于高频窄带放大。

        D类功率放大电路
        D类功率放大电路也叫丁类功率放大电路，该电路使得晶体管工作在饱和区或截止区驱动外部电路工作的。
        D类功率放大电路是用音频信号的幅度去线性调制高频脉冲的宽度，功率输出管工作在高频开关状态。在D类功率放大电路中，器件要么完全导通，要么完全关闭，大幅度减少了输出器件的功耗，在理想情况下，D 类功率放大电路的效率为 100%，在实际情况中效率达90-95%都是可能的。

        总体来说，A类、B类、AB类、C类功率放大电路主要是通过电流的导通角来区分四类电路。其中A类，B类，AB类功率放大电路中的晶体管或者场效应管都是工作在导通的状态下，而D类功率放大电路的晶体管则是工作在截止区或者饱和区。
        从效率角度来看的话，A类功率放大电路的效率最低；B类和AB类功率放大电路的效率高于A类功率放大电路但是小于78.5%；C类功率放大电路的效率则可以达到78.5%；而D类功率放大电路的理想效率可以达到100%。

25.ROM

        将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计成8位为一个字节的ROM，请问该ROM有多少个地址，有多少根数据读出线？ 有4096个地址，数据线是8根。地址线为15（32768=2^15，因此 n=15n=15）

26.在函数L（A，B，C，D）= AB + CD 的真值表中，L=1的状态有多少个？

1. 分析项

        AB 为1的情况：当 A=1 且 B=1时，L=1。

        CD 为1的情况：当 C=1 且 D=1 时，L=1。

 2. 计算组合

        对于 AB=1：

        A=1,B=1，则 C 和 D 可以取4种组合（00, 01, 10, 11），共4个状态。

        对于 CD=1：

        C=1,D=1，则 A 和 B 可以取4种组合（00, 01, 10, 11），共4个状态。

3. 去重考虑

        状态 A=1,B=1 和 C=1,D=1 可以同时为1，重合的情况是 A=1,B=1,C=1,D=1（1种）。

4. 总数计算

        总的L=1的状态 = 4 (AB) + 4 (CD) - 11(重合) = 4+4−1=7

27.如果[X]补=11110011，请问[X]=？[-X]=？[-X]补=？

1. 求 [X]：

   • [X]补=11110011，取反后得到：00001100
   • 加1：00001100 + 1 = 00001101
   • 所以 [X]=00001101。

2. 求 [−X]：

   • [−X] 是 [X] 的补码，等于 [X]补​：即 [−X]=11110011。

3. 求 [−X]补[−X]补​：

   • 先取反 [−X]：00001100
   • 然后加1：00001100 + 1 = 00001101
   • 所以 [−X]补=00001101。

原码
就是符号位加上真值的绝对值。即用第一位表示符号 其余位表示值。比如如果是8位二进制: +1 = 0000_0001

反码
正数的反码是其本身，负数的反码是在其原码的基础上符号位不变，其余各个位取反。

补码
正数的补码就是其本身，负数的补码是在其反码的基础上+1

移码
不管正负数，只要将其补码的符号位取反即可

取值范围

原码：-127~127【-(（2^n-1)-1）~(2^n-1)-1】

反码：-127~127【-(（2^n-1)-1）~(2^n-1)-1】

补码：-128~127【-(2^n-1)~(2^n-1)-1】

28.电容的高频等效模型：等效R、L、C的串联

该电容在高频状态下的阻抗表达式：

当，即 ，时，电容处于谐振状态，此时

所以

工作频率小于fT时，电容呈容性。工作频率大于fT时，电容呈感性。

在滤波电路中应使被滤除的杂波频率小于fT。

        例题：数字电路中常采用0.1uF 贴片电容作为滤波电容，该电容的等效串联电感典型值是5nH。请问该电容用于什么频率以下的 杂讯的滤波？

           =7.1MHz，实际电路中常采用0.1uF电容作为10MHz以下杂讯的滤波电容。

29.为何电源的滤波电路常常是大电容配合小电容滤波？

        （比如220uF电解电容配合0.1uF贴片电容）

         由于制作材料的不同，各种电容的等效参数也不同。一般来说，电解电容和钽电容的谐振频率比较低，对低频噪声的滤波效果比较好；贴片电容谐振频率比较高，对高频噪声的滤波效果比较好。对于电源电路，由于整个PCB板上的噪声都加到了它的上面，包括了低频噪声和高频噪声。要对电源噪声实现比较好的滤波效果，滤波电路必须在较宽的频率范围内对噪声呈现低阻抗，单独用一种电容是达不到这种效果的，必须采取大的电解电容（或钽电容）并联贴片小电容的方式。

30.高阻态和三态门

        高阻态

        高阻态这是一个数字电路里常见的术语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样，如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平，随它后面接的东西定。
　　高阻态的实质：电路分析时高阻态可做开路理解。你可以把它看作输出（输入）电阻非常大。他的极限可以认为悬空。也就是说理论上高阻态不是悬空，它是对地或对电源电阻极大的状态。而实际应用上与引脚的悬空几乎是一样的。
　　高阻态的意义：当门电路的输出上拉管导通而下拉管截止时,输出为高电平;反之就是低电平;如上拉管和下拉管都截止时,输出端就相当于浮空（没有电流流动）,其电平随外部电平高低而定,即该门电路放弃对输出端电路的控制 。
　　典型应用：
　　1、在总线连接的结构上。总线上挂有多个设备，设备于总线以高阻的形式连接。这样在设备不占用总线时自动释放总线，以方便其他设备获得总线的使用权。　
　　2、大部分单片机I/O使用时都可以设置为高阻输入，如凌阳，AVR等等。高阻输入可以认为输入电阻是无穷大的，认为I/O对前级影响极小，而且不产生电流（不衰减），而且在一定程度上也增加了芯片的抗电压冲击能力。
　　高阻态常用表示方法:高阻态常用字母 Z 表示。

        三态门

        三态门（逻辑符号↑），是指逻辑门的输出除有高、低电平两种状态外，还有第三种状态——高阻状态的门电路。高阻态相当于隔断状态（电阻很大，相当于开路）。 三态门都有一个EN控制使能端，来控制门电路的通断。 可以具备这三种状态的器件就叫做三态(门，总线，......)。
        计算机里面用 1和0表示是，非两种逻辑，但是，有时候，这是不够的， 比如说，他不够富有，但是他也不一定穷啊；她不漂亮，但也不一定丑啊，处于这两个极端的中间，就用那个既不是＋ 也不是 - 的中间态表示，叫做高阻态。 高电平，低电平可以由内部电路拉高和拉低。而高阻态时引脚对地电阻无穷，此时读引脚电平时可以读到真实的电平值。高阻态的重要作用之一就是I/O(输入/输出)口在输入时读入外部电平用。
        高阻态相当于该门和它连接的电路处于断开的状态。(因为实际电路中你不可能去断开它，所以设置这样一个状态使它处于断开状态)。三态门是一种扩展逻辑功能的输出级，也是一种控制开关。主要是用于总线的连接，因为总线只允许同时只有一个使用者。通常在数据总线上接有多个器件，每个器件通过OE/CE之类的信号选通。如器件没有选通的话它就处于高阻态，相当于没有接在总线上，不影响其它器件的工作。
        如果你的设备端口要挂在一个总线上，必须通过三态缓冲器。因为在一个总线上同时只能有一个端口作输出，这时其他端口必须在高阻态，同时可以输入这个输出端口的数据。所以你还需要有总线控制管理， 访问到哪个端口，那个端口的三态缓冲器才可以转入输出状态，这是典型的三态门应用。 如果在线上没有两个以上的输出设备, 当然用不到三态门，而线或逻辑又另当别论了。态门构成单向总线：

31.二极管的二输入与门、二输入或门

二极管实现“或门”，当输入Vi1或Vi2中有任何一个为5V时（逻辑1），则其对应的二极管导通，输出电压VO为5-0.7=4.3V（4.3V大于TTL规定的2.4V，属于逻辑1）。当输入Vi1和Vi2中都为0时，二极管截止，VO为0V。

二极管实现“与门”，当输入Vi1和Vi2都为5V时，两个二级管都截止，输出VO为与下面E提供的5V。当输入Vi1和Vi2中有任何一个为0V时，其对应的二极管会导通，输出VO为0.7V。

31.推挽输出PP与开漏输出OP

        推挽输出

        推挽输出是指 输出端口通过一个晶体管的开关来控制电平状态，推挽输出可以实现高电平和低电平两种状态

        输出高电平时，NPN型晶体管导通，PNP型晶体管截止，呈现向外推的形式，为 推。

        输出低电平时，PNP型晶体管导通，NPN型晶体管截止，呈现向回挽的形式，为 挽。

        优点：

1. 输出高低电平、电源电压基本没有压差
2. 高低电平驱动能力较强，一般数字芯片推挽，输出IO口驱动电流最大可到20ma
3. 电平切换速度快

        缺点： 不支持线与（指俩个输出不可以接到一起）

        开漏输出

        输出端口通过一个晶体管的开关来控制电平状态，但开漏输出只能实现低电平状态，而不能直接输出高电平。

        原理是，在输出端口接入一个NPN型晶体管，它的集电极连接到输出端口，发射极接地。当需要输出低电平时，晶体管导通，输出端口接地，形成低电平；当需要输出高电平时，晶体管截止，输出端口处于悬空状态，即高阻态。为了实现完整的输出功能，开漏输出通常需要结合外部上拉电阻。当输出端口处于高阻态时，外部上拉电阻将输出端口拉高至所需的高电平。因此，开漏输出可以通过控制晶体管的导通和截止来实现低电平输出，而高电平输出则由外部上拉电阻提供。开漏输出常用于多路设备共享总线的情况下，如I2C、SPI等通信协议中。通过多个开漏输出端口的组合，可以实现多路设备对总线的控制，同时避免输出冲突和电平干扰

        优点：

1. 可实现电平转换，输出电平取决于上拉电阻电源
2. 可以实现IO的线与

        缺点：

1. 高电平的驱动能力差，取决于外部上拉电阻
2. 电平切换速率取决于外部上拉电阻

32.EMC、EMS、EMI

（1）.EMI，全称为：Electromagnetic Interference，即电磁干扰，指电子设备在自身工作过程中产生的电磁波，对外发射并对设备其它部分或外部其它设备造成干扰。

​         ①."电磁"：电荷如果静止，称为静电，当不同的静电电位静电电位互相接近时，便发生了静电放电，产生电流，电流周围产生磁场，同样磁场也可以激发产生电场，电场与磁场往往相互激励、相互作用，所以引入“电磁”来作为物质所表现的电性和磁性的统称。

​         ②."干扰"：指设备受到干扰后性能降低以及对设备产生干扰的干扰源这二层意思。第一层意思如雷电使收音机产生杂音（雷电干扰了收音机的正常工作，性能受到影响），第二层含义就是指干扰源，如常用于风机、水泵、电梯等设备中的变频装置，由于采用了相位控制，谐波成份很复杂，这些谐波进入电网，对电网和其他电气设备来说，变频装置就是一个干扰源，EMI标准与EMI检测针对的也是第二层的含义。

（2）.EMS，全称为：Electromagnetic Susceptibility，即电磁敏感度，指电子设备受电磁干扰的敏感程度。

        指由于电磁能量造成性能下降的容易程度，通俗来讲，我们将电子设备比喻为人，将电磁干扰比做感冒病毒，敏感度就是是否易患感冒。如果不易患感冒，说明免疫力强，也就是英语单词immunity，即抗电磁干扰性强。

（3）.EMC，全称为:Electromagnetic Compatibility，即电磁兼容性，要求电源模块等电子设备内部没有严重的干扰源及设备，或电源系统有较好的抗干扰能力。

        指设备所产生的电磁能量既不对其它设备产生干扰，也不受其他设备的电磁能量干扰的能力，EMC这个术语有其非常广的含义,与设计意图相反的电磁现象，都可看成是EMC问题。电磁能量的检测、抗电磁干扰性试验、检测结果的统计处理、电磁能量辐射抑制技术、雷电和地磁等自然电磁现象、电场磁场对人体的影响、电场强度的国际标准、电磁能量的传输途径、相关标准及限制等均包含在EMC之内。

        电磁干扰传播途径

​        电磁干扰传播途径一般也分为两种：即传导耦合方式和辐射耦合方式。任何电磁干扰的发生都必然存在干扰能量的传输和传输途径（或传输通道）。

​        传导传输必须在干扰源和敏感器之间有完整的电路连接，干扰信号沿着这个连接电路传递到敏感器，发生干扰现象。这个传输电路可包括导线，设备的导电构件、供电电源、公共阻抗、接地平板、电阻、电感、电容和互感元件等。

​        辐射传输是通过介质以电磁波的形式传播，干扰能量按电磁场的规律向周围空间发射。常见的辐射耦合由三种：

        1. 甲天线发射的电磁波被乙天线意外接受，称为天线对天线耦合；

        2. 空间电磁场经导线感应而耦合，称为场对线的耦合；

        3.两根平行导线之间的高频信号感应，称为线对线的感应耦合。

​        在实际工程中，两个设备之间发生干扰通常包含着许多种途径的耦合。正因为多种途径的耦合同时存在，反复交叉耦合，共同产生干扰，才使电磁干扰变得难以控制。

33.PCB Layout

        蛇形线

        蛇形线是Layout中经常使用的一类走线方式。其主要目的就是为了调节延时，满足系统时序设计要求。设计者首先要有这样的认识：蛇形线会破坏信号质量，改变传输延时，布线时要尽量避免使用。但实际设计中，为了保证信号有足够的保持时间，或者减小同组信号之间的时间偏移，往往不得不故意进行绕线。很明显，信号在蛇形走线上传输时，相互平行的线段之间会发生耦合，耦合程度也越大。可能会导致传输延时减小，以及由于串扰而大大降低信号的质量。

1．尽量增加平行线段的距离（S），至少大于3H，H指信号走线到参考平面的距离。通俗的说就是绕大弯走线，只要S足够大，就几乎能完全避免相互的耦合效应。

2． 减小耦合长度Lp，当两倍的Lp延时接近或超过信号上升时间时，产生的串扰将达到饱和。

3． 带状线（Strip-Line）或者埋式微带线（Embedded Micro-strip）的蛇形线引起的信号传输延时小于微带走线（Micro-strip）。理论上，带状线不会因为差模串扰影响传输速率。

4． 高速以及对时序要求较为严格的信号线，尽量不要走蛇形线，尤其不能在小范围内蜿蜒走线。

5． 可以经常采用任意角度的蛇形走线，能有效的减少相互间的耦合。

 6． 高速PCB 设计中，蛇形线没有所谓滤波或抗干扰的能力，只可能降低信号质量，所以只作时序匹配之用而无其它目的。

7． 有时可以考虑螺旋走线的方式进行绕线，仿真表明，其效果要优于正常的蛇形走线。

        PCB布线规则

        1、20H原则

        2、3W原则

        3、环路面积尽量小

        4、镜像面之间的距离尽量考虑

        5、数字、模拟GND的隔离和汇接

        6、ESD的保护嵌边

        7、放电火花缝

        8、大电压压差端之间的电气间隙

        9、元件布局上的重心平衡

        10、元件布局上的热设计

        11、电气地和保护地的处理

        12、退藕电容的位置布局

        13、足够小的地阻抗，尽量减小地弹问题

        14、走线宽度变化对信号造成的反射等问题

        15、所有的走线长度一定要小于其信号波长的1/20

        16、强电弱电之间爬电距离建议不小与2.5MM

        17、PCB走线尽量呈45度！

34.硬开关与软开关

        在开关电源中，硬开关和软开关是两种主要的开关技术。它们在开关过程和特性上有一些显著的区别，并各有其优缺点。

        硬开关（Hard-Switching）是开关电源中的一种基本技术。在硬开关电路中，电压和电流的波形都是理想的矩形波。当开关导通时，电压迅速降为零，而电流迅速增加到峰值。当开关断开时，电流迅速降为零，而电压迅速增加到峰值。因此，在开关的开和关过程中，都会产生较大的损耗和电压电流的重叠。这种特性使得硬开关技术在高频和大电流的应用中受到限制。

        相比之下，软开关（Soft-Switching）技术则是一种更为先进的开关技术。在软开关电路中，电压和电流的波形不再是理想的矩形波，而是通过增加额外的元件和控制策略，使得电压和电流在开关的开和关过程中变得更加平滑。具体来说，通过在开关过程前后引入谐振，使开关开通前电压先降到零，关断前电流先降到零，就可以消除开关过程中电压、电流的重叠，降低它们的变化率，从而大大减小甚至消除开关损耗。

        软开关技术具有许多优点。首先，由于消除了电压、电流的重叠和降低了它们的变化率，软开关技术可以大大减小甚至消除开关损耗。这不仅可以提高电源的效率，还可以减小散热器的尺寸和重量。其次，软开关技术还可以降低开关噪声，这有助于减小对其他电路的干扰。此外，由于软开关技术可以实现更高的频率，因此可以减小电源的体积和重量，使其更加适合于便携式设备和航空航天等应用场景。

        然而，软开关技术也存在一些挑战和限制。首先，软开关电路中的元件数量会增加，这会增加电路的复杂性和成本。此外，软开关技术的实现需要精确的控制策略和元件参数匹配，否则可能会出现问题。另外，在一些特定的应用场景中，硬开关技术可能更加适合。例如，在一些需要高电压和大电流的应用中，硬开关技术的耐压能力和电流能力更强，可能更加适合。

        总的来说，硬开关和软开关是两种不同的开关技术，各有其优缺点。在选择使用硬开关还是软开关时，需要根据具体的应用场景和需求进行考虑。对于需要高频和大电流的应用场景，或者需要减小损耗和噪声的应用场景，软开关技术可能更加适合。而对于需要高电压和大电流的应用场景，或者对成本和体积要求不高的应用场景，硬开关技术可能更加适合。