计算机组成原理——第三章（5）

提升主存速度

本小节我们讲一下存取周期、双端口RAM（考察的是双端口同时读/同时写的问题）、单体多字存储器、高位交叉编址和低位交叉编址

1.存取周期T

存取时间：CPU从内存中读出一个字所需要的时间

存取周期=存取时间+恢复时间

在做题的时候有一点需要注意的是：主机读出一个数据字的时间和向CPU提供一个数据字的时间是不一样的，主机读出一个数据字的时间是存取时间，而提供一个数据字的时间还需要包括恢复时间

2.双端口RAM

3.多模块存储器

3.1单体多字存储器

每次并行读出m个连续的字，总线宽度也要扩展为m个字，灵活性不如多体并行存储器

3.2多体并行存储器

多体并行存储器有两种编制方案：高位交叉编址和低位交叉编址

3.2.1高位交叉编址

按照地址的从小到大的顺序进行访问，当在访问它的8个地址的时候，还轮不到其余的M，所以他们只能等待结束，这样就会导致访问n个字需要的时间：=T*n

3.2.2低位交叉编址

 当在访问00000的时候，一旦过了存取时间（不是存取周期），就紧跟而上，这样就会充分利用CPU，不会让他闲置下来了，访问n个字需要的时间：=T+（m-1）*r，其中m是模块的数量，r是存取时间

 为了“压榨”CPU，我们应该保证模块数m>=T/r

当m<=T/r的时候，CPU至少需要继续等待r的时间，明明所有的模块都经过各自的存取时间了，但是重新轮到该模块的时候，还没到恢复时间，所以它得等恢复时间走完才能接着干活。

当m>T/r的时候，其中一个模块恢复时间已经走完了，它想干活了，但是总模块数量太多了，导致其他的模块存取时间还没走完，所以它只能等到别人的存取时间都结束之后才能干活，这就导致它偷懒了一段时间

思考：给定一个地址x，怎么知道它是在哪个存储体呢？

可以根据地址x的末尾来判断，因为低位交叉编址同一个模块的末尾是相同的

思维导图