计算机组成原理——第三章（3）

SRAM和DRAM

这一小节我们讲一下SRAM和DRAM的区别，了解一下栅极电容和双稳态触发器的差别，DRAM是怎么刷新的？DRAM的地址线复用技术。

1.存储元件不同导致的特性差异

SRAM芯片和DRAM芯片核心区别就是存储元不一样，DRA芯片使用栅极电容存储信息，SRAM使用双稳态触发器存储信息

 1.1栅极电容vs双稳态触发器

栅极电容：

读出1：MOS管接通，电容放电，数据线上产生产生电流

读出0：MOS管接通后，数据线上没有电流

 当电容放电的时候，信息会被破坏，是破坏性读出，读出之后应有重写操作，也称“再生”，这样读写速度回更慢，因为要重写

每个存储元制造成本更低，集成度更高（因为它结构简单），功耗低

DRAM是需要刷新的，具体的在后面会讲到

 双稳态触发器（6个MOS管）：

1：A高B低

0：A低B高

 

 读出数据，触发器仍然是稳定的，是非破坏性读出，无需写入，读写速度会更快

每个存储元制造成本更高，集成度低，功耗大（因为它较为复杂）

SRAM是不需要刷新的

注意：DRAM和SRAM都是易失性存储器（断电之后信息消失），易失性存储器≠破坏性读出

2.DRAM的刷新

我们知道DRAM有电容，电容有电的时候，会存储电荷，但是时间过得久了，电荷就会消失，那这样的话信息就会造成误差。电容里面的电荷只能维持2ms，也就是说，即使不断电，2ms之后信息也会消失。

所以我们为了给电容充电保存信息，就需要在2ms之内刷新一次。

问题：

1.多久需要刷新一次？        刷新周期：一般为2ms

2.每次刷新多少存储单元？        以行为单元，每次刷新一行存储单元

        ——为什么要用行列地址？        减少选通线的数量

如果按照之前的存储器的简单模型，当要访问8位的地址，那么译码器就会有256根选通线连接各个存储单元，随着地址位数变大，选通线的数量也会变得很大很大，所以我们把存储单元存放从一维变成二维。

想要获取00000000的地址信息，0000传给行地址译码器，0000传给列地址译码器，每个译码器就只需要16根选通线就可以实现功能了

3.如何刷新？        有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期

4.在什么时候刷新？        有三种刷新方法

思路一：每次读写完都刷新一行

思路二：2ms内集中安排时间全部刷新

思路三：2ms内每行刷新1次即可

 

但是双稳态触发器就比较好，只要我们给双稳态触发器不断的供电，触发器的状态就不会改变，因此它不需要刷新

3.DRAM的地址线复用技术

DRAM的送行列地址是分两次送的（地址线复用技术），什么意思？地址线就是CPU传给译码器的路径，如果地址位数比较多的话，就可以分两次传送，而DRAM就是分两次送的。从而导致地址线、地址引脚减半

注意："刷新”由存储器独立完成，不需要CPU控制；现在的主存通常采用SDRAM芯片

总结