硬件电路基础元件

说起来在华北理工大学某个实验室当了快一年的硬件部部长，但是能力水平还是在单片机编程和应用层面（虽然也很牛逼了，但是我不介意让我更牛逼一点）。对于硬件电路的基础还不是很够。在b站偶尔刷到了我们学校隔壁电协一个学长的毕业视频，感觉确实，把东西学好了就牛逼，甚至不用考研，至于我的路，边走边看吧。

OK，那么回归正题，进行基础知识点总结。

高电平1，低电平0 。

对基本电子元件的认识

电阻

不想多说 。阻碍电流。。。。。

注意:电阻的参数除了本身的电阻以外还有功率和耐压:不同体积的电阻最大可以承受的耐压和力率是不同的，体积越大，功率和耐压越高，电阻可能会击穿，如果电阻所承受的电压超过自身最大耐如果电阻上面的功率超过了自身所能承的最大功率，电阻可能会烧毁冒烟。

电阻的种类很多，常用的几种电阻是:直插电阻(色环电阻)，贴片电阻，电立器，热敏电阻，水泥电阻。

电位器（滑动变阻器）。

选型需要注意功率，同样阻值在不同功率的电路中的耐受程度不同。

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电容

具有电压惯性（开关断开之后，电容上的电压不会立马消失）。

滤波，消除干扰使电路的波形更加平稳纯净。不同大小的电容可以消除不同频率的干扰。小电容可以过滤高频杂波，大电容过滤低频杂波。（也叫去耦，贴片和电解电容都可以）

在电路突然需要大电流的时候释放能量满足电路的这一需求，比如在电机驱动电路中电机启动的瞬间。（固态电解电容）

储能，在电路开关断开之后，短暂的充当电池角色，释放掉存储的电荷。（普遍特性）

通交流阻直流。

贴片，直插，电解电容。

• MLCC:容量较小、内阻较小---------用于去耦、滤掉高频干扰信号
• 电解电容:容量大、内阻大---------用于储能和滤波，可以为功率电路提供瞬间的大电流
• 固态电解电容:容量大，但内阻比普通电解电容小……常用于开关电源的输出电容

同样有最高耐受电压，超过这个值电容可能爆炸（ 电容强者，恐怖如斯。）

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电感

一般用于开关电源，也能滤波和储能。

通直阻交，具有电流惯性（开关断开之后，电感上的电流不会立马消失）。

贴片:      一体成型电感>屏蔽电感>CD系列电感（多用于小型板载开关电源电路）、0603系列(做电源推荐用一体成型电感)
直插:      工字电感、绕线电感。

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二极管

性质：单向导电性

参数：

最大电流 IF	二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流
正向压降	例如LED的压降一般为1v左右，既承担1v电压），
反向耐压 UR	二极管工作时允许外加的最大反向电压
IR	二极管未击穿时的反向电流
FM	二极管工作的上限截至频率。超过此值时，二极管有可能因反向击穿而不能很好的体现单向导电性。

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发光二极管     

LED灯，发光（导通时）。

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稳压二极管     

反向接入电路中，起稳压作用。

参数： 稳压值，稳定电流，功率，温度系数，动态电阻

正常的二极管反向击穿后就坏了，但是稳压二极管专门工作在反向击穿区反向击穿后，电压维持在一个特定值（在很大一定电流范围内）。

稳压管的反向电流小于范围最小值稳压效果不稳定，高于最大值时功率过高会损坏，因此稳压管一般串联一个电阻用于限流，保证稳压管正常工作。

专门工作与反向击穿状态。注意避免热击穿，所以需要散热。

注意R和RL的比值造成的分压效果，一定要让RL两端的电压大于二极管的击穿电压。

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TVS二极管         

瞬态电压抑制二极管 ，和稳压二极管类似，也是反向接入被保护电路前面。

是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏。

保护原理：当电路有尖峰时，TVS二极管会被反向击穿，类似短路，尖峰电流就会流过TVS二极管，使得尖峰电压被削顶保护了后面的电路。

主要参数和应用。

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肖特基二极管，快恢复二极管  

在二极管正向导通后，突然加反向电流，理想情况下，二极管应该立刻变为截止状态但是实际上二极管并不会立即变为截止状态，而是有一个反向电流，然后这个反向电流经过很小的一段时间后慢慢减小到0达到截至状态。

那么肖特基二极管就是比普通二极管的恢复时间要更短。可以在几纳秒之间恢复截止状态，因此在高频电路中可以更好的应对电压的变化。

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二极管的封装

DO系列(直插):例如 DO-15、DO-41、DO-27

SOD系列(贴片):例如SOD-123、SOD-323、SOD-523

SOT系列(贴片):例如SOT-123、SOT-323、SOT-523

SMA、SMB、SMC系列:多为肖特基二极管，比如SS14，SS54等

LL系列(玻封，贴片):例如LL34

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三极管

NPN型

基集，集电极，发射集，分为NPN型和PNP型。

在电路中可以做信号放大（在如今的年代，信号放大一般都是用运放很少用到三极管）和开关作用（经常使用）。

特点就是可以用小电流驱动大电流，需要的电压很小。 

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对于三极管的应用主要就是控制三极管的状态利用其特性，组合成各种电路。

三级管对基极的电流有很大的放大倍数，但是也是有上限的，不会随着基极电流的持续增大变得无穷大。

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 例题

简简单单的计算题，理解三极管对电路的影响。

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PNP型

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应用

开关作用

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推挽电路（用电器的连接位置和上一个不同）

Q13：在电路关闭时为低电平时，Q13导通，用于释放电机旋转产生的残余电流。

由于 Ue=Ub-0.7,所以电机上端电压实际为4.3V，盲猜Q10上边的12V只是为了提供更大的电流范围。

如果驱动电机的额定电压为12V，则采用第二种驱动方法。图二相比于图一增加了电平变换电路，这样Q11导通之后，电机两端电压为11V左右，满足电机的驱动条件。

Q14，Q13为PNP管，作用是当关闭电机时，使电机残留的感应电流顺着Q14的发射集释放掉。

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封装

贴片:SOT-23<SOT-89<TO-252

直插:TO-92<TO-126<TO-220

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参数和选型

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MOS管

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MOS管常用作电子开关

可以把MOS管看作下图的形式，一个电容和一个开关还有一个电阻的结合体，给GS间的电容充电就导通，放电就关闭。

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分立元件驱动MOS管

图中MOS管旁边串联R18和并联R38都是为了使电容放电更快，进而使MOS管更快的关断。

电机旁边的D7用于释放电机旋转所产生的感应电流，防止损坏MOS管。

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电流路径和工作流程

MOS管栅极和GND的电压差越大，电容放电的速度越快。

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芯片驱动MOS管

低端（这里指的是MOS管的S极接地）

芯片并联的去耦电容需要离芯片近一点

UP推荐的电路设计及AD软件使用的B站视频。 

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高端

两个芯片构建两个半桥从而构建全桥。

全桥交叉运行，HO1和LO2处MOS管导通电机正转，HO2和LO1处MOS管导通电机反转。

可以在CSDN中了解更多全桥电路的知识（也叫H桥）。

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MOS管的封装

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MOS管的参数

1、开启阈值电压(Vgsth):

有些MOS管阈值电压不到1V，MOS管就能开始导通，有的MOS管开启电压至少2V。

2、持续工作电流(lhold):

MOS管工作时，能持续通过D极和S极间的电流。

3、栅极和源极之间的最大值(Vgs):

当MOS管开始导通时，这个电压值较小，当栅极和源极间的电压值达到一个值时，MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限，不能超过给出的最大值。

4、最大耐压值(Vdss):

加载到D极和S极间的最大电压值。通过MOS管加载到负载上的电压值，一定要小于最大耐压值，而且留有足够的余量。

5、Vbr击穿电压:

在G极和S极间的电压值为0时在D极和S极间加载电压，当电压值达到多少V时MOS管被击穿。

6、导通电阻:

我们希望它的电阻越小好，电阻越小，功耗就越小，发热量就越小。一般为几十毫欧小的能达到几毫欧。

7、冲击电流(ldm):

负载启动的瞬间，可以有很高的冲击电流，包括浪涌等。这个冲击电流一般为保!持工作电流的4倍。

8、漏电流:

开启电压为0时，MOS管没导通时，在D极和S极加载电压时，D极和S极之间会有很小的电流。

9、开启时间、上升时间、关断时间、下降时间:

这4个参数说明MOS管的开速度，MOS管用在高频信号电路中，这个参数很重要。比如一个频率为50Khz的PWM波，有高电平和低电平，MOS管需要不停的关闭和打开，如果MOS管导通和关闭速度不够，这个PWM波不能完整传输。

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自恢复保险丝

顾名思义，就是过流熔断后可以自动恢复的保险丝，可以保护电子电路在短路时不至于冒烟

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基础元件就介绍这么多，后面还有更复杂的运放什么的，共同努力吧，共勉。