Multisim应用举例

本文通过Multisim软件详细介绍了如何使用IV分析仪测量二极管的伏安特性,包括选择元件、设置仪器参数及进行测试的步骤。此外,还探讨了如何运用相同方法测试晶体三极管和其他场效应管的特性曲线,以及研究二极管在直流和交流条件下的不同表现,揭示了二极管的动态电阻和管压降与其直流电流的关系。

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1.半导体器件特性曲线测试方法的研究

一、题目

利用IⅣ分析仪测量二极管的伏安特性

二、测量方法及步骤

1.选择元件:在Multisim主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode),如

1N4148,并将某拖至电路图窗口。

2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV-Analysis),也将其拖至电路图窗口;

打开IⅣ分析仪,在仪器的Conponents栏选择 Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所

接端子。

3.完成测试:单击Sim_Param,设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲线。移动光标,可以读出管压降及其对应的电流值。

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三、举一反三

利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之,采用同样方法测出晶

体三极管和各种场效应管的特性曲线。

按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线。值得提醒的是,测试时需对两个参数基极电流L_b和管压降V_ce分别进行设置。

 

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