Multisim应用举例

 

1.半导体器件特性曲线测试方法的研究

一、题目

利用IⅣ分析仪测量二极管的伏安特性

二、测量方法及步骤

1.选择元件：在Multisim主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode)，如

1N4148，并将某拖至电路图窗口。

2.选择仪器：在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪（IV-Analysis)，也将其拖至电路图窗口；

打开IⅣ分析仪，在仪器的Conponents栏选择 Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所

接端子。

3.完成测试：单击Sim_Param,设置仪器参数；闭合仿真开关，即可得到伏安特性曲线。移动光标，可以读出管压降及其对应的电流值。

 

2.三、举一反三

利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行，而且可以推而广之，采用同样方法测出晶

体三极管和各种场效应管的特性曲线。

按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线。值得提醒的是，测试时需对两个参数基极电流L_b和管压降V_ce分别进行设置。

3.1.6.