1.半导体器件特性曲线测试方法的研究
一、题目
利用IⅣ分析仪测量二极管的伏安特性
二、测量方法及步骤
1.选择元件:在Multisim主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode),如
1N4148,并将某拖至电路图窗口。
2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV-Analysis),也将其拖至电路图窗口;
打开IⅣ分析仪,在仪器的Conponents栏选择 Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所
接端子。
3.完成测试:单击Sim_Param,设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲线。移动光标,可以读出管压降及其对应的电流值。
2.三、举一反三
利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之,采用同样方法测出晶
体三极管和各种场效应管的特性曲线。
按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线。值得提醒的是,测试时需对两个参数基极电流L_b和管压降V_ce分别进行设置。
3.1.6.