目录
1.半导体
1.1.N型半导体
（1）在硅（或锗）半导体中掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，即构成N型半导体。
（2）N型半导体中，自由电子为多数载流子；N型半导体主要靠自由电子导电。
1.2.P型半导体
（1）在硅（或锗）半导体中掺入微量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等，即构成P型半导体。
（2）P型半导体中，空穴为多数载流子；P型半导体主要靠空穴导电。
1.3.PN结
PN结的构成
将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
PN结的单向导电性
（1）PN结外加正向电压：PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称正向偏置。如图所示
PN结正向导通时，通过PN结的电流（正向电流）大，而PN结呈现的电阻（正向电阻）小。
（2）PN结外加反向电压：PN结N端接高电位，P端接低电位，称PN结外加反向电压，又称反向偏置。如图所示
PN结反向导通时，通过PN结的电流（正向电流）小，而PN结呈现的电阻（反向电阻）大。
2.二级管
2.1.二极管的构成
二极管是由外加引线和一个带管壳的PN结构成。由PN结P区引出的为正极，N区引出的为负极。
2.2.伏安特性
正向特性
（1）正向死区：当二极管所加的正向电压较小时（0<U<Uth）,二极管上流过的电压为0，二极管截止，此区域称为死区，Uth称为死区电压。硅二极管的Uth约为0.5V,锗二极管的Uth约为0.1V。
（2）正向导通：当二极管所加的正向电压大于死区电压时，正向电流增加，二极管导通。硅二极管的正向导通压降约为0.7V，锗二极管约为0.3V。
反向特性
（1）反向截止：当二极管外加反向电压时，反向电流很小。此时二极管呈现的电阻很大，二极管此时处于截止状态。
（2）反向击穿：当反向电压的值增大到反向击穿电压UBR时，反向电压稍有增大，反向电流就会急剧增大，此现象称为反向击穿。
2.3.主要参数
（1）最大整流电流 IF ：当电流流经PN 结时，会引起管子发热，温度上升，如果电流太大，使温度超过允许限度(硅管为140C左右，锗管为90C左右)时，会烧坏管子。实际应用时正向平均电流不能超过此值。
（2）反向击穿电压 UBR ：是指二极管击穿时的电压。一般芯片手册中会给出的最高工作电压（峰值）URM约为击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。
（3）反向饱和电流 Is ：是指管子没有击穿时的反向电流值。其值越小，说明二极管的单向导由性越好。
2.4.稳压二极管
基本功能概述
稳压二极管又名齐纳二极管，简称稳压管，容易发生击穿，其击穿时的电压基本上不随电流变化而变化，从而达到稳压的目的。稳压管工作于反向击穿区。
伏安特性和符号
如图所示为稳压管的伏安特性和符号。稳压管的伏安特性和普通二极管类似，但它的反向击穿特性比较陡直，且其反向击穿也是可逆的。从图中击穿特性可以看出，稳压管反向击穿后，电流变化范围很大，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中可以起到稳压作用。
主要参数
（1）稳压电压 Uz：当稳压管中的电流为规定值时，稳压管在电路中其两端产生的温度电压。
（2）稳定电流 Iz：稳压管在工作状态时，若稳压管中流过的电流小于Izmin则没有稳压作用；若大于Izmax则会因过流而损坏。
（3）最大耗散功率 PM：稳压管正常工作时，若使用中稳压管的功率损耗超过此值，管子会因过热而损耗。
3.三极管
3.1.结构及符号
半导体三极又称晶体三极管，一般简称晶体管。它是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，不同于单个PN结的性能，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。
三极管从结构上来讲分为两类：NPN型和PNP型三极管。如图所示为三极管的结构示意图和符号。
3.2. 三极管的特性曲线及主要参数
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。以NPN三级管为例，特性曲线有以下两种。
（1）输入特性曲线
如图所示，这是UCE≥1V时的输入特性。三极管的输入特性曲线与二极管相似，也有一段死区。当发射结电压UBE大于死区电压时，三极管才会出现基极电流IB，这时三极管才会完全进入放大状态。
（2）输出特性曲线
它是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与电压UCE之间的关系曲线。如图所示，在不同的基极电流IB下，可以得出不同的曲线。因此改变IB的值，所得到的三极管输出特性曲线是一组曲线。
当IB一定时（如IB=40uA）时，在UCE到达一定值后，其对应曲线几乎与横坐标平行。这表示三极管具有恒流的特性。
三极管有四个工作状态，如下表所示。
| 电位关系 | 偏置状态 | 工作状态 |
| UC>UB<UE | 发射结和集电结均反偏 | 截止 |
| UC>UB>UE | 发射结正偏集电结反偏 | 放大 |
| UC<UB>UE | 反射结和集电结均正偏 | 饱和 |
| UC<UB<UE | 发射结反偏集电结正偏 | 倒置 |
截止区
三极管处于截止状态时，三极管的集电结和发射结之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。
放大区
三极管处于截止状态时，基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式IC=βIB。
饱和区
处于饱和状态时，三极管的电流放大能力下降，通常有IC<βIB。
倒置状态
处于倒置状态时，它的两个PN 结的偏置情况与工作在放大状态时是相反的：发射结反向偏置，集电结正向偏置。因此，集电结可能烧毁，而发射结可能击穿。
主要参数
三极管的参数有很多，如电流放大系数、反向电流、耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压等，这些参数都可以查半导体手册来得到。三极管的参数能帮助我们选择需要的三级管，下面介绍三极管的几个详细参数。
（1）共射极电流放大系数β
是指从基极输入信号，从集电极输出信号，在共发射极接法下的电流放大系数。在共发射极接法下，三极管集电极电流与基极电流的比值称为共射极电流放大系数β，表达式为：
β=IC/IB
（2）极间反向电流
集电极基极间反向饱和电流ICBO。指发射极开路时，在其集电极上加反向电压得到的反向电流。ICBO对温度十分敏感，该值越小，三极管的温度特性越好。
集电极反射极间穿透电流ICEO。ICEO会随温度升高而增大，它也是衡量三极管热稳定性的一个重要参数，其值越小，三极管的热稳定性就越好。
（3）极限参数
集电极最大允许电流ICM。三极管正常工作时集电极电流IC要小于ICM，否则，管子的性能会下降，严重时会因过流而损坏。
集电极最大允许损耗功率PCM。它表示集电结上允许损耗功率的最大值,超过此值,三极管的性能会下降甚至烧坏。
反向击穿电压。三极管有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种。
UEBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。
UCBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。
UCEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压值，一般为几十伏到几百伏以上。
选择三级管时，要保证反向击穿电压要大于工作电压的两倍以上。
3.3.三级管的电流分配及放大作用
要想实现三极管的电流放大作用，需要给三极管各电极加上正确的电压（反射极正偏集电极反偏），三极管的放大功能实质上就是分配和控制电流。
PNP管与NPN管的工作过程类似，只是所加的电压极性、工作的电流方向与NPN刚好相反。
PNP三极管工作电流流向是由IE流向IC和IB，NPN工作电流流向是由IC和IB流向IE。
三极管的电流分配公式及放大关系式为：IE=IC+IB IC=βIB
3.4.三极管开关电路
一般的机械开关都会有机械损耗所以会存在一定的使用寿命，而利用三极管的导通与截止特性可以实现无接触、不存在机械损耗和高频开合的开关。电路如图所示。
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