NAND Flash和NOR Flash的区别

 

NOR Flash的区别

    

        NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术，分别由Intel在1988年和东芝在1989年开发。NOR的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样运用程序可以直接在flash闪存内运行，不必把代码读入到系统RAM中。NOR的传输效率高，但是写入和擦除速度很慢。NAND结构提供高的单元密度，写入和擦除的速度很快。苦难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。Flash可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或者已擦除的单元内进行。故写入操作前必须先执行擦除。NAND器件擦除简单，而NOR则要求进行擦除前先将目标快内所有的位写为0。NOR和NAND有如下区别：

       1．NOR的读速度比NAND稍快一些

       2．NAND的写入速度比NOR快很多

       3．NAND的4ms擦除速度比NOR的5s快

       4．大多数写入操作需要先进行擦除操作

       5．NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口上的差别在于：NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，有点像磁盘管理此类操作，很自然，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。NAND在容量和成本方面占据优势。NOR主要运用在代码存储介质中，NAND适用于数据存储，NAND在CompactFlash，Secure Digital, PC Cards和MMC存储卡市场上份额最大。NAND的擦除次数比NOR多；NOR和NAND都受位交换现象的困扰。使用NAND时，一般需要采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。对于使用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

NOR Flash容易使用，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。NAND在需要I/O接口，使用时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作，向NAND写入信息不能向坏块写入，这意味NAND器件上需要进行虚拟映射。

NOR上运行代码不需要任何软件支持，在NAND器件上进行同样的操作时，需要驱动程序，即内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。NOR使用MTD相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级的软件，包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System, Microsoft, QNX Software System, Symbian和Intel等采用。

 

近年来，NAND的使用越来越多。据iSuppli公司估计，2005年第一季度，NAND闪存受益首次超过NOR闪存。消费电子对低成本固态存储器贪婪的需求将继续推动整个产业对NAND的需求。据估计，2007年，NAND将占到闪存的61%。目前NAND的需求主要在移动闪存卡，USB驱动器和MP3播放器。而NOR闪存主要集中在无线和嵌入式产品两大广阔市场，其中高密度和高平均售价(ASP)NOR闪存集中于移动电话行业的推动，其主要供应商有Intel, Spansion和ST。近年来，NAND一直鼓吹自己是移动电话中NOR的替代者，但是iSuppli分析师认为，大批NOR供应商推出移动电话领域，并没有足够的NAND来填补。因为NAND供应商目前生产针对移动存储市场的高密度器件，对移动电话使用较低密度NAND(即128Mb到1Gb)的供给正在萎缩，一旦可能，低密度NAND器件会抬高价格。