相信我们都有所体会,当我们在购买苹果手机时,不同的内存大小价格也差距很大,这个内存指得就是闪存(Flash),苹果是第一家利用闪存来存储数据的公司。闪存又包括NOR Flash和NAND Flash二种,不过NOR Flash的容量较小一般为1Mb-2Gb,而NAND Flash能提供极高的单元密度,可达到高存储密度,适用于大量数据的存储,因此也是主流的闪存技术。从2018年开始,全球大多数的智能手机都已开始使用3D NAND存储芯片,不仅是智能手机,3D NAND芯片在数据中心、云、服务器、SSD、PC等领域也非常受欢迎。
在3D NAND技术推出之前,NAND闪存均为2D平面形式。2D NAND架构的原理就像是在一个有限的平面上盖平房,平房的数量越多,容量也就越大。过往存储芯片厂商将平面NAND中的单元尺寸从120nm扩展到1xnm 节点,实现了100倍的容量。不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限,2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性(当工艺尺寸达到一定阶段之后,闪存就很容易因为电子流失而丢失其中保存的数据)。
随着2D NAND的微缩达到极限,2007年东芝(