常见硬件术语手册

一、CPU术语解释
  
    3DNow!: (3D no waiting)AMD公司开发的SIMD指令集,可以增强浮点和多媒体运算的速度,它的指令数为21条。
  
    ALU: (Arithmetic Logic Unit,算术逻辑单元)在处理器之中用于计算的那一部分,与其同级的有数据传输单元和分支单元。
  
    BGA:(Ball Grid Array,球状矩阵排列)一种芯片封装形式,例:82443BX。
  
    BHT: (branch prediction table,分支预测表)处理器用于决定分支行动方向的数值表。
  
    BPU:(Branch Processing Unit,分支处理单元)CPU中用来做分支处理的那一个区域。
  
    Brach Pediction: (分支预测)从P5时代开始的一种先进的数据处理方法,由CPU来判断程序分支的进行方向,能够更快运算速度。
  
    CMOS: (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)它是一类特殊的芯片,最常见的用途是主板的BIOS(Basic Input/Output System,基本输入/输出系统)。
  
    CISC: (Complex Instruction Set Computing,复杂指令集计算机)相对于RISC而言,它的指令位数较长,所以称为复杂指令。如:x86指令长度为87位。
  
    COB: (Cache on board,板上集成缓存)在处理器卡上集成的缓存,通常指的是二级缓存,例:奔腾II
  
    COD: (Cache on Die,芯片内集成缓存)在处理器芯片内部集成的缓存,通常指的是二级缓存,例:PGA赛扬370
  
    CPGA: (Ceramic Pin Grid Array,陶瓷针型栅格阵列)一种芯片封装形式。
  
    CPU: (Center Processing Unit,中央处理器)计算机系统的大脑,用于控制和管理整个机器的运作,并执行计算任务。
  
    Data Forwarding: (数据前送)CPU在一个时钟周期内,把一个单元的输出值内容拷贝到另一个单元的输入值中。
  
    Decode: (指令解码)由于X86指令的长度不一致,必须用一个单元进行“翻译”,真正的内核按翻译后要求来工作。
  
    EC: (Embedded Controller,嵌入式控制器)在一组特定系统中,新增到固定位置,完成一定任务的控制装置就称为嵌入式控制器。
  
    Embedded Chips: (嵌入式)一种特殊用途的CPU,通常放在非计算机系统,如:家用电器。
  
    EPIC: (explicitly parallel instruction code,并行指令代码)英特尔的64位芯片架构,本身不能执行x86指令,但能通过译码器来兼容旧有的x86指令,只是运算速度比真正的32位芯片有所下降。
  
    FADD: (Floationg Point Addition,浮点加)FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array,反转芯片针脚栅格阵列)一种芯片封装形式,例:奔腾III 370。
  
    FDIV: (Floationg Point Divide,浮点除)FEMMS(Fast Entry/Exit Multimedia State,快速进入/退出多媒体状态)  在多能奔腾之中,MMX和浮点单元是不能同时运行的。新的芯片加快了两者之间的切换,这就是FEMMS。
  
    FFT: (fast Fourier transform,快速热欧姆转换)一种复杂的算法,可以测试CPU的浮点能力。
  
    FID: (FID:Frequency identify,频率鉴别号码)奔腾III通过ID号来检查CPU频率的方法,能够有效防止Remark。
  
    FIFO: (First Input First Output,先入先出队列)这是一种传统的按序执行方法,先进入的指令先完成并引退,跟着才执行第二条指令。
  
    FLOP: (Floating Point Operations Per Second,浮点操作/秒)计算CPU浮点能力的一个单位。
  
    FMUL: (Floationg Point Multiplication,浮点乘)
  
    FPU: (Float Point Unit,浮点运算单元)FPU是专用于浮点运算的处理器,以前的FPU是一种单独芯片,在486之后,英特尔把FPU与集成在CPU之内。
  
    FSUB: (Floationg Point Subtraction,浮点减)
  
    HL-PBGA: (表面黏著、高耐热、轻薄型塑胶球状矩阵封装)一种芯片封装形式。
  
    IA: (Intel Architecture,英特尔架构)英特尔公司开发的x86芯片结构。
  
    ID: (identify,鉴别号码)用于判断不同芯片的识别代码。
  
    IMM: (Intel Mobile Module,英特尔移动模块)英特尔开发用于笔记本电脑的处理器模块,集成了CPU和其它控制设备。
  
    Instructions Cache: (指令缓存)由于系统主内存的速度较慢,当CPU读取指令的时候,会导致CPU停下来等待内存传输的情况。指令缓存就是在主内存与CPU之间增加一个快速的存储区域,即使CPU未要求到指令,主内存也会自动把指令预先送到指令缓存,当CPU要求到指令时,可以直接从指令缓存中读出,无须再存取主内存,减少了CPU的等待时间。
  
    Instruction Coloring: (指令分类)一种制造预测执行指令的技术,一旦预测判断被相应的指令决定以后,处理器就会相同的指令处理同类的判断。
  
    Instruction Issue: (指令发送)它是第一个CPU管道,用于接收内存送到的指令,并把它发到执行单元。IPC(Instructions Per Clock Cycle,指令/时钟周期)表示在一个时钟周期用可以完成的指令数目。
  
    KNI: (Katmai New Instructions,Katmai新指令集,即SSE) Latency(潜伏期)从字面上了解其含义是比较困难的,实际上,它表示完全执行一个指令所需的时钟周期,潜伏期越少越好。严格来说,潜伏期包括一个指令从接收到发送的全过程。现今的大多数x86指令都需要约5个时钟周期,但这些周期之中有部分是与其它指令交迭在一起的(并行处理),因此CPU制造商宣传的潜伏期要比实际的时间长。
  
    LDT: (Lightning Data Transport,闪电数据传输总线)K8采用的新型数据总线,外频在200MHz以上。
  
    MMX: (MultiMedia Extensions,多媒体扩展指令集)英特尔开发的最早期SIMD指令集,可以增强浮点和多媒体运算的速度。
  
    MFLOPS: (Million Floationg Point/Second,每秒百万个浮点操作)计算CPU浮点能力的一个单位,以百万条指令为基准。
  
    NI: (Non-Intel,非英特尔架构)
  
  除了英特尔之外,还有许多其它生产兼容x86体系的厂商,由于专利权的问题,它们的产品和英特尔系不一样,但仍然能运行x86指令。
  
    OLGA: (Organic Land Grid Array,基板栅格阵列)一种芯片封装形式。
  
    OoO: (Out of Order,乱序执行)Post-RISC芯片的特性之一,能够不按照程序提供的顺序完成计算任务,是一种加快处理器运算速度的架构。
  
    PGA: (Pin-Grid Array,引脚网格阵列)一种芯片封装形式,缺点是耗电量大。
  
    Post-RISC: 一种新型的处理器架构,它的内核是RISC,而外围是CISC,结合了两种架构的优点,拥有预测执行、处理器重命名等先进特性,如:Athlon。
  
    PSN: (Processor Serial numbers,处理器序列号)标识处理器特性的一组号码,包括主频、生产日期、生产编号等。
  
    PIB: (Processor In a Box,盒装处理器)CPU厂商正式在市面上发售的产品,通常要比OEM(Original Equipment Manufacturer,原始设备制造商)厂商流通到市场的散装芯片贵,但只有PIB拥有厂商正式的保修权利。
  
    PPGA: (Plastic Pin Grid Array,塑胶针状矩阵封装)一种芯片封装形式,缺点是耗电量大。
  
    PQFP: (Plastic Quad Flat Package,塑料方块平面封装)一种芯片封装形式。
  
    RAW: (Read after Write,写后读)这是CPU乱序执行造成的错误,即在必要条件未成立之前,已经先写下结论,导致最终结果出错。
  
    Register Contention: (抢占寄存器)当寄存器的上一个写回任务未完成时,另一个指令征用此寄存器时出现的冲突。
  
    Register Pressure: (寄存器不足)软件算法执行时所需的寄存器数目受到限制。对于X86处理器来
  说,寄存器不足已经成为了它的最大特点,因此AMD才想在下一代芯片K8之中,增加寄存器的数量。
  
    Register Renaming: (寄存器重命名)把一个指令的输出值重新定位到一个任意的内部寄存器。在x86
  架构中,这类情况是常常出现的,如:一个fld或fxch或mov指令需要同一个目标寄存器时,就要动用到寄存器重命名。
  
    Remark: (芯片频率重标识)芯片制造商为了方便自己的产品定级,把大部分CPU都设置为可以自由调节倍频和外频,它在同一批CPU中选出好的定为较高的一级,性能不足的定位较低的一级,这些都在工厂内部完成,是合法的频率定位方法。但出厂以后,经销商把低档的CPU超频后,贴上新的标签,当成高档CPU卖的非法频率定位则称为Remark。因为生产商有权力改变自己的产品,而经销商这样做就是侵犯版权,不要以为只有软件才有版权,硬件也有版权呢。
  
    Resource contention: (资源冲突)当一个指令需要寄存器或管道时,它们被其它指令所用,处理器不能即时作出回应,这就是资源冲突。
  
    Retirement: (指令引退)当处理器执行过一条指令后,自动把它从调度进程中去掉。如果
  仅是指令完成,但仍留在调度进程中,亦不算是指令引退。
  
    RISC: (Reduced Instruction Set Computing,精简指令集计算机)一种指令长度较短的计算机,其运行速度比CISC要快。
  
    SEC: (Single Edge Connector,单边连接器)一种处理器的模块,如:奔腾II。
  
    SIMD: (Single Instruction Multiple Data,单指令多数据流)能够复制多个操作,并把它们打包在大型寄存器的一组指令集,例:3DNow!、SSE。
  
    SiO2F: (Fluorided Silicon Oxide,二氧氟化硅)制造电子元件才需要用到的材料。
  
    SOI: (Silicon on insulator,绝缘体硅片)SONC(System on a chip,系统集成芯片)在一个处理器中集成多种功能,如:Cyrix MediaGX。
  
    SPEC: (System Performance Evaluation Corporation,系统性能评估测试)测试系统总体性能的Benchmark。
  
    Speculative execution: (预测执行)一个用于执行未明指令流的区域。当分支指令发出之后,传统处理器在未收到正确的反馈信息之前,是不能做任何工作的,而具有预测执行能力的新型处理器,可以估计即将执行的指令,采用预先计算的方法来加快整个处理过程。
  
    SQRT: (Square Root Calculations,平方根计算)一种复杂的运算,可以考验CPU的浮点能力。
  
    SSE: (Streaming SIMD Extensions,单一指令多数据流扩展)英特尔开发的第二代SIMD指令集,有70条指令,可以增强浮点和多媒体运算的速度。
  
    Superscalar: (超标量体系结构)在同一时钟周期可以执行多条指令流的处理器架构。
  
    TCP: (Tape Carrier Package,薄膜封装)一种芯片封装形式,特点是发热小。
  
    Throughput: (吞吐量)它包括两种含义:
  
      第一种:执行一条指令所需的最少时钟周期数,越少越好。执行的速度越快,下一条指令和它抢占资源的机率也越少。
  
      第二种:在一定时间内可以执行最多指令数,当然是越大越好。
  
    TLBs: (Translate Look side Buffers,翻译旁视缓冲器)用于存储指令和输入/输出数值的区域。
  
    VALU: (Vector Arithmetic Logic Unit,向量算术逻辑单元)在处理器中用于向量运算的部分。
  
    VLIW: (Very Long Instruction Word,超长指令字)一种非常长的指令组合,它把许多条指令连在一起,增加了运算的速度。
  
    VPU: (Vector Permutate Unit,向量排列单元)在处理器中用于排列数据的部分。
  
  
  二、硬盘术语解释  
  
    硬盘的转速(Rotationl Speed): 也就是硬盘电机主轴的转速,转速是决定硬盘内部传输率的关键因素之一,它的快慢在很大程度上影响了硬盘的速度,同时转速的快慢也是区分硬盘档次的重要标志之一。硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转,产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方,转速越快,等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的速度。目前市场上常见的硬盘转速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理论上,转速越快越好。因为较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间。可是转速越快发热量越大,不利于散热。现在的主流硬盘转速一般为7200rpm以上。
  
    随着硬盘容量的不断增大,硬盘的转速也在不断提高。然而,转速的提高也带来了磨损加剧、温度升高、噪声增大等一系列负面影响。于是,应用在精密机械工业上的液态轴承马达(Fluid dynamic bearing motors)便被引入到硬盘技术中。液态轴承马达使用的是黏膜液油轴承,以油膜代替滚珠。这样可以避免金属面的直接磨擦,将噪声及温度被减至最低;同时油膜可有效吸收震动,使抗震能力得到提高;更可减少磨损,提高寿命。
  
    平均寻道时间(Average seek time):指硬盘在盘面上移动读写头至指定磁道寻找相应目标数据所用的时间,它描述硬盘读取数据的能力,单位为毫秒。当单碟片容量增大时,磁头的寻道动作和移动距离减少,从而使平均寻道时间减少,加快硬盘速度。目前市场上主流硬盘的平均寻道时间一般在9ms以下,大于10ms的硬盘属于较早的产品,一般不值得购买。
  
    平均潜伏时间(Average latency time): 指当磁头移动到数据所在的磁道后,然后等待所要的数据块继续转动到磁头下的时间,一般在2ms-6ms之间。
  
    平均访问时间(Average access time): 指磁头找到指定数据的平均时间,通常是平均寻道时间和平均潜伏时间之和。平均访问时间最能够代表硬盘找到某一数据所用的时间,越短的平均访问时间越好,一般在11ms-18ms之间。注意:现在不少硬盘广告之中所说的平均访问时间大部分都是用平均寻道时间所代替的。
  
    突发数据传输率(Burst data transfer rate):指的是电脑通过数据总线从硬盘内部缓存区中所读取数据的最高速率。也叫外部数据传输率(External data transfer rate)。目前采用UDMA/66技术的硬盘的外部传输率已经达到了66.6MB/s。
  
    最大内部数据传输率(Internal data transfer rate): 指磁头至硬盘缓存间的最大数据传输率,一般取决于硬盘的盘片转速和盘片数据线密度(指同一磁道上的数据间隔度)。也叫持续数据传输率(sustained transfer rate)。一般采用UDMA/66技术的硬盘的内部传输率也不过25-30MB/s,只有极少数产品超过30MB/s,由于内部数据传输率才是系统真正的瓶颈,因此大家在购买时要分清这两个概念。不过一般来讲,硬盘的转速相同时,单碟容量大的内部传输率高;在单碟容量相同时,转速高的硬盘的内部传输率高。
  
    自动检测分析及报告技术(Self-Monitoring Analysis and Report Technology,简称S.M.A.R.T): 现在出厂的硬盘基本上都支持S.M.A.R.T技术。这种技术可以对硬盘的磁头单元、盘片电机驱动系统、硬盘内部电路以及盘片表面媒介材料等进行监测,当S.M.A.R.T监测并分析出硬盘可能出现问题时会及时向用户报警以避免电脑数据受到损失。S.M.A.R.T技术必须在主板支持的前提下才能发生作用,而且S.M.A.R.T技术也不能保证能预报出所有可能发生的硬盘故障。
  
    磁阻磁头技术MR(Magneto-Resistive Head): MR(MAGNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁头的简称。MR技术可以更高的实际记录密度、记录数据,从而增加硬盘容量,提高数据吞吐率。目前的MR技术已有几代产品。MAXTOR的钻石三代/四代等均采用了最新的MR技术。磁阻磁头的工作原理是基于磁阻效应来工作的,其核心是一小片金属材料,其电阻随磁场变化而变化,虽然其变化率不足2%,但因为磁阻元件连着一个非常灵敏的放大器,所以可测出该微小的电阻变化。MR技术可使硬盘容量提高40%以上。GMR(GiantMagnetoresistive)巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样,是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据,但是GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构,比MR磁头更为敏感,相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化,从而可以实现更高的存储密度,现有的MR磁头能够达到的盘片密度为3Gbit-5Gbit/in2(千兆位每平方英寸),而GMR磁头可以达到10Gbit-40Gbit/in2以上。目前GMR磁头已经处于成熟推广期,在今后的数年中,它将会逐步取代MR磁头,成为最流行的磁头技术。
  
    缓存: 缓存是硬盘与外部总线交换数据的场所。硬盘的读数据的过程是将磁信号转化为电信号后,通过缓存一次次地填充与清空,再填充,再清空,一步步按照PCI总线的周期送出,可见,缓存的作用是相当重要的。在接口技术已经发展到一个相对成熟的阶段的时候,缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素。目前主流硬盘的缓存主要有512KB和2MB等几种。其类型一般是EDO DRAM或SDRAM,目前一般以SDRAM为主。根据写入方式的不同,有写通式和回写式两种。写通式在读硬盘数据时,系统先检查请求指令,看看所要的数据是否在缓存中,如果在的话就由缓存送出响应的数据,这个过程称为命中。这样系统就不必访问硬盘中的数据,由于SDRAM的速度比磁介质快很多,因此也就加快了数据传输的速度。回写式就是在写入硬盘数据时也在缓存中找,如果找到就由缓存就数据写入盘中,现在的多数硬盘都是采用的回写式硬盘,这样就大大提高了性能。
  
    连续无故障时间(MTBF):指硬盘从开始运行到出现故障的最长时间。一般硬盘的MTBF至少在30000或40000小时。
  
    部分响应完全匹配技术PRML(Partial Response Maximum Likelihood):能使盘片存储更多的信息,同时可以有效地提高数据的读取和数据传输率。是当前应用于硬盘数据读取通道中的先进技术之一。PRML技术是将硬盘数据读取电路分成两段“操作流水线”,流水线第一段将磁头读取的信号进行数字化处理然后只选取部分“标准”信号移交第二段继续处理,第二段将所接收的信号与PRML芯片预置信号模型进行对比,然后选取差异最小的信号进行组合后输出以完成数据的读取过程。PRML技术可以降低硬盘读取数据的错误率,因此可以进一步提高磁盘数据密集度。
  
    单磁道时间(Single track seek time):指磁头从一磁道转移至另一磁道所用的时间。
  
    超级数字信号处理器(Ultra DSP)技术:用Ultra DSP进行数学运算,其速度较一般CPU快10到50倍。采用Ultra DSP技术,单个的DSP芯片可以同时提供处理器及驱动接口的双重功能,以减少其它电子元件的使用,可大幅度地提高硬盘的速度和可靠性。接口技术可以极大地提高硬盘的最大外部传输率,最大的益处在于可以把数据从硬盘直接传输到主内存而不占用更多的CPU资源,提高系统性能。
  
    硬盘表面温度: 指硬盘工作时产生的温度使硬盘密封壳温度上升情况。硬盘工作时产生的温度过高将影响薄膜式磁头(包括MR磁头)的数据读取灵敏度,因此硬盘工作表面温度较低的硬盘有更好的数据读、写稳定性。
  
    全程访问时间(Max full seek time):指磁头开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间。
  
    接口技术:口技术可极大地提高硬盘的最大外部数据传输率,现在普遍使用的ULTRAATA/66已大幅提高了E-IDE接口的性能,所谓UltraDMA66是指一种由Intel及Quantum公司设计的同步DMA协议。使用该技术的硬盘并配合相应的芯片组,最大传输速度可以由16MB/s提高到66MS/s。它的最大优点在于把CPU从大量的数据传输中解放出来了,可以把数据从HDD直接传输到主存而不占用更多的CPU资源,从而在一定程度上提高了整个系统的性能。由于采用ULTRAATA技术的硬盘整体性能比普通硬盘可提高20%~60%,所以已成为目前E-IDE硬盘事实上的标准。
  
    SCSI硬盘的接口技术也在迅速发展。Ultra160/mSCSI被引入硬盘世界,对硬盘在高计算量应用领域的性能扩展极有裨益,处理关键任务的服务器、图形工作站、冗余磁盘阵列(RAID)等设备将因此得到性能提升。从技术发展看,Ultra160/mSCSI仅仅是硬盘接口发展道路上的一环而已,200MB的光纤技术也远未达到止境,未来的接口技术必将令今天的用户瞠目结舌。
  
    光纤通道技术具有数据传输速率高、数据传输距离远以及可简化大型存储系统设计的优点。目前,光纤通道支持每秒200MB的数据传输速率,可以在一个环路上容纳多达127个驱动器,局域电缆可在25米范围内运行,远程电缆可在10公里范围内运行。某些专门的存储应用领域,例如小型存储区域网络(SAN)以及数码视像应用,往往需要高达每秒200MB的数据传输速率和强劲的联网能力,光纤通道技术的推出正适应了这一需求。同时,其超长的数据传输距离,大大方便了远程通信的技术实施。由于光纤通道技术的优越性,支持光纤界面的硬盘产品开始在市场上出现。这些产品一般是大容量硬盘,平均寻道时间短,适应于高速、高数据量的应用需求,将为中高端存储应用提供良好保证。
  
    IEEE1394:IEEE1394又称为Firewire(火线)或P1394,它是一种高速串行总线,现有的IEEE1394标准支持100Mbps、200Mbps和400Mbps的传输速率,将来会达到800Mbps、1600Mbps、3200Mbps甚至更高,如此高的速率使得它可以作为硬盘、DVD、CD-ROM等大容量存储设备的接口。IEEE1394将来有望取代现有的SCSI总线和IDE接口,但是由于成本较高和技术上还不够成熟等原因,目前仍然只有少量使用IEEE1394接口的产品,硬盘就更少了。
  
    硬盘:英文“hard-disk”简称HD 。是一种储存量巨大的设备,作用是储存计算机运行时需要的数据。计算机的硬盘主要由碟片、磁头、磁头臂、磁头臂服务定位系统和底层电路板、数据保护系统以及接口等组成。 计算机硬盘的技术指标主要围绕在盘片大小、盘片多少、单碟容量、磁盘转速、磁头技术、服务定位系统、接口、二级缓存、噪音和S.M.A.R.T. 等参数上。
  
    碟片:硬盘的所有数据都存储在碟片上,碟片是由硬质合金组成的盘片,现在还出现了玻璃盘片。目前的硬盘产品内部盘片大小有:5.25,3.5,2.5和1.8英寸(后两种常用于笔记本及部分袖珍精密仪器中,现在台式机中常用3.5英寸的盘片)。
  
    磁头:硬盘的磁头是用线圈缠绕在磁芯上制成的,最初的磁头是读写合一的,通过电流变化去感应信号的幅度。对于大多数计算机来说,在与硬盘交换数据的过程中,读操作远远快于写操作,而且读/写是两种不同特性的操作,这样就促使硬盘厂商开发一种读/写分离磁头。在1991年,IBM提出了它基于磁阻(MR)技术的读磁头技术――各项异性磁 ,磁头在和旋转的碟片相接触过程中,通过感应碟片上磁场的变化来读取数据。在硬盘中,碟片的单碟容量和磁头技术是相互制约、相互促进的。
  
    AMR(Anisotropic Magneto Resistive,AMR):一种磁头技术,AMR技术可以支持3.3GB/平方英寸的记录密度,在1997年AMR是当时市场的主流技术。
  
    GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻):比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上,GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的:一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。前3个层控制着磁头的电阻。在栓层中,磁场强度是固定的,并且磁场方向被相临的交换层所保持。而且自由层的磁场强度和方向则是随着转到磁头下面的磁盘表面的微小磁化区所改变的,这种磁场强度和方向的变化导致明显的磁头电阻变化,在一个固定的信号电压下面,就可以拾取供硬盘电路处理的信号。
  
    OAW(光学辅助温式技术):希捷正在开发的OAW是未来磁头技术发展的方向,OAW技术可以在1英寸宽内写入105000以上的磁道,单碟容量有望突破36GB。单碟容量的提高不仅可以提高硬盘总容量、降低平均寻道时间,还可以降低成本、提高性能。
  
    PRML(局部响应最大拟然,Partial Response Maximum Likelihood):除了磁头技术的日新月异之外,磁记录技术也是影响硬盘性能非常关键的一个因素。当磁记录密度达到某一程度后,两个信号之间相互干扰的现象就会非常严重。为了解决这一问题,人们在硬盘的设计中加入了PRML技术。PRML读取通道方式可以简单地分成两个部分。首先是将磁头从盘片上所读取的信号加以数字化,并将未达到标准的信号加以舍弃,而没有将信号输出。这个部分便称为局部响应。最大拟然部分则是拿数字化后的信号模型与PRML芯片本身的信号模型库加以对比,找出最接近、失真度最小的信号模型,再将这些信号重新组合而直接输出数据。使用PRML方式,不需要像脉冲检测方式那样高的信号强度,也可以避开因为信号记录太密集而产生的相互干扰的现象。 磁头技术的进步,再加上目前记录材料技术和处理技术的发展,将使硬盘的存储密度提升到每平方英寸10GB以上,这将意味着可以实现40GB或者更大的硬盘容量。
  
    间隔因子:硬盘磁道上相邻的两个逻辑扇区之间的物理扇区的数量。因为硬盘上的信息是以扇区的形式来组织的,每个扇区都有一个号码,存取操作要通过这个扇区号,所以使用一个特定的间隔因子来给扇区编号而有助于获取最佳的数据传输率。
  着陆区(LZ):为使硬盘有一个起始位置,一般指定一个内层柱面作为着陆区,它使硬盘磁头在电源关闭之前停回原来的位置。着陆区不用来存储数据,因些可避免磁头在开、关电源期间紧急降落时所造成数据的损失。目前,一般的硬盘在电源关闭时会自动将磁头停在着陆区,而老式的硬盘需执行PARK命令才能将磁头归位。
  
    反应时间:指的是硬盘中的转轮的工作情况。反应时间是硬盘转速的一个最直接的反应指标。5400RPM的硬盘拥有的是5.55 MS的反应时间,而7200RPM的可以达到4.17 MS。反应时间是硬盘将利用多长的时间完成第一次的转轮旋转。如果我们确定一个硬盘达到120周旋转每秒的速度,那么旋转一周的时间将是1/120即0.008333秒的时间。如果我们的硬盘是0.0041665秒每周的速度,我们也可以称这块硬盘的反应时间是4.17 ms(1ms=1/1000每秒)。
  
    平均潜伏期(average latency):指当磁头移动到数据所在的磁道后,然后等待所要的数据块继续转动(半圈或多些、少些)到磁头下的时间,单位为毫秒(ms)。平均潜伏期是越小越好,潜伏期小代表硬盘的读取数据的等待时间短,这就等于具有更高的硬盘数据传输率。
  
    道至道时间(single track seek):指磁头从一磁道转移至另一磁道的时间,单位为毫秒(ms)。
  
    全程访问时间(max full seek):指磁头开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间,单位为毫秒(ms)。
  
    外部数据传输率:通称突发数据传输率(burst data transfer rate):指从硬盘缓冲区读取数据的速率,常以数据接口速率代替,单位为MB/S。目前主流硬盘普通采用的是Ultra ATA/66,它的最大外部数据率即为66.7MB/s,2000年推出的Ultra ATA/100,理论上最大外部数据率为100MB/s,但由于内部数据传输率的制约往往达不到这么高。
  
    主轴转速:是指硬盘内电机主轴的转动速度,目前ATA(IDE)硬盘的主轴转速一般为5400-7200rpm,主流硬盘的转速为7200RPM,至于SCSI硬盘的主轴转速可达一般为7200-10

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个人最常用的集成库了,平时做项目用到的器件和封装都能在里边找到的! 74ACT573T 双向数据传输 74HC138 138译码器 74HC154 4-16译码器 74HC595 移位寄存器 74HC4052 双通道模拟开关 74HVC32M 双输入或门 74LS32M 双输入或门 74VHC04M 非门 ACS712 电流检测芯片 ACT45B 共模电感 AD5235 数控电阻 AD8251 可控增益运放 AD8607AR 双运放 AD8667 双运放 AD8672AR 双运放 ADG836L 双刀双掷数字开关 AFBR-5803-ATQZ 光以太网 AS1015 可调升压芯片 ASM1117 3.3V稳压芯片 AT24C02 EEROM存储器 AT89S52 51系列单片机 Battery 备份电池 BC57F687 蓝牙音频模块 BCP68 NPN三极管 BCP69T PNP三极管 BEEP 蜂鸣器 BMP 闪电符号 BTS7970 电机驱动 Butterfly 功率激光器 Butterfly-S 功率激光器 Cap 无极性电容 Cap Pol 极性电解电容 CD4052BCM 双通道模拟开关 CG103 BOSCH点火芯片 CHECK 测试点 CY7C026AV RAM CY7C1041CV33 RAM D-Schottky 肖特基二极管 DAC8532 数模转换 D Connector 9 串口 D Connector 15 VGA Diode 二极管 Diode-Z 稳压二极管 Diode_CRD 恒流二极管 DM9000A 网络芯片 DM9000C 网络芯片 DP83848I 网络芯片 DPY-4CA 共阳4位数码管 DPY-4CK 共阴4位数码管 DRV411 闭环磁电流 DS18B20 温度传感器 DS1307Z 实时时钟 EMIF 接插件 FIN 散热片 FM24CL16 铁电存储器 FPC-30P FPC排线连接器 FPC-40P FPC排线连接器 FT232RL USB转串口 Fuse 2 保险丝 FZT869 NPN三极管 G3VM-61 半导体继电器 GA240 Freescale16位单片机 Header 2 接插件 Header 2X2A 接插件 Header 2X2B 接插件 Header 3 接插件 Header 4 接插件 Header 5X2 接插件 Header 6 接插件 Header 7X2 Header, 7-Pin Header 8 Header, 8-Pin Header 8X2A 接插件 Header 10 Header, 10-Pin Header 10X2 Header, 10-Pin Header 14X2B 2*14双排插针 Header 16 Header16贴片 Header 16X2 接插件 Header 32X2 接插件 Header 40 接插件 Header_AMP50 控制器接插件 HFBR-1414 光发送 HFBR-2412 光接收 HFKC 单刀双掷继电器 HK4100F 单刀双掷继电器 HR911103A 网络接口 HR911105A 以太网接口 HS0038B 红外接收器 Inductor 电感 IS61LV51216 静态RAM ISO7221 隔离芯片 JoyStick 模拟摇杆 L298 ST双电桥 L5150BN 5V稳压芯片 LCD_CON37 LCD接口 LD-6.0mm 5MW激光 LD-MOD 激光调制管 LED-RGB 三基色LED LED0 发光二极管 LED1 双色LED LM317 稳压芯片 LM324 4运放SOP8芯片 LM358 双运放 LM2577S-ADJ DC升压 LM2577T-ADJ DC升压 LM2596S-5.0 5V稳压芯片 LM2596S-ADJ 可调稳压芯片 LM2596T-5.0 5V稳压芯片 LM2596T-ADJ 可调稳压芯片 LM2940 5V稳压芯片 LM2940CT-5.0 1A 5V LM2991S 稳压芯片 LM7171 单运放 LM7818CT Series 3-Terminal Positive Regulator LM7905CT 稳压芯片 LMV951 超低功耗运放 LOG114 光电检测 LT1678 双运放 LTC1044CD Switched-Capacitor Voltage Converter LTC6652 电压基准 M95640 MAX232 +5V Powered, Multi-Channel RS-232 Driver/Receiver MAX660CSA -5V电源芯片 MAX3221 串口电平转换 MAX4173 高端电流检测 MAX6126 电压基准 MAX8069 1.2V稳压二极管 MAX8654 MAX11046ECB+ AD转换 MC9S12GXX 飞思卡尔单片机 MC9S12X 飞思卡尔单片机 MC33789 飞思卡尔传感器 Mic2 Microphone MOSFET-N N-Channel MOSFET MOSFET-P P-Channel MOSFET MPC5602_64P Freescale PowerPC PD 光电二极管 PESD1CAN 过压保护 PJ-306 立体声耳机插座 PR_8 8排直播排电阻 PWRCON 直流电源端子 RCA RCA Phono Jack Res1 贴片电阻 RPot 精密可调电阻 RUE002N02 低功耗MOSFET S8050 NPN三极管 S8550 PNP三极管 S9014 NPN三极管 SC040 语音 SDCARD SD卡自弹 SDCARD-M TF卡槽 SMB460 SMB460 SMB492 外围加速度传感器 SN65HVD230 CAN芯片 SN74LVC SN74LVTH245 双向数据传输 SN75452 Dual Peripheral Driver SP3485 485总线芯片 Speaker Speaker SPX1117M3-3.3 3.3V稳压芯片 SPX1117M3-5.0 5.0V稳压芯片 SS8050 NPN贴片三极管 SS8550 PNP贴片三极管 SS9014 NPN贴片三极管 ST188 反射式光电传感器 STM32F103C STM32单片机48引脚 STM32F103V STM32单片机100引脚 STM32F103Z STM32单片机144引脚 STM32F105V STM32单片机100引脚 STM32F107V STM32单片机100引脚 STM32F407V STM32单片机100引脚 STM32F407Z STM32单片机144引脚 SW-DIP8 8位直插拨码开关 SW-EC11 旋转编码开关 SW-PB4 微动开关 SW DIP-4 编码开关 SW-DPDT 单刀双掷开关 SW-PB 微动开关 SW-SPDT 开关 TL082ACD JFET-Input Operational Amplifier TLP281 光耦 TMR 隧道磁电阻 TMS320F28335 DSP芯片 TOSA 激光器 TP4056 锂电池充电管理 TPS3305 DSP电源管理 TPS6735 负电压芯片 TPS70302 DSP电源芯片 TQ2SA 单通道继电器 TQ2SA-L2 双通道双稳态继电器 TSC2046IPW 触摸驱动芯片 TVP5150AM1 视频解码芯片 TVS TVS保护 ULN2003L 驱动芯片 USB USB接口 USB_M MicroUSB接口 VS10XX 音频解码芯片 W25QXX SPI FLASH XATLS 贴片有源晶振 XTAL 晶振 XTAL-3PIN 贴片晶振 XTAL_SM 圆柱晶振
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