nand flash中的坏块

NAND Flash的坏块

1）为什么会出现坏块

由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。
坏块的特性是：
    当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。

2）坏块的分类
总体上，坏块可以分为两大类
a.固有坏块
这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。

b.使用坏块
这是在NAND Flash使用过程中，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的 spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。

3）坏块管理

    根据上面的这些叙述，可以了解NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下spare area的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。

当然，这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，我们就要奉行“蒋委员长”的“宁可错杀一千，也决不放过一个”的宗旨。

4）补充
   （1）需要对前面由于Page Program错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。

    当然，这可能会犯“错杀”之误，一个补救的办法，就是在进行完页备份之后，再将这个块擦除一遍，如果Block Erase发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块，那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧！
（2）可能有人会问，为什么要使用spare area的第六个byte作为坏块标记。这是NAND Flash生产商的默认约定，你可以看到Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。

//20080522

 xdfc_read读取一个Page不会出问题,如果连续读取1个blocks大小，将会错误！svn://192.168.1.250/blob/pool/b074_d...ptp_pxa930/DKB

volatile UINT32_T   r_es; volatile UINT32_T   r_os; int verify_flash_data(FlashBootType_T fbt) {     UINT_T Retval;     P_FlashProperties_T pFlashP = GetFlashProperties(fbt);     ReadFlash_F read;     UINT_T tmp_buffer; #define page_size           (2048) #define block_size          (64*page_size) #define read_start_addr    (1*block_size) #define read_end_addr      (2048*block_size) //waste 1:30     int i,j;     read = pFlashP->ReadFromFlash;     tmp_buffer = 0x80800000;     r_es = r_os = 0;     for(i = read_start_addr;i < read_end_addr;i += block_size)     {         for(j = 0;j < block_size;j += page_size)         {             Retval = read(i + j, tmp_buffer, 2048, fbt);             if(Retval == NoError)r_os++;             else r_es++;         }     } } volatile UINT32_T   w_es; volatile UINT32_T   w_os; int write_flash_data(FlashBootType_T fbt) {     UINT_T Retval;     P_FlashProperties_T pFlashP = GetFlashProperties(fbt);     WriteFlash_F write = pFlashP->WriteToFlash;     UINT_T tmp_buffer; #define block_size          (64*2048) #define write_start_addr    (1*block_size) #define write_end_addr      (2048*block_size) //waste 1:30     int i;     tmp_buffer = 0x80800000;     {         char *p = (char*)tmp_buffer;         for(i = 0;i < block_size;i++)         {             *p++ = i;         }     }     w_es = w_os = 0;     for(i = write_start_addr;i < write_end_addr;i += block_size)     {         Retval = write(i, tmp_buffer, block_size, fbt);         if(Retval == NoError)w_os++;         else w_es++;     } }

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