NANDFLASH的学习（二）

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三、动态坏块处理

（一）、坏块的概念

NAND Flash由于生产工艺的问题，会存在一定数量的坏块。它产生的原因是解码失败、地址线错误和存储单元等，当区块超出擦写次数时也很容易变成坏块。当区块变成坏块，则不可以对其进行擦写和写操作，相当于这部分资源报废了。但坏块和好块之间是相互独立的，这是由于他们被一个选定的晶体管把位线和指令线分开。说到NAND Flash肯定会有人想到NOR Flash是不是没有坏块呢？其实它也有坏块，不过相对来说比较少，它在内部通常会通过循环冗余比特校验或者纠错码来进行管理。同时由于NOR Flash可直接寻址且可在内部运行代码，它的使用会更加多样性，而NAND Flash相对来说比较简单，需要搭配控制器及驱动芯片才可对其操作。坏块标记的流程大致如下。

（二）、坏块管理的方法

由于对块进行擦写或者写操作失败时以及超出ECC纠错码的纠正能力时该块可以标记为坏块，坏块管理软件会将坏块重新映射地址到一个好块。当存储了有效数据的块成为坏块后，只是不能进行数据擦除和写操作，但这不影响读操作。所以我们可以将坏块数据读出来然后存放到好块里，这样子坏块就被好块替换了。下面介绍两种常用的寻找好块的方法。

1、跳过坏块

该方法通过读每个块的坏块标记位，建立坏块表，当要写数据的块是坏块时则跳过此块将数据写入到下一块。该坏块对应好块的表也要存储于Flash中。

2、保留坏块

该方法和上述方法相似，但是当遇到坏块时它不跳过坏块，而是建立逻辑-物理映射关系，将坏块的逻辑地址映射到一个好块，从而达到替换坏块的目的。所以坏块管理软件将NAND Flash分为两个部分，分别为用户可寻址区域（User Addressable Block Area）和保留块区域（Reserve Block Area）。其中前一区域用于存储数据、系统应用程序（全都是好块），后者则用于替换坏块并将要替代的坏块信息保存下来。在该模式下，保留块区域的起始地址和大小需要预先给出，它可由坏块管理软件或用户决定。有些厂家会提供一个关于保留块大小，如ST公司的为块总数的2% 。如果NAND Flash有2048个块，则其中2008个块用于用户可寻址区域，其余的40个块用于保留块区域。NAND Flash的内存划分如下图。

当文件系统写一个逻辑区块（sector）时，会先计算出要写的物理地址然后检测该块是否为坏块。如果是坏块的话，那么它会将该区块的逻辑地址