三星终于从爆炸门中走了出来,受到来自DRAM 与NAND 价格上涨带动,三星把Intel从盘踞了14年的半导体王座上赶了下来,风光可谓一时无两。虽然下半年市况预料将会修正,但今年整体DRAM 仍可较去年成长39%,NAND 则成长25%,而这两项恰恰曾经帮助过Intel走向巅峰,真是成也萧何,败也萧何啊。说起NAND Flash,他和他的哥哥NOR Flash可谓是20世纪最重要的发明之一,他的诞生和发展很是曲折,生于日本,长于美国,如今却在韩国大放异彩。今天的历史故事要从他的发明人桀冈富士雄(Fujio Masuoka)和他的狗血东家说起。
历史
Intel很早就发明了EPROM,这是一种可以用紫外线擦除的存储器。相较于ROM,它的内容可以更新而且可以保持10~20年,老式电脑的BIOS都存储于此。
(Intel 1702)
它的顶部必须被覆盖住,以防被阳光里的紫外线擦除。后来Intel在其基础上于1978年发明了电可擦除的升级版叫做EEPROM。不需要阳光的帮忙,方便多了,可是读取和擦除速度却非常缓慢。
这时我们的主人公富士雄出场了,他于1971年加入了东芝公司。受到了EEPROM的启发,他开始利用自己夜晚和周末的时间钻研一种能快速擦除的EERPOM。他在1980年取得突破,申请了一个叫做simultaneously erasable EEPROM的专利。然而,日本大公司的论资排辈却让这项