s3c2440_Nand Flash Controller

本文介绍了S3C2440芯片中的Nand Flash控制器,强调Nand Flash的非随机访问特性以及K9F208U0A的存储结构。Nand Flash控制器通过简化寄存器操作来管理读写,如NFCONF、NFCONT、NFCMMD等。文中还提及启动代码如何从Nand Flash复制到SDRAM执行。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Nand Flash简介: Nand Flash是由日本的东芝公司(Toshiba)于1989年发明。它具有掉电后仍能保存数据的特点,类似于PC上的硬盘,可以用来存放操作系统、应用程序、各个进程产生的各类数据。【Nor Flash是在1988年时由美国的Intel公司发明,比较贵,写入速度较慢,寿命较短,不易发生位反转等特点】

Nand Flash的接口是I/O接口,不能随机访问任意地址上的数据,只能顺序访问并且是串行访问,因此代码不能直接在上面执行。而Nor的是和RAM的接口相同的,支持XIP(eXecute In Place立地执行),不需要将其中的代码复制到内存中执行。


tq2440开发板上面用到的nand是K9F208U0A,原理图如上。

引脚功能:

8个I/O口:写操作时,用来输入命令,行列地址和数据;读操作时,只输出数据;不使用芯片时I/O处于高阻态。

CLE:命令锁存使能端为高电平“1”同时CE和WE为“0”时I/O上的命令送入命令寄存器中,并且在WE的上升沿到来时锁定写入。ALE是地址锁存使能端,使用和CLE一样。当CLE和ALE都无效时数据有效。从下面的表中可以知道写入命令、地址和数据都是在WE上升沿到来时锁定的。RE:读使能端,要读数据时“0”有效。这些引脚的高低电平的设置只需要配置2440的相关寄存器就可以自动完成。


物理结构:容量为256MByte,内部需要28(2^28bit=256MB)条地址线(包括了:行地址和列地址),我们可能会疑惑连接nand的总线宽度只有8位(8个I/O),实际要用到的地址宽度远比这个大。如此的结构是为了减小芯片的体积和提高可扩展性。

K9F208U0A以页(Page)为单位进行读写,以块(Block)为单位进行擦除。

1Blo

移动电话的功能日益丰富,其对系统中数据存储容量的需求正在快速增长。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特点,在各种数码产品中得到了广泛 应用,在各种片上系统芯片中(SOC)集成NAND Flash控制器正成为一种趋势。 本文讨论了Flash Memory的两种主流实现技术即NAND Flash和NOR Flash 的特点和区别,分析了市场上存在的NAND Flash的典型规格及其存储结构特点, 阐述了不同NAND Flash器件一些通用的存取操作方式,近一步分析了进行这些 存取操作所必须满足的时序规范,在此基础上,结合某公司手机SOC芯片的设计 需求,提出了一种基于AMBA总线的NAND Flash控制器实现方案,对该实现方 案进行了充分的验证工作。 本文所提出的控制器的实现方式,可以支持市场上存在的两种典型规格的 NAND Flash器件,可同时外接1至4个Flash芯片,通过可配置的控制方式可灵 活的对不同存取速度的器件予以支持,具备良好的可扩展性。在控制器的主控逻 辑设计中,采取了“块读’’和“块写”方式实现对大页器件的读页和写页操作, 这种方式有效减小了控制器中用做数据缓存的buffer大小,降低了芯片面积。针 对NAND Flash在使用过程中可能出现的位反转现象,在控制器的设计中加入了错 误检测和纠错功能。论文深入分析了ECC(Error Checking and Correcting)算法,讨 论了ECC算法的硬件实现和优化方法。在不影响对存储器读写效率的前提下,实 现对数据的存取进行实时的高速检错和纠错,为提高NAND Flash的可靠性提供了 硬件上的支持。 对控制器的验证采用了模拟验证和FPGA验证两种方式。在模拟验证阶段对 控制器的所有功能点进行全面验证,结果正确后,在Xilinx公司的Vertex4开发板 上对控制器进行了FPGA验证。结果表明控制器能正确控制对于NAND Flash的各 种存取操作,工作完全正常。 本文设计验证的NAND Flash控制器即将应用于某公司的SOC手机芯片,提 出的控制器实现方案对NAND Flash控制系统的设计优化具有普遍适用性,论文研 究的工程实用价值大。
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