国标和美标耳机兼容IC

最新推荐文章于 2023-06-09 14:48:02 发布
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分类专栏： HEADSET
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由于国标和美标耳机的定义不同，需要切换IC来实现兼容(有些高端pmic内部有集成该电路)，否则手机无法识别mic。有下列的IC

TI的TS3A226AE

韦尔半导体的WAS4732D

ic内部框架图

切换原理

pmic的mic脚内部有ADC电路，可以测量mic的电压，国标耳机和美标耳机插入时，mic脚的电压不一样，cpu从而控制gpio让ic导通相应的引脚。

那颗流星
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使用TI TS3A226AE 设计的可检测 3 极或 4 极 3.5mm 配件的耳机检测开关-电路方案
04-23
描述 该参考设计适用于自主音频耳机开关应用。一些音频耳机已经集成了模拟麦克风。音频插孔连接器上的 GND 和 MIC 连接可调换，具体取决于制造商。该设计可以检测音频耳机上是否配有模拟麦克风、检测 MIC 和接地引脚的引脚配置，以及将系统 MIC 引脚切换至正确的音频插孔连接器。这使得客户的音频解决方案能够与所有制造商的耳机无缝配合使用。 特性 VDD 范围 = 2.6V 至 4.7V，带接地 FET 开关（60mΩ 典型 RON） 由外部触发器引脚启动检测 支持通过接地 FET 传输 FM 信号 减少卡嗒/爆裂噪音 总谐波失真 (THD) (Mic):典型值 0.002% 8kV 接触放电 (IEC 61000-4-2) ESD 额定值（针对 Sleeve、Ring2 和 Tip）
ISO7816ic卡国标
12-25
ic卡国标ic卡国标ic卡国标ic卡国标
耳机兼容芯片ts3a226e实现方案
bob_fly1984的专栏
07-04 1533
1：芯片概述 该芯片是一个探测耳机类型的switch，自动探测3段式耳机和4段式耳机，也可以自动探测国标类型的耳机和美标类型的耳机。 支持FM接收 功耗：典型值6.5μA Power supply：VDD供电 控制接口：EN脚 工作触发条件：EN脚拉高 2：高通现有逻辑 上面流程是polling 3秒的一次过程。
美标耳机和国标耳机硬件兼容设计-两线交换的硬件连接
kingsai2012的博客
03-13 7744
美标耳机四极接法：从最前头开始数1234，左/右声道/地线/麦系统。 国标耳机四极接法：从最前头开始数1234，左/右声道/麦系统/地线。 它们不同之处，就是地线和麦系统（MIC）两个接触点进行了前后互换。大部份而言，美标的中间三节隔离绝缘圈，一般是都是白色的。而国标为了有所分别，一般是都是黑色的，大部份可通过此方法来识别。如果您错用了不同标准的耳机，就会出现听歌时，可能只听见其中一边或是伴奏
科普 | 3.5mm的国标耳机和美标耳机
小哈里的博客
03-02 2万+
1、国标与美标 国标耳机即接口定义标准为国家标准（OMTP） 的耳机，其插头触点的接线定义从尖端到接线处依次是：左声道—右声道—麦克风—地线。该标准被 大多数国产品牌手机和少数国外品牌使用，兼容苹果系列的行货手机IOS7以上系统。 美标耳机即接口定义标准为国际标准（CTIA） 的3.5mm接口，其插头触点的接线定义从尖端到接线处依次是：左声道—右声道—地线—麦克风，该标准被 大多数国际品牌手机使用，可兼容苹果系列和非苹果系列的手机。 2、标准区分 由于美标和国标的差别就在于MIC和地线的位置
基于WAS4732D模拟开关的耳机识别方案
01-27
为了实现对不同耳机检测的需求，提出了一种基于WAS4732D模拟开关的耳机自动识别设计方案，并完成系统的软硬件设计。该方案的硬件部分主要用来实现语音信号通信和检测，软件部分实现相关逻辑状态判断，能够完成对不同标准耳机的识别。实际应用表明，该方案具有成本较低，逻辑控制简单、芯片小封装设计等特点，达到了耳机自识别设计要求。
SSS1700 QFN36单芯片设计一款USB Typec耳机|支持线控和欧美规自动切换USB耳机方案
QQ1540182856的博客
03-24 2351
SSS1700 QFN36小封装单芯片支持USB音频输入，耳机输出，支持美标/国标自动切换， 带线控功能，适用各种USB耳机，USB麦克风，USB声卡芯片方案，USB Typec线控耳机方案，SSS1700芯片可以控制音量增大、音量减小、播放静音、录制静音、下一首曲目、上一首曲目、停止和播放/暂停引脚。 sss1700 USB耳机方案设计参考电路： SSS1700功能特点： 1.SSS1700可以自动调节增益 SSS1700具有AGC（自动增益控制）功能。它可以自动调整ADC的输出范围，使ADC
美标与欧标耳机区别
u010783226的专栏
01-10 4698
NO是常开（NORMAL OPEN)，就是通常即未通电状态下，是断开的，通电后在电磁线圈的作用下（吸合）处于闭合状态。NC是常闭(NORMAL CLOSE)，就是通常即未通电状态下，是闭合的，通电后在电磁线圈的作用下（吸合）处于断开状态。 指接触器、继电器等电气开关元件辅助触点在常态下（未通电时）的状态； Android 耳机驱动知识 | 引商刻羽，杂以流徵 相应的，耳机座也分为支持欧标设计的耳机座和支持美标设计的耳机座。另外，从耳机座左声道的检测方式来又可以分为 “Nomally-clo..
耳机插拔检测原理及应用
weixin_43699191的博客
06-09 6093
三段、四段耳机插拔检测及应用
耳机接口学习
m0_37591107的博客
05-23 133
三段 四段耳机介绍: https://jingyan.baidu.com/article/93f9803f085796e0e46f5588.html 耳机MIC引入ADC是做什么用？ http://bbs.52rd.com/Thread-191293-1-1.html
国标ETC中非接触IC卡部分的设计和实现
11-09
为了适合国标的要求,对其的设计和实现也是整个电子收费系统的一个重要部分。本文从多个方面考虑和设计了结构,并最终实现了这个部分。 　1：背景 　ETC 的全称是Electric Toll Collection，意思就是电子收费，通常...
电磁兼容-国标
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这个是电磁兼容的国家标准，仅供个人学习用途，请勿用于商业用途！
ANSI美标法兰尺寸与国标尺寸对照表
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ANSI美标法兰尺寸与国标尺寸对照表
EMC电磁兼容性测试国标（免费）-综合文档
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EMC电磁兼容性测试国标 1. 900/1800MHz TDMA数字蜂窝移动通信PDA 手机EMC电磁兼容性测试 1. 1 范围 本标准规定了发送和接收语音和/或数据的第一阶段和第二段GSM 900MHz和DCS 1800MHz数字蜂窝通信系统的移动...
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数字耳机和模拟耳机 模拟耳机即我们的常见的3.5mm接口的耳机，包括左右声道，地或者mic，如左图。 数字耳机(右图)包含一个usb声卡+DAC&&ADC+amp+模拟耳机，当数字耳机接入到手机(otg)或者电脑后，手机或者电脑识别到了usb设备，并创建相应的声卡后，数字音频信号通过usb传输到数字耳机后，数字耳机通过DAC转换并放大信号，就可以...
高通平台的耳机检测(msm8909)
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          记录高通msm8909耳机检测的机制，相关代码 kernel/arch/arm/boot/dts/qcom/msm8909-qrd-skuc.dtsi sound { compatible = "qcom,msm8x16-audio-codec"; qcom,model = "msm8909-skuc-snd-card"; qcom,msm-snd-card...
mtk平台typec模拟耳机补丁
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01-01 3778
typec模拟耳机在某些高端手机上已经很常见了，但拿到的代码默认不支持type模拟耳机(在某些平台上默认就是typec模拟耳机)，那只能自己修改了。 这里用的版本为Android11，kernel4.19。 由于默认的耳机检测驱动mt6357-accdet.c已换成ko的形式(非ko方式可忽略该修改)，导致无法调用该驱动里的函数，先把该驱动编译进内核。 defconfig加入CONFIG_SND_SOC_MT6357_ACCDET=y BoardConfig.mk @@ -53,8 +53,7
mtk平台耳机检测流程记录
Android开发
11-15 2626
检测方案 检测方案1(主流方案):耳机插拔中断接的PMIC(HP_EINT+ACCDET) CONFIG_ACCDET_EINT_IRQ&& CONFIG_ACCDET_SUPPORT_EINT0 CONFIG_ACCDET_EINT_IRQ&& CONFIG_ACCDET_SUPPORT_EINT1//平台默认的是EINT0，EINT1不确定具体作用 检测方案2:耳机插拔中断接AP(EINT_EAR+ACCDET) 共同点:A...
国标gb半导体失效类型和机理
最新发布
07-28
GB（国标）半导体失效类型和机理各有不同。以下是一些常见的GB（国标）半导体失效类型和机理的说明： 1. 热失效：长期高温工作环境下，半导体器件容易出现热失效现象，主要是由于温度引起材料内部结构松散、某些杂质或缺陷被激活、材料化学反应等导致的。这种热失效会导致半导体器件性能下降或完全失效。 2. 电热失效：电热失效是在高电流和高功率条件下产生的。高电流通过器件时，会引起电压降低和局部过热，导致结构松散、材料膨胀不均、导电层变薄等问题，最终导致半导体失效。 3. 氧化失效：由于氧化物等杂质的存在，半导体器件在工作过程中会与氧气发生反应，形成几种不同类型的氧化物。这些氧化物可能会导致内部结构松散、介质性能下降、电流漏失等问题，进而导致半导体器件失效。 4. 力学失效：力学失效通常是由于处理、装配或环境应力引起的。力学失效会导致半导体器件内部结构破裂、连接引线脱落等问题，最终导致性能丧失。 5. 电气失效：电压过高、电流过大、电场强度过大等电气因素会导致半导体器件发生电气失效。这种失效可能表现为器件损坏、内部击穿、电流漏失等。 总的来说，GB（国标）半导体失效类型和机理是多种多样的，主要包括热失效、电热失效、氧化失效、力学失效和电气失效等。这些失效类型和机理常常会相互影响和交织在一起，最终导致半导体器件的性能下降或完全失效。因此，在设计、生产和应用过程中，需要对这些失效类型和机理进行合理评估和控制，以提高半导体器件的可靠性和稳定性。

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