只读存储器(ROM)
- 不可擦写ROM
- 掩模ROM(MROM)
- 行列选择线交叉处有MOS管为1
- 行列选择线交叉处无MOS管为0
- PROM(一次性编程)
- 熔丝断为0
- 熔丝有为1
- 掩模ROM(MROM)
- 紫外线擦写ROM
- EPROM(多次编程)
- 通过给D漏极是否加正电压来控制形成G栅极(浮动栅),来控制D漏极和S源极是否通电。SD不导通为0,SD导通为1
- 优点:价格便宜,集成度高
- EPROM(多次编程)
- 电可擦写EEPROM
- 电可擦写
- 局部擦写
- 全部擦写
- Flash Memory(闪速型存储器)
优点:速度最快