只读存储器

2018-1-3

按照ROM的定义而言，一旦注入了原始信息即不能改变，但是随着用户的需要，我们总希望能任意改变ROM内的原始信息。这便出现了PROM，EPROM，EEPROM等。

对于半导体ROM而言，基本器件分为两种：MOS型与TTL型。

1.掩模ROM
（Masked ROM）
我们可以根据行，列交叉处是否有MOS管来判断输出。若行，列交叉处有MOS管，则因其导通使得列线输出为低电平，经放大器反向为高电平，输出为”1”。由于此ROM制作成后不能改变原行，列交叉处的MOS管是否存在，所以，这是不可编程的ROM。

2.PROM
（Programmable ROM）
我们可以根据熔丝断和未断来区别其所存信息为“1”或“0”。若欲存“0”，则置耦合元件大电流，将熔丝烧断。若欲存“1”，则耦合处不置大电流，熔丝不断。当被选中，熔丝断处将读出“0”，未断处将读出“1”。由于已断的熔丝是无法再恢复的，所以，这种ROM往往只能实现一次编程，不得再修改。

3.EPROM
（Erasable Programmable ROM）
我们根据能否形成浮动栅即MOS管能否正常导通判断“1”或“0”的状态。EPROM的改写可用两种方法，一种用紫外线照射，但是擦除时间比较长，而且不能对个别需要改写的单元进行单独擦除或重写。另一种方法用电气方法将存储内容擦除，再重写。
在联机条件下，用电擦除方式或页擦除方式，既可局部擦写，又可全部擦写，这种EPROM就是EEPROM。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）
闪速存储器（Flash Memory），