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RSS订阅原创 磁场基本概念： H, B, M, J
磁场强度H、磁感应强度B、磁化强度M、磁极化强度J之间的关系可以用以下公式概括：物理量符号SI单位CGS单位物理意义磁场强度HA/mOe外加磁场磁感应强度BTGs总磁场磁化强度MA/memu/cm³磁化响应磁极化强度JTGs内禀磁感应。
2026-05-10 13:49:14
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原创 DRAM 内部电路以及读写对应的内部电路工作机理
由于 Tn2 会比 Tn1 更具导通性，/Bitline 上的电压会更快被 SAN 拉到逻辑 0 电压，同理，Bitline 上的电压也会更快被 SAP 拉到逻辑 1 电压。经过特定的时间后，当 Storage Capacitor 的电荷被 Discharge 到 0 状态时，就可以通过控制 Wordline，将 Storage Capacitor 的 Access Transistor 截止，写入 0 的操作就完成了。差异在于，在 Restore 阶段后，还会进行 Write Recovery 操作。
2026-03-18 11:07:41
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原创 Memory ECC (Error Correction Code)
摘要：SOC内存子系统包含DDR控制器、PHY和颗粒，其中ECC机制用于检测和纠正内存错误。ECC通过生成校验数据实现单比特纠错和双比特检测，分为side-band（独立通道）、inline（复用通道）、on-die（颗粒自检）和link（通道纠错）四种类型。side-band和inline实现端到端保护但存在数据累积风险，on-die通过颗粒自检解决漏电和工艺问题，link则针对高速信号完整性。随着DRAM工艺演进和速率提升，on-die与link ECC的组合应用成为提升系统可靠性的关键方案。（149字
2026-03-16 09:35:55
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空空如也
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