DRAM
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DRAM 内部电路以及读写对应的内部电路工作机理
由于 Tn2 会比 Tn1 更具导通性,/Bitline 上的电压会更快被 SAN 拉到逻辑 0 电压,同理,Bitline 上的电压也会更快被 SAP 拉到逻辑 1 电压。经过特定的时间后,当 Storage Capacitor 的电荷被 Discharge 到 0 状态时,就可以通过控制 Wordline,将 Storage Capacitor 的 Access Transistor 截止,写入 0 的操作就完成了。差异在于,在 Restore 阶段后,还会进行 Write Recovery 操作。原创 2026-03-18 11:07:41 · 308 阅读 · 0 评论 -
Memory ECC (Error Correction Code)
摘要:SOC内存子系统包含DDR控制器、PHY和颗粒,其中ECC机制用于检测和纠正内存错误。ECC通过生成校验数据实现单比特纠错和双比特检测,分为side-band(独立通道)、inline(复用通道)、on-die(颗粒自检)和link(通道纠错)四种类型。side-band和inline实现端到端保护但存在数据累积风险,on-die通过颗粒自检解决漏电和工艺问题,link则针对高速信号完整性。随着DRAM工艺演进和速率提升,on-die与link ECC的组合应用成为提升系统可靠性的关键方案。(149字原创 2026-03-16 09:35:55 · 369 阅读 · 0 评论
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