什么是IGBT动态测试参数？IGBT模块要测哪些参数？

　　IGBT如今成为被广泛应用的一款电子器件，而IGBT测试也变的尤为重要，其中动态测试参数是IGBT芯片测试一项重要内容，主要参数有开关参数、栅极电阻、栅极电荷、寄生电容等。

　　IGBT动态测试参数

　　IGBT动态测试参数是评估IGBT模块开关性能的重要依据，其动态测试参数主要有：

　　1. 开通特性

　　开通时间T(on)：是开通延时时间Td(on)和上升时间Tr之和。

　　开通延时时间Td(on)：指从栅极电压正偏压的10%开始到集电极电流上升至最终值的10%为止的一段时间。

　　上升时间Tr：开通时，集电极电流上升至10%到集电极电流上升至最终值的90%为止的时间。

　　开通损耗E(on)：指开通过程中电压、电流乘积在某一时间段内的积分。

　　2. 关断特性

　　关断时间T(off)：是关断延时时间与下降时间之和。

　　关断延时时间Td(off)：从栅极电压下降至其开通值的90%开始到集电极电流下降到开通值的90%为止的一段时间。

　　下降时间Tf：关断时，集电极电流从开通值的90%下降到10%之间的时间。

　　关断损耗E(off)：关断过程中电压、电流乘积在某一时间段内积分。

　　3. 二极管恢复特性

　　反向恢复时间Trr：指反并联二极管的电流从第一次0点到反向最大值再回到0点的这段时间。

　　反向恢复电流Irr：指反并联二极管从通态向阻断转换的过程中，电流反向达到的最大电流值。

　　反向恢复di/dt：是反并联二极管正向电流的50%到第一次降到0点这一段的电流斜率。

　　反向恢复电荷Qrr：是反并联二极管的电流从第一次0点到第二次0点这段时间内的电荷量。

　　4. 栅极电阻

　　栅极电阻的大小直接影响着开关速度，从而会影响到IGBT芯片的开关损耗。栅极电阻包括：

　　内部栅极电阻(RGint)：内部栅极电阻是为了实现模块内部IGBT芯片的均流。它是单独栅极电阻并联之后的值。

　　外部栅极电阻(RGext)：包括开通电阻(Rgon)和关断电阻(Rgoff)。一般通过不同的充放电回路来设置不同的Rgon和Rgoff。

　　5. 寄生电容

　　寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性，它是影响IGBT芯片动态性能的重要因素。

　　6. 栅极电荷(Qg)

　　栅极电荷在实际设计中依赖于栅极电压的摆动幅度。

　　动态测试是IGBT芯片测试中一项重要测试内容，而纳米软件ATECLOUD-IC芯片测试系统是一款自动化测试软件，在IGBT动态测试中可以解放人力，提高测试速度和效率，并且也会提升测试数据的精准度。该系统支持批量测试功能和数据洞察功能，自动汇总数据并对其进行智能分析，图表数据展现形式可以帮助用户更清晰地观察数据变化情况。并且用户也可以选择自己想要地报告模板，自定义数据报告，一键生成并导出。更多关于芯片测试系统可访问：https://www.namisoft.com/Softwarecenterdetail/1220.html