内存地址从AC000H到C7FFFH,共有 K个地址单元,如果该内存地址按字(16bit)编址,由28片存储器芯片构成。已知构成此内存的芯片每片有16K个存储单元,则该芯片每片存储单元存储 位

内存地址从AC000H到C7FFFH,共有 K个地址单元,如果该内存地址按字(16bit)编址,由28片存储器芯片构成。已知构成此内存的芯片每片有16K个存储单元,则该芯片每片存储单元存储 位
(1)A.96 B.112 C.132 D.156
(2)A.4 B.8 C.16 D.24

1.C7FFF - AC00 +1 = C8000 -AC000 = 1C000
将16进制转成十进制再除以1024得到112 K

一共112个地址单元 每个地址16位 所以总共需要
16 * 112 位的空间
因此(16 * 112K) / (16K * 28 * x)
得出每片存储单元有x位 x = 4

随机存储器 Random Access Memory
也就是平常说的内存 掉电之后信息就会丢失
动态RAM DRAM 静态RAM SRAM

只读存储器 ROM READ-ONLY MEMORY
MROM (MASK ROM,掩模式ROM)
PROM (Programmable ROM,一次可编程 ROM)
EPROM(Erasable PROM,可擦除的 PROM)
闪速存储器(flash memory , 内存)

静态RAM 用触发器作为存储单元存放1 和0,存取速度快,只要不掉电即可持续保持内容不变。一般静态RAM 的集成度较低,成本较高。

动态RAM 的基本存储电路为带驱动晶体管的电容。电容上有无电荷状态被视为逻辑1 和0。随着时间的推移,电容上的电荷会逐渐减少,为保持其内容必须周期性地对其进行刷新(对电容充电)以维持其中所存的数据,所以在硬件系统中也得设置相应的刷新电路来完成动态RAM 的刷新,这样一来无疑增加了硬件系统的复杂程度,因此在单片机应用系统中一般不使用动态RAM。

静态RAM 的基本存储电路为触发器,每个触发器存放一位二进制信息,由若干个触发器组成一个存储单元,再由若干存储单元组成存储器矩阵,加上地址译码器和读/写控制电路就组成静态RAM。与动态RAM 相比,静态RAM 无须考虑保持数据而设置的

刷新电路,故扩展电路较简单。但由于静态RAM 是通过有源电路来保持存储器中的数据,因此,要消耗较多功率,价格也较高。

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