2020年07月_NETSOL

原创按用途分类的SRAM

嵌入式静态随机存取存储器（SRAM）是现代SoC中的重要组成部分；伴随着工艺前进的脚步，对于SRAM的研究也从未终止过。其中双端口SRAM可以为系统提供更高的通信效率和并行性，随着系统吞吐率的提升应用也越来越广泛。从用途来看SRAM可以分为独立式SRAM和嵌入式SRAM（e-SRAM），其中独立式SRAM主要应用在板级电路中，而集成到芯片中的则称为嵌入式SRAM；上述中的Cache便属于嵌入式SRAM。从读写端口的个数看，SRAM主要可分为单端口SRAM、两端口SRAM（2P-SRAM）和双端口SRAM

2020-07-07 13:36:20 1752

原创 MRAM独特功能替换现有内存

在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本

2020-07-30 15:53:56 228

原创 DDR存储器系统是消费电子的核心

在当今的消费电子市场中，设计师面对6个月的设计窗口以在12个月的时间内实现生产并不少见。这些消费者细分市场中的设计师面临的问题之一是，营销人员根本不知道哪些功能将成为赢家。至于消费者领域，急剧变化的功能集比性能要有价值得多，而性能只是功能集中的功能之一。未获得正确功能集的惩罚是无法找到客户的产品。结果是，大约五分之一的设计产品实际上将在消费者领域推向市场，在这些引入的产品中，只有十分之一的产品销量超过一百万件。渴望数据的消费产品当今的片上系统（SoC）设计成功的最重要因素之一就是能够有效访问片外双倍数据

2020-07-29 14:09:48 187

原创静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战

SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”（DSA），每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点，其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函

2020-07-28 15:52:34 782

转载 DDR5 SDRAM规格发布：大容量满足极速

半导体工程组织JEDEC为动态随机存取存储器（DRAM）设定了标准，该组织上周发布了最终的JESD79-5DDR5规范。新型存储器是其每引脚数据传输速度的两倍，其存储设备的容量增加了四倍，降低了工作电压，并引入了多种方法来提高瘦节点上DRAM的可靠性-并降低功耗。JEDEC说，DDR5 SDRAM将从明年开始用于即将推出的客户端PC和服务器。SDRAM的发展通常遵循与CPU发展相同的方向。如今微处理器致力于提高内核数，提高每个内核的性能以及提高电源效率，这对系统内存提出了要求。先进的内核需要足够的内存带宽

2020-07-27 15:43:24 556

原创 FRAM的未来是更高的密度

最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在诸如大众运输卡，游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己，其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。 FRAM产品已经存在很长时间了，主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件，“但对于利基应用，它们的密度相对较低。实际上，F

2020-07-24 15:42:08 185 1

原创双端口SRAM中读干扰问题

普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram，但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等类似需要直接访问存储器或者需要随机访问缓冲器之类的器件之间进行通信的情况。从存储单元来看，双端口SRAM只是在单端口SRAM的基础上加上了两个存取管（见图1），但要实现两个端口对存储单元的独立读写，还要对新增的端口复制一套单端口SRAM的读写外围电路。然而这样虽然增强了存储器的读写能力，但

2020-07-23 14:13:15 1735

原创工业计算内存模块专用MRAM存储器-MR4A16B

并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题，明显改变消费者使用电子没备的方式。研华PCM-23系列内存模块是用于mPCIe接口的工业级内存模块，能够通过具有不同功能的iDoor技术通过连接器扩展对内存的访问。PCM-23内存模块是可选的扩展内存，用于在事件日志中存储关键数据。断电时，关键数据必须是非易失性的。为了满足非易失性存储器的需求，研华选择了Ev

2020-07-20 15:51:44 303

原创 ISI的晶圆级MRAM测试仪

MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进行良好的MTJ设计和测试。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的，为汽车、工业和军事。云存储等行业等提供了大量可靠优质的MRAM，STT-MRAM存储芯片。ISI在MTJ器件的设计和工厂测试方面拥有长期经验，能够满足MRAM的开发和生产测试需求。他们也在创造

2020-07-17 14:14:44 442

原创常见存储器分类

存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，两者的功能有较大的区别，因此在描述上也有所不同。存储的基础部分分为ROM和RAM。常见存储器分类图示RAM：随机存取存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须

2020-07-15 13:47:20 1626

原创当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性

MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1 内存制造过程由于器件架构相对复杂，因此Everspin MRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部制作了一个磁性单元（前板）。器件的测量和表征非常重要，依赖于测量工具的MRAM存储器的生产专门用于MRAM和STT-MRAM测量。Integral Solutions I

2020-07-13 11:50:31 357

原创 IPUS SQPI PSRAM为STM32单片机提供RAM扩展方案

IoT设备的增长引发了对内存技术的新兴趣，IPUS 已向市场推出了具有SPI和/或QSPI（Quad SPI）存储器总线接口的IoT RAM。致力于为物联网市场提供解决方案。从安全的角度可以考虑这样的一种基于大RAM的系统设计：系统自举是用简单的明码，其它代码是加密后存储在flash中。当系统运行时，Flash中的数据，解密后转存到PSRAM中，程序从PSRAM中运行，当程序（或函数）运行结束时，可以轻易地再次在SPI PSRAM中加密（用于再次使用）以及销毁（一次性使用）。其中密钥可以由MCU的唯一序列

2020-07-10 15:53:12 1579

原创单端口SRAM与双端口SRAM电路结构

SRAM是随机存取存储器的一种。所谓的静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能.SRAM的速度快但价格相对昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如Async SRAM (异步SRAM）、Sync SRAM (同步高速SRAM）、PBSRAM (流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。不管是哪种 SRAM，其基本的原理

2020-07-09 14:13:37 4482 1

原创低功耗1M字乘8位高速异步SRAM

ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺技术与创新的电路设计技术相结合，可生产出性能更高且功耗更低的器件。当CE为高电平（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平来降低功耗。IS61/64WV10248EDBLL采用单电源进行供电，所有输入均兼容TTL。IS61WV10248EDBLL采用48球微型BGA（6mmx8mm）和44引

2020-07-08 15:52:43 490

原创双端口SRAM如何提高系统的整体性能

SRAM 以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中，多被用作不同部件之间的缓冲，尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色，即嵌入到CPU 内部的高速缓存（Cache）。计算机的处理速度在高速增长，为了提供足够的数据缓存能力，随着集成电路制造工艺的发展，嵌入式SRAM 的存储单元的面积也在以约0.5 倍每代的速度减小，在45 nm 工艺节点嵌入式SRAM 的密度已可以达到150 Mb/cm2。双端口SRAM（Dual-Port SRAM, DP-SRAM）凭借其两个端口可以同时进行读写的能力在SRAM 领域

2020-07-06 15:57:43 1342

转载意法半导体MCU微控制器技术突破在哪？

华为5月中旬首次向上汽的量产车型EUNIQ系列供应电机控制器，引起汽车电子行业人士高度关注。华为提供的电机控制器，可以3%的高精度调整电机扭矩和输出控制。经过上汽MAXUS与华为的联合调教，EUNIQ系列纯电版车型0~50km/h加速成绩小于5秒。优异的表现来源于车规级MCU的性能以及华为在电机控制器的技术。此次成功供货上汽EUNIQ系列量产车，表明了华为在车机系统的布局早在华为与ST宣布合作之前就已经开始。在汽车芯片领域实力雄厚的意法半导体MCU厂商，彼时已是日产、奥迪和斯拉等合作伙伴，为车企供应车规级

2020-07-03 11:50:26 283

转载非易失性MRAM读写操作

高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C的IR回流下具有90秒的数据保留能力，在150°C的条件下可保存数据10年以上。MRAM读取操作为了从LPSM快

2020-07-02 16:17:38 1031

转载意法半导体STM32单片机特性

MCU经过多年发展，性能也得到了很大的提升。因为MCU必须顺序执行程序，所以适于做控制，较多地应用于工业。STM32系列单片机，这是一款性价比超高的系列单片机，应该没有之一，功能及其强大。其基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M内核，同时具有一流的外设：1μs的双12位ADC，4兆位/秒的UART，18兆位/秒的SPI等等，在功耗和集成度方面也有不俗的表现，由于其简单的结构和易用的工具再配合其强大的功能在行业中赫赫有名，其强大的功能主要表现在哪些方面。特性：1.

2020-07-01 11:53:16 1310

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