英飞凌IGBT驱动芯片2ED020I12F2去饱和电路设计总结整理收集

1，驱动芯片框图

2，驱动电路设计

 

原理：当IGBT开始导通Vce还没有下降时，恒流源Idesat给Cdesat充电，充电至Vref的时间称之为消隐时间tb，tb=Cdesat*Vref/Idesat ，恒流充放电的常用公式：⊿Vc=I*⊿t/C，设定比较电压Vref，例如9V

IGBT正常导通，Cdesat电压还没充到Vref，退饱和尚未触发，由于Vce下降，Idesat流过电阻Rdesat和高压二极管Ddesat和IGBT，Desat引脚电压会下降至：Vdesat=Idesat*Rdesat+VFdiode+Vce

如果IGBT短路退饱和，Vce上升，二极管截止，恒流源Idesat给Cdesat充电至Vref大小，从而触发退饱和保护

3，使用模块FF200R12KS4通过表查找到需要保护的电流阈值对应的饱和压降

将饱和压降带入9V=500uA*Rx+VF+Vce  推倒出相应电阻阻值