SOI技术

SOI (Silicon-on-Insulator) 技术
传统CMOS技术的缺陷在于:
衬底的厚度会影响片上的寄生电容,
间接导致芯片的性能下降.
SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开,
以达到(部分)消除寄生电容的目的

传统CMOS

SOI

第一种 制作方法

制作方法主要有以下几种
(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致.)

★ 1. 高温氧化退火: 在硅表面离子注入一层氧离子层

★ 2. 等氧离子渗入硅层，形成富氧层

★ 3. 高温退火

★ 4. 成型

第二种方法: wafer bonding(用两块!)

★ 1. 来两块

★ 2. 对硅2进行表面氧化

★ 3. 对硅2进行氢离子注入

★ 4. 翻面

★ 5. 将氢离子层处理成气泡层

★ 6. 切割掉多余的部分

★ 7. 成型+再利用