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RSS订阅原创 CPO 封装玻璃基板选型
CTE 匹配好：热膨胀系数约 3.0-3.8 ppm/°C，跟硅芯片（约 2.6 ppm/°C）和 PCB 材料都比较接近。高频介电性能好：介电常数大约在 4.5-5.0（1 MHz），损耗角正切在 0.003-0.005（10 GHz）这个量级，能满足 CPO 高速信号对低损耗、低衰减的需求。不含碱金属，长期可靠性有保障：这是它相对硼硅酸盐玻璃的核心优势。
2026-09-02 11:51:45
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原创 先进封装的散热，为什么比传统封装难上一个数量级？
热量从芯片传到外界，本质上遵循一个很简单的关系：温升 = 热功率 × 热阻P（热功率）：要散掉多少热；R_th（热阻）：热量传出去有多困难，热阻越大，同样的热量造成的温升越高；ΔT（温升）：芯片比环境高多少度；所以散热变难，只有两个途径：热功率 P 变大，或者热阻 R_th 变大。
2026-08-31 09:05:43
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原创 为什么越先进的制程漏电越严重？
沟道长度变短（源极到漏极的距离缩短）；栅氧化层变薄（栅极和沟道之间的绝缘层变薄）；工作电压降低（为了省功耗、防击穿）；阈值电压降低（跟着工作电压降）；掺杂浓度提高；晶体管数量暴增（同样面积塞更多）；问题就在于——上面这几个变化，每一个都会从不同角度加剧漏电。
2026-08-14 08:40:20
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原创 G5级化学品包装瓶为什么这么贵？
一瓶超纯双氧水、超纯氨水，里面的化学品可能不值多少钱，但那个瓶子却贵得惊人。一般G5等级的包装瓶是要回收的，那么为什么会是这样？
2026-08-11 08:42:36
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原创 湿电子化学品纯度等级 G1 到 G5
湿电子化学品的纯度等级，是国际半导体设备与材料协会 SEMI 制定的标准（SEMI C1 等标准），用 Grade（等级）来划分，从 G1 到 G5，等级数字越大、纯度越高、对应的芯片工艺越先进。这个分级的核心，是控制化学品里的杂质含量——主要是金属离子杂质和颗粒（微粒）这两大类。
2026-08-10 14:20:37
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原创 什么是SAW滤波器？
这声波在固体表面的传播速度（约 3000~4000 m/s）比电磁波（光速）慢约 10 万倍。在同样频率下，声波的波长极短——1 GHz 时只有约 3~4 微米，而电磁波波长要几十厘米。这意味着：用声波做频率选择结构，只需要几微米的尺寸，可以在一小片芯片上用光刻做出极其精密的图形；而用电磁波做，结构要几十厘米，根本塞不进手机。所以 SAW 的本质是把电信号"降维"成慢速声波，从而能在微米尺度的芯片上实现精密的频率筛选——用"声"解决了"电"在微型化上做不到的事。
2026-08-06 08:19:50
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原创 什么是超临界CO2清洗?
超临界 CO₂ 清洗，就是用处于超临界状态的二氧化碳作为清洗介质，来清除晶圆上的光刻胶、刻蚀残留、颗粒、污染物等，然后干燥晶圆的技术。它的工作方式是：把晶圆放进高压腔体，通入 CO₂ 并加压加温到超临界状态，超临界 CO₂ 渗入结构的细微缝隙，溶解并带走污染物；通常还会加入少量表面活性剂来增强对特定污染物的溶解能力；清洗完成后，通过控制压力让 CO₂ 从超临界态直接变回气体逸出，晶圆就被干燥了。
2026-07-30 16:55:10
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原创 什么是热臭氧工艺（Hot Ozone Process）？
热臭氧工艺是一种湿法清洗技术，用 45~55°C 的含臭氧清洗液，去除光刻胶和刻蚀后的有机残留。它的原理很直接：光刻胶和刻蚀残留主要是有机物（碳氢化合物），而臭氧（O₃）是强氧化剂，能把有机物氧化分解成二氧化碳、水等挥发物，从而去除。本质上是一种在液相、低温下进行的化学氧化去胶。"热"是关键。它在 45~55°C 的适度加热下进行，比室温的普通臭氧水工艺去胶速率高很多，但又远低于会损伤材料的高温。适度加热大幅提升了臭氧的去胶效率，这正是它区别于普通臭氧水工艺的地方。
2026-07-29 09:33:22
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原创 磷化铟（InP）：光通信激光器的核心
光电共封装（CPO）的“光引擎”：在最先进的交换机芯片中，为了降低功耗和延迟，业界正在将基于 InP 的激光器阵列与硅基光子芯片（Silicon Photonics）直接封装在一起。我们在互联网上发送的每一封邮件、观看的每一次高清视频流，其底层数据最终都会转化为光信号，而发射和接收这些光信号的核心器件，几乎全部依赖于基于磷化铟的半导体激光器和探测器。高速雪崩光电二极管（APD）：除了发射端，在接收端，InP 同样是制造高灵敏度光电探测器的不二之选，它能将微弱的 1.5um 光信号以极低的噪音转化为电信号。
2026-07-24 18:09:10
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原创 EUV光源为什么要用锡液滴？
要在 13.5nm 这个窄带里发出强光,需要一种元素,它的离子有大量能级跃迁恰好落在 13.5nm 附近。锡的高电离态离子(Sn⁸⁺~Sn¹⁴⁺)在 13.5nm 附近有极其密集的跃迁(4d–4f、4p–4d 等),锡把能量高度集中地辐射在 13.5nm 处,发光效率极高。这是锡独有的物理优势——别的元素要么没有这么密集的跃迁挤在 13.5nm,要么散布在别的波长上浪费掉。EUV 光源要每秒发射约 5 万次（~50kHz）激光脉冲，连续不断地产生 EUV 光。
2026-07-23 11:40:46
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原创 为什么EUV只能用反射镜？
*这种 Mo/Si 多层膜只在 13.5nm 附近才有高反射率，**反射镜只反 13.5nm，所以光源必须发 13.5nm，所以要用锡。普通金属镜面对 EUV 的反射率也很低，因为 EUV 一碰到材料表面，大部分就被吸收了、反射不回来。EUV 光进入材料后，在极短的距离内（几十到几百纳米）就被吸收干净，根本穿不透一个透镜那样的厚度（毫米级）。都会强烈吸收 EUV——光在空气里传播很短距离就被气体分子吸收掉了。，所以 EUV 光子打到任何材料上，都会立刻被材料里的电子吸收（把电子激发出来）。
2026-07-21 08:53:15
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原创 DUV和EUV到底差在哪？
这是很多人容易混但又特别重要的问题。DUV 和 EUV 都是光刻，但从光的波长、整个光学系统、到能做的芯片，几乎是两套完全不同的技术。
2026-07-20 09:01:49
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原创 钨塞W-plug是干什么用的？
钨的缺点：电阻率较高（约 5.3 μΩ·cm，比铜、铝高），所以钨不适合做长距离的水平布线（那样电阻太大）；钨塞（Tungsten Plug，业内常简称为 W-plug）是半导体集成电路制造中，用于实现晶体管器件层与上方金属互连层之间垂直电气连接的圆柱形微观金属导体。连接器件和互连：晶体管做好后，它的电极（源漏栅）在最底层，要通过接触孔钨塞引到上面的金属布线，才能和电路其他部分连接。连接各层互连：现代芯片有很多层金属布线（十几层甚至更多），层与层之间靠通孔钨塞垂直连通，构成完整的三维立体电路网络。
2026-07-15 09:01:31
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原创 钴和钌：铜之后的下一代互连金属
铜从 1997 年（IBM 引入铜互连）以来一直是主流互连金属，因为它电阻率低（1.68 μΩ·cm）、导电性好。钴扩散问题比铜轻，可以用更薄的阻挡层，甚至无阻挡层，省下的空间用来导电，进一步补偿了它块体电阻率高的劣势。线越细、电流密度越高，铜的电迁移（电流把金属原子"冲"走导致断线）越严重，可靠性下降。这意味着在极细线宽下，钴的有效电阻率上升幅度比铜小.钴的电迁移可靠性明显优于铜，在高电流密度下更耐用。钴的填充能力（无空洞填进极细沟槽）不错。研发/先进节点导入（最细层、liner）可完全无（最大优势）
2026-07-14 14:06:39
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原创 钴和钌：铜之后的下一代互连金属
铜从 1997 年（IBM 引入铜互连）以来一直是主流互连金属，因为它电阻率低（1.68 μΩ·cm）、导电性好。钴扩散问题比铜轻，可以用更薄的阻挡层，甚至无阻挡层，省下的空间用来导电，进一步补偿了它块体电阻率高的劣势。线越细、电流密度越高，铜的电迁移（电流把金属原子"冲"走导致断线）越严重，可靠性下降。这意味着在极细线宽下，钴的有效电阻率上升幅度比铜小.钴的电迁移可靠性明显优于铜，在高电流密度下更耐用。钴的填充能力（无空洞填进极细沟槽）不错。研发/先进节点导入（最细层、liner）可完全无（最大优势）
2026-07-13 09:45:09
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原创 划片用的UV膜是如何黏性变小的？
能够充分润湿（Wetting）并浸入晶圆表面的微观粗糙形貌中，形成极大的实际接触面积，从而提供高达几十牛顿/百毫米（N/100mm）的极高初粘力。UV 划片胶带（UV Dicing Tape）在照射紫外线后黏性急剧下降（业内称为“解胶”），便于后续的倒装吸取芯片。在未受紫外光照射时，这些高分子链段之间未发生化学键合，分子链处于相对自由、松散的缠结状态。含碳碳双键（C=C），UV下可交联。光引发的交联固化反应（化学变化）1，光引发剂吸收UV光产生自由基。吸收UV光产生自由基，引发反应。
2026-07-11 09:21:10
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原创 为什么划片减薄更喜欢用UV膜？
在晶圆减薄（Backgrinding）和划片切割（Dicing）工艺中，业界越来越倾向于全面采用 UV 膜替代传统的压敏型胶带，最核心原因：UV膜实现了"黏性可切换"。拾取（Die Pick）是从膜上取下芯片的环节，如果黏性太强，顶针顶起时容易顶裂芯片，UV照射降黏后拾取应力小，芯片完好。普通固定黏性的膜无法同时满足这两个相反的需求——黏性强则剥离困难、损伤芯片，黏性弱则固定不牢、加工时移位。切割是高振动过程，芯片如果固定不牢会移位甚至飞出，UV膜切割时的强黏保证了固定可靠性。加工时：高黏性，牢固固定。
2026-07-10 11:20:55
328
原创 晶圆减薄贴什么膜？
其核心作用是在高机械应力的研磨过程中，保护晶圆正面的集成电路和微凸块免受物理划伤、研磨液（Slurry）及硅粉颗粒的污染，同时缓冲机械应力，协助控制晶圆的总厚度偏差（TTV）。在晶圆背面减薄（Backgrinding）工艺中，贴附在晶圆正面（包含有源器件及微结构的一面）的薄膜被称为。适用：普通厚晶圆、成本敏感、对剥离应力不敏感的场合。适用：凸点晶圆、超薄晶圆、易损器件、高洁净度要求。适用：临时键合、需要整面剥离、不能用UV的场合。FIB+TEM+SEM打样代工。需要加热，可能影响热敏器件。
2026-07-09 15:56:08
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原创 倒装芯片的热超声键合
三种能量的金属键合工艺，最广泛的应用是引线键合（Wire Bonding）中的金丝球键合，也用于倒装中的金凸点键合。这是超声的独特贡献——超声能让金属"暂时变软"，所以热超声键合可以用比纯热压键合更低的温度。，因为超声补偿了一部分能量——超声的声软化和摩擦生热降低了对外部加热的需求。② 软化金属（声软化效应，Acoustic Softening）超声是热超声键合区别于普通热压键合的关键。高频振动打破氧化层和污染，促进金属接触。加热软化金属，提高原子活性，促进扩散。1. 超声振动的作用——最核心。
2026-07-08 09:28:07
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原创 RTP如何快速冷却？
RTP的价值不只是快速升温，。整个温度曲线必须尖锐，原因：如果升温快但降温慢–》晶圆在高温停留时间仍然长–》掺杂原子继续扩散，热预算超标–》失去RTP控制热预算的意义所以RTP要求升温和降温都快，形成一个尖峰状的温度曲线，冷却速率通常要求达到。RTP三种散热方式？冷却的本质是把晶圆的热量快速带走。传热方式作用| — | — |辐射散热晶圆向冷壁辐射热量对流散热冷却气体带走热量传导散热通过接触或气体传导散热RTP冷却过程？1. 关断加热灯。
2026-07-06 08:42:13
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原创 IDM、Fabless、Foundry、OSAT：半导体四种商业模式谁最赚钱？
半导体行业里，经常会听到几个词：IDM、Fabless、Foundry、OSAT。
2026-07-02 17:54:24
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原创 电子束光刻（EBL）代工平台开放 | 最小线宽 5nm，欢迎来样
我们的电子束光刻（EBL）+ 聚焦离子束（FIB）+ 透射电镜（TEM）平台正式开放代工与来样检测，设备都是行
2026-06-27 11:31:34
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空空如也
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