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RSS订阅原创 匀胶时光刻胶的溶剂是如何变化的？
欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右，是国内最大的半导体制造学习平台。在旋转涂胶前，光刻胶通常包含65%到85%的溶剂。由于溶剂在软烘过程中减少，光刻胶膜的厚度也在不断减薄。加热过程中，光刻胶层中的溶剂吸收热能，其分子运动加剧，蒸汽压升高。知识星球里的学员问：从匀胶到软烘，光刻胶中的溶剂是在不断减少的，那么请问溶剂是如何变化的，涉及到哪些原理。旋涂过程中，由于晶圆的高速旋转，离心力将光刻胶甩向晶圆边缘，同时多余的溶剂被甩出，导致溶剂量减少。溶剂会不断挥发，导致溶剂量减少。
2024-07-19 15:36:48
151
原创 掺杂工艺中什么是供主元素与受主元素？
欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右，是国内最大的半导体制造学习平台。电子是带负电荷的粒子，空穴是电子从价带跃迁到导带后留下的空位，空穴带正电。受主元素，如IIIA族的硼（B），镓（Ga）等，其最外层有3个电子，可接受硅中的电子，形成相同数量的空穴。掺杂是指在纯硅中引入少量杂质原子，增加半导体中的载流子浓度，以改变硅的电学性质。供主元素能够提供多余的电子，如VA族的磷（P）、砷（As），其最外层有五个电子。通过将P型半导体和N型半导体结合，可以形成具有整流特性的P-N结。
2024-07-19 15:31:04
164
原创 正性光刻胶的曝光机理
欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右，是国内最大的半导体制造学习平台。曝光前的树脂是含有化学保护基团的聚合物，树脂在酸的催化作用下，发生脱保护反应。保护基团（如Boc基团，如下图）被酸催化脱去，生成可溶于显影液的产物（如羟基苯乙烯和二氧化碳）。由于显影液是碱性溶液，可以与生成的酸根离子反应，且树脂的分解物容易溶解在水中，因此曝光部分更容易被除去，留下了未曝光的部分。知识星球里的学员问：正胶在曝光后，曝光部分会被显影液除去，未曝光部分会被保留，机理是什么？），酸根离子以及自由基等。
2024-07-17 15:35:31
328
原创 为什么在芯片制造中不能用机械磨削（grinding）代替cmp？
目标材料先和cmp slurry中的氧化剂，酸，碱等发生微反应，在在抛光头，抛光垫，slurry中的磨料的共同作用下，通过机械力将微反应生成的反应物去除，达到减薄，抛光的目的。欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右，是国内最大的半导体制造学习平台。但在芯片制造过程中，芯片的每一层都需要极高的平整度和粗糙度，而单纯的机械磨削会产生大量的缺陷，会刮伤图形，且粗糙度过大，因此不适合用在芯片制造中。在芯片制程中并未看到该工艺，同样有减薄作用，为什么在芯片制程中用的是cmp？
2024-07-17 15:32:45
211
原创 SOI晶圆衬底制备工艺流程
欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1500人左右，是国内最大的半导体制造学习平台。SOI衬底有四种常见的方法，分别为：SIMOX法，Smart。在高温退火过程中，氢离子形成的气泡会扩展并形成裂缝，使得硅片沿着注入氢离子的层分离。通过高温退火处理，使得氧化层上的硅层和氧化层更加稳定，同时能够进一步提升键合质量。对分离后留下的薄硅层进行cmp抛光，得到高质量的表面平整度和所需的厚度。经过这一步，SOI晶圆就已经基本完成，可以用于各种高性能电子器件的制造。在硅片上沉积一层氧化层，形成氧化硅层。
2024-06-13 08:41:07
275
原创 晶圆键合胶如何进行键合与解键合的？
解键合过程，有四种方案：1，热解键合：一种是高温失去黏性，另一种是高温将键合胶融化，再施加一个平移力，使其滑动分离2，化学药水溶解：利用化学药剂溶解键合胶3，机械剥离，利用机械力将两片晶圆分离4，激光解键合：用激光照射晶圆键合胶，激光能量被粘合剂材料吸收，导致局部温度急剧升高，键合胶被破坏而使两片晶圆分离。目前，12寸的先进封装厂，用激光解键合的方式较为普遍。本司有晶圆级Ni电镀液，坡莫合金Ni/Fe电镀液供应，详情咨询Tom：13380121050】晶圆键合胶的相关知识，
2024-06-06 17:13:53
252
原创 面试后总没回音，要去问面试结果吗？
因此这个需要自己私下总结，找找可能的原因，是由于技术方面还是沟通方面导致的，或者该公司根本就不想招人，只是想了解下市场，偷学些技术。用人单位如果同意要你，还要走一堆流程，各方都同意了，才会有HR联系你，和你谈薪。知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：面试一家公司的PIE，这家公司各方面我都很满意，但是面试后到现在都一周了，也没回音，要微信问一问结果吗？有的时候，一个岗位有多位面试者竞争，把这几位都面一遍，再进行综合对比，选出性价比最高的，需要时间。
2024-05-31 17:58:10
315
原创 薄膜沉积的均匀性怎么计算？
2，再计算每个厚度与均值的差的平方分别为：0.0144，0.0324，0.1024，0.0004，0.0004，0.0784，0.0484，0.0004，0.0144，0.03243，求和并取平值 (0.0144+0.0324+0.1024+0.0004+0.0004+0.0784+0.0484+0.0004+0.0144+0.0324)=0.39964，σ=0.193。良好的均匀性说明薄膜在晶圆上的每个位置的厚度非常接近。σ（标准偏差）：表示数据分布的离散程度，标准偏差越大，数据的离散程度越大。
2024-05-31 17:54:51
428
原创 当HR问你是否单身时，该怎么回答？
对于已婚人士，另一半的工作地HR特别重视，如果不把家眷带到身边，HR有理由认为你只是飘零过客，不会扎下根在本处，最后还是要辞职，回归家庭的，因此稳定性不好。和用人部门的技术问题不同，HR一般只会问一些非技术问题，诸如生活，学习，家庭，工作经历等情况，以履行自身职责，从这些非技术问题中窥探出面试者的性格，可靠性，学习能力，交际能力等。兔死狐悲，物伤己类，面试的企业和你原企业都是企业，都有相同的问题，都有相同的感受，因此要照顾好面试企业的感受。如果你说，工资太低了，好久不涨工资，拿多少钱干多少事，所以要走。
2024-05-26 10:43:25
4314
原创 月薪5万是怎样谈的？
知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：目前是晶圆厂的PE，但是想跳槽谈了几次薪水，都没法有大幅度的增长，该怎么办？可以把薪资范围锁定在3-5万区间，太低的就不用看了，每个公司是有一个预算，就算他们再想要你，也给不到你想要的。谈薪一般取薪资范围的中位数，用人单位标的是3-5万，并不能真的能给到你5万，一般谈在4万差不多，5万就破格录取了，或者说4万就是用人单位的真实预算。一个人的精力，思维，时间等毕竟有限，就算个人再优秀，没有团队的支撑，也做不了什么丰功伟绩。
2024-05-26 10:38:02
4111
原创 晶圆厂的PE转客户工程师前景怎么样？
知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：目前在晶圆厂做PE，倒班oncall压力太大把身体搞坏了，现在有一个design house的CE客户工程师的offer，建议去吗？发展前景跟PE比哪个更好？什么是PE？PE(Process Engineer),工艺工程师。晶圆厂的工艺包括光刻，
2024-05-26 10:28:23
343
原创 入职小厂的TD-PIE有前途吗？
晶圆厂中的部门可以大致分为研发，生产，工艺，设备，质量，测试与量测，厂务，采购，环境安全与健康，IT等部门。其中TD（R&D）是研发部，该部门是晶圆厂中最具前景且最舒适的部门，主要体现在：1，薪资水平最高：研发部主要职责是芯片设计，新工艺流程的开发、工艺优化、良率提升等，对学历等整体素质要求较高，因此工资是晶圆厂各部门之中最高的。逻辑芯片的种类很多，比较常见的有：现场可编程门阵列FPGA，特殊应用集成电路ASIC，中央处理器CPU，微控制器MCU，图形处理器GPU，AI芯片等。TD-PIE的岗位如何？
2024-05-22 14:07:48
506
原创 匀胶/显影机台有多少个热板和冷板?
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：请问track中的热板（Hot plate）与冷板（CP）的作用是什么？分别有几个？track是什么？光刻工序中的track机台（Track System），用于光刻工艺中光刻胶的涂布、烘烤、显影等步骤。它可与曝光机配合使用，完成从涂胶到显影的全过程。如果track，曝光机是分离开的，没有直接的物理连接集成在一起，就被称为"offline"。如果曝光机，track连接在一起，就被称为“inline”。
2024-05-22 13:40:23
403
原创 为什么热氧的氧化硅刻蚀速率比PECVD的慢？
有干湿氧两种方式，方程式为：干氧化 Si + O₂ → SiO₂湿氧化 Si + 2H₂O → SiO₂ + 2H₂由于是用热量来维持反应，因此需要高温，在1100℃左右。热氧化的氧化硅具有致密性，均匀性好，缺陷少，与硅基底结合强，应力小，纯度高等优点。知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：发现用PECVD做的氧化硅与热氧的氧化硅刻蚀速率同，热氧的氧化硅速率明显较慢，这是为什么？热氧化与PECVD生成氧化硅的方式。
2024-05-22 13:37:42
301
原创 晶圆用的湿电子化学品等级如何划分？
我们日常化学实验用的化学品等级有五级：优级纯（GR，绿标签）、分析纯（AR，红标签）、化学纯（CP，蓝标签）、实验纯（LR，黄标签）、指示剂和染色剂（ID或SR，紫标签）。优级纯（GR），一般不低于99.9%。分析纯（AR），一般不低于99.7%。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下： 《欢迎加入作者的芯片知识社区！请问湿电子化学品（如异丙醇）分析纯级和电子级有什么区别？ppb，ppm是什么？
2024-05-18 16:43:30
258
原创 晶圆用的湿电子化学品等级如何划分？
我们日常化学实验用的化学品等级有五级：优级纯（GR，绿标签）、分析纯（AR，红标签）、化学纯（CP，蓝标签）、实验纯（LR，黄标签）、指示剂和染色剂（ID或SR，紫标签）。优级纯（GR），一般不低于99.9%。分析纯（AR），一般不低于99.7%。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下： 《欢迎加入作者的芯片知识社区！请问湿电子化学品（如异丙醇）分析纯级和电子级有什么区别？ppb，ppm是什么？
2024-05-18 16:42:19
247
原创 为什么一般不用纯铝而用铝铜？
如果电流密度足够高，移动的金属原子会在某些区域累积，导致这些区域的材料形成空洞，而在其他区域形成堆积。金属导电率排序从大到小为：银、铜、金、铝、铁、锡，因此在铝中加入少量铜后，导线的导电性更好了。知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：在半导体制造中，通常不使用纯铝，而是在铝中加入Cu (0.5-4 weight %) ，这是为什么？欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》
2024-05-18 16:25:09
136
原创 8&12寸硅片为什么没有平边（flat）？
硅片的notch是一个用于标识晶圆方向的物理切口，通常是V形或U形，位于硅片的边缘底部，位置精确且易于机台读取。知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：上期种说2，4，6寸硅片都有平边，那为什么8&12寸硅片只有一个notch？同理，在8寸，12寸中，在该处使用金刚石盘或激光来制作切口。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下： 《欢迎加入作者的芯片知识社区！
2024-05-14 11:35:04
475
原创 4&6寸硅片为什么要留平边（flat）？
由于<110>晶向，不是主流的硅片晶向，因此没有一个标准来表示，可以根据硅片供应商自己的标准来表示<110>晶向。因此硅片有1-2个定位边，长的定位边在晶圆底部，短的定位边位置不固定，跟随晶向与掺杂类型发生变化。一般2inch的主定位边长度为15.8mm，4inch硅片主定位边长度为32.5mm，6inch硅片主定位边为57.5mm。4英寸硅片次定位平边的长度约为18 mm，6英寸硅片次定位平边的长度约为22 mm。是的，因为要匹配半导体制造设备，因此主，主次定位边的长度和位置都是固定的。
2024-05-11 12:04:58
720
原创 显影不干净如何解决？
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：光刻工序完成后，晶圆表面有部分图形容易出现显影不净是什么原因？有什么好的解决办法吗？光刻工序流程前处理--》匀胶--》软烘---》曝光---》PEB（可省略）---》显影---》后烘显影的原理。
2024-05-11 12:03:19
402
原创 等离子刻蚀中的化学键是如何断裂与生成的？
这两种描述的是干法刻蚀的两种不同阶段，都是正确的。等离子轰击打断了Si=O键，这个是物理作用多一些，通过将Ar气通入腔室种形成等离子体，等离子体在偏压的吸引下，具有很高的动能，轰击SiO2的Si=O键。之后C会和被打散的O结合，生成C=O键，这一步是化学作用多一些。化学反应消耗了反应物，产生了生成物，实现了物质的转化，详细过程为：原有的化学键在吸收足够的能量后断裂；欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》
2024-05-08 12:01:05
222
原创 双层胶工艺是什么？
涂双层胶一般不是为了增加厚度，如果仅仅为了增加厚度，完全没必要做双层，因为双层胶工艺难度极大，而且各种厚度的光刻胶都可以买到。该双层胶，上层是光刻胶，可曝光可显影，下层胶不感光但可溶于碱溶液。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》而双层胶结构可以看出上层胶的开口较小，而下层胶的开口较大，这样在镀膜的时候，可以做出的图形更小。1，底层胶涂覆，烘烤2，第二层胶涂敷，烘烤3，曝光4，显影。双层胶的工艺是什么样的？
2024-05-08 11:59:18
238
原创 CP,FT,WAT有什么区别？
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：CP,FT,WAT都是与芯片的测试有关，他们有什么区别呢？如何区分？CP,FT,WAT分别是什么？
2024-05-05 16:03:05
389
原创 为什么高深宽比的结构工艺难度更大？
高深宽比的结构加工难度更高：1，在电镀、化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等填充过程中，高深宽比的结构更容易出现空隙。比如我们要制作的通孔的直径为20um，深度为100um，那么该孔的深宽比为：100/20=5:1我们常说的高深宽比指的是深宽比的比值较大，一般在5：1以上。知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：在TSV工序中，常会提到高深宽比的通孔，高深宽比指的是什么？3，存储芯片的深槽隔离4，MEMS的某些微结构5，微流控芯片等等。什么是通孔的深宽比？
2024-05-05 13:09:30
319
原创 硅片和SOI哪个研究方向更好？
硅片的制作方法：先用CZ法或FZ法制作出单晶硅锭，经过切割成片，抛光等工序，得到单晶硅片SOI晶圆则是需要对已有的单晶硅片再加工，一般的方法有SIMOX，BESOI，晶体生长法等。涉及到的工艺有离子注入，退火，晶圆键合，CVD，cmp等。总的来说，硅片制造的工艺偏向于材料端，但是SOI所需要的工艺更贴近于半导体制造端，更先进更前沿。硅片是半导体制造的基础，绝大多数的芯片都是在硅片上制造的。与单晶硅片相比，SOI可以减少寄生电容，漏电流等，是一项比较前沿的技术。
2024-05-03 07:40:54
149
原创 芯片的可靠性测试项目有哪些？
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：封装的可靠性测试都测哪些项目呢？将样品置于控制的高温环境中一定时期，然后进行电气和物理性能测试，检查性能退化或物理变化。模拟在功率变化下芯片受到的热循环影响，评估其在功率和温度双重影响下的可靠性。Precon，预处理，简写为PC，也有叫MSL湿度敏感试验的，目的。在高温高湿环境下对芯片施加电压，测试其长时间运行的可靠性和稳定性。芯片的可靠性测试是针对芯片进行的一系列严格的测试，对锡球施加水平剪切力，记录剪切前的最大力量。
2024-05-03 07:37:05
565
原创 Ashing（灰化）有什么作用？
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：Ashing是什么工序？等离子体中的活性粒子（如氧离子、自由基）与光刻胶等有机材料反应，将光刻胶材料氧化分解成CO,CO2、H2O等。等离子体的方法去除少量的光刻胶。一般在显影之后进行，主要是为了除去硅片表面的极薄的胶层或抗反射层等。Ash翻译为中文，动词的意思是：“ 把……化为灰烬”，名词的意思为：“灰；从字面上可以理解为将光刻胶“化成灰烬”，即使用。1，将O2等气体通入Ashing机台。Ashing是什么？有机物主要成分为C，
2024-04-30 12:35:49
194
原创 蒸镀的氧化硅薄膜为什么有时候是绿色有时候是棕色的？
氧化硅（SiO2）薄膜的厚度与其表面颜色之间存在着直接的关系，这是由于薄膜干涉效应引起的。这两部分光波在空气和氧化硅层界面处再次相遇时，会发生干涉，导致增强或相消，从而产生不同的颜色。随着氧化硅层厚度的增加，观察到的颜色会从一种颜色转变到另一种颜色，循环往复。知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：我们用热阻式蒸镀设备镀氧化硅薄膜，出来的颜色有时候会发生变化是什么原因呀？当反射的光波相遇时，如果它们的相位差是2π的整数倍，是相长干涉，则颜色会看起来更明亮。
2024-04-29 19:22:07
348
原创 碳化硅片有哪些比较重要的参数？
SiC宏观上都是由硅原子和碳原子以1:1的比例构成，但原子层的排列顺序不同，则会形成了不同的晶体结构。因此碳化硅有着许多不同多晶型，如3C-SiC，4H-SiC，6H-SiC等，分别对应的堆砌顺序为：ABC，ABCB，ABCACB等。Thermal Expansion Coefficient：热膨胀系数，指的是衬底在温度升高一摄氏度时，其长度或体积相对于原始长度或体积的增加比例。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》
2024-04-29 19:18:55
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原创 ICP-RIE设备原理
欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：请问ICP-RIE机台的原理是什么样的？用于连接在线检测工具，如质谱仪或光谱仪，用于分析反应室内的气体成分。控制晶圆在刻蚀过程中的温度，防止因温度过高而损伤晶圆或影响刻蚀结果。这是等离子体形成和持续作用的区域，等离子体在此区域中发光。反应室的真空状态，排除刻蚀过程中的副产品和未反应气体。用于固定晶圆，确保其在刻蚀过程中位置稳定。
2024-04-29 19:17:23
245
原创 怎么测氧化硅厚度？
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：请问怎么测氧化硅厚度？有哪些推荐的机台厂家？氧化硅薄膜可以通过哪些工序能制得？
2024-04-29 19:12:04
178
原创 为什么常用氢化物
一般我们会选择这些元素的氢化物，氯化物，烃基化物等，如磷化氢（PH3）：用于n型掺杂。掺杂工序主要掺杂的是ⅢA族与ⅤA族元素，掺ⅢA族元素形成P型硅，掺ⅤA族元素形成N型硅；有时也会掺杂一些四价的Ge，六价的碲（Te），硫。1，氢化物在硅中的扩散能力较强，能够在较低的扩散温度下有效地掺杂2，氢化物具有较高的挥发性。知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：diffusion工序，所需要的气体种类有哪些？用于形成N型硅的常见元素为：磷（P），砷（As）,锑（Sb）其他元素：Ge，Te，硫。
2024-04-27 12:46:47
134
原创 为什么有的晶圆厂叫特色工艺晶圆厂？
这些工艺通常是为了满足特定应用的需求而设计的，与大规模生产的标准工艺相比，特色工艺并不完全依赖于缩小晶体管线宽，更注重特定功能的优化。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》特色工艺的一般产品包括：MCU，功率器件（IGBT,MOSFET），电源芯片，射频芯片等。分立器件是指单个的、未集成的基本电子器件，如晶体管、电阻、电容、二极管等。华虹，华润，格科微，增芯，积塔，中芯绍兴，士兰微，粤芯，燕东微。
2024-04-27 12:45:53
149
原创 真空泵和压缩机有什么区别？
真空泵的主要作用是抽除反应腔中的气体，以降低容器内的压力，从而达到预定的真空度。在晶圆厂中，蚀刻设备，沉积设备，EUV光刻设备,离子注入设备,检测和表征设备等都需要抽真空。压缩机的作用是吸入气体并将其压缩，增加气体的压力，我们常说的CDA气体，就是由压缩机提供的。而分子泵能够达到极高的真空度，干泵和分子泵在半导体设备中往往联合使用，以满足不同真空级别的需求。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》真空泵与压缩机的作用？
2024-04-27 12:40:20
212
原创 单晶硅片出货前要检测哪些指标？
2，类型：P (Boron) with one primary flat 表示晶圆是P型硅，即通过掺杂硼来产生多余的空穴。"one primary flat" 表示晶圆边缘的形状，有助于识别晶体晶格的方向。之前的文章有介绍：<>主定位边：32.5 +/- 2.5mm 表示了晶圆主定位边的长度，用于定位晶圆的方向。欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下： 《欢迎加入作者的芯片知识社区！
2024-04-23 19:14:07
344
原创 炉管设备的内部构造详解
欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》位于炉管设备的侧面，用于自动化地将硅片从盒中取出并放入炉管内，或者在处理完毕后将其取出。位于炉管周围，通常由电阻丝构成，用于对炉管内部进行加热。位于炉管的上端或侧面，用于输送氧气或其他气体到炉管内部。连接石英管和气体线路的部件，确保连接的密封性和稳定性。控制石英管内部气体流量的设备，以精确调节所需的气体量。连接MFC和气体供应口的管道，用于传输气体。的结构，通常由耐高温材料制成。
2024-04-23 18:03:57
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原创 离子束铣削（Ion Beam milling）
当离子撞击材料表面时，它们将它们的动能传递给表面原子，使得这些原子具有足够的能量以被"铣削"出材料表面。再沉积：在高能离子撞击目标材料并将其原子或分子"铣削"出材料表面时，这些被铣削出的原子或分子可能会在周围的环境中飞散，并可能在工件的其他地方重新沉积。而且，由于离子束的方向性，它一次只能处理一个相对较小的区域，这可能会限制其在大面积应用中的效率。正常运行时间长：当使用倾斜或基板旋转时，它可以改变离子束撞击方向的独特能力，从而产生定制的侧壁轮廓，在覆盖掩模上的溅射再沉积最少，从而最大限度地减少维护要求。
2024-03-13 09:19:58
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原创 聊聊SiC晶圆（1）-性质
SiC的晶体结构是由硅（Si）和碳（C）的原子以特定的方式排列形成的，而这种特定的排列方式就决定了SiC的晶体结构。"3C"指的是立方晶系的SiC（具有三方面的对称性，也称为β-SiC），"4H"和"6H"指的是六方晶系的SiC（具有六方面的对称性）。但是，碳化硅的高硬度同时也带来了制程的挑战。硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
2024-03-12 15:06:34
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原创 聊聊常见的薄膜材料-TiW
这主要因为于钛和钨各自的耐腐蚀性,在空气中，钛能够迅速形成一层稳定的氧化膜，这层膜可以保护材料内部免受腐蚀。1，做黏附层：TiW合金对许多常见的基底材料，如硅、氧化硅等，具有很强的黏附力。但是，如果需要更强的附着力或是在金属界面上的附着力，钛钨（TiW）是更好的选择。一个知识分享的社区，陆续上传一些芯片制造各工序，封装与测试各工序，建厂方面的知识，供应商信息等半导体资料。在半导体制程中，钛（Ti）和钛钨（TiW）都是非常常见的材料，但应用不同，相互之间有异性也有共性。钛钨（TiW）在这方面的性能更好。
2024-03-12 14:55:29
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原创 为什么在镀膜时要测薄膜折射率？
在芯片制造中，镀膜工序（PVD,CVD）是必不可少的关键环节，薄膜的质量直接影响了芯片的性能。今天将对芯片制造中薄膜折射率的概念、测量方法，以及它在整个制程中的影响与应用进行详细的探讨。如图，如果i是真空中光线的入射角（入射光线与法线之间的角度），r是折射角（光线与法线之间的角度），折射率n定义为入射角正弦与折射角正弦之比；材料的电子云密度越大，电子对光的反应能力越强，光在材料中传播的速度就越慢，因此折射率就越大。上述折射率值大致给出了在特定波长下的折射率，实际上，折射率与光的波长，温度，压力也有关。
2024-03-10 10:19:51
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空空如也
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