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原创 芯片制造中的ICP-RIE是什么工艺?
ICP-RIE是一种结合电感耦合等离子体与反应离子刻蚀的先进技术,具有高刻蚀速率、高选择性和低损伤的特点。其原理是通过射频电源在导体线圈中产生电磁场,激发气体形成高密度等离子体,实现物理和化学刻蚀的结合。线圈设计和偏压控制是影响刻蚀效果的关键因素,双射频源设计可实现离子密度与能量的独立调控。该技术广泛应用于半导体、电介质、金属和聚合物等材料的刻蚀加工,根据不同材料选用氟基或氯基工艺气体。
2025-09-22 15:36:01
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原创 半导体制造中的电子回旋共振ECR是什么?
摘要:电子回旋共振(ECR)技术利用2.45GHz微波在磁场中激发电子回旋共振,产生等离子体用于半导体刻蚀。该频率微波具有易吸收、低损伤特性,广泛应用于ECR-RIE机台。ECR技术优势在于高选择性、方向性和低损伤,但存在设备复杂、刻蚀速率低等缺点,适用于浅槽隔离、栅电极等半导体制造环节。该频率微波同时应用于微波炉、Wi-Fi等领域。
2025-09-22 15:33:17
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原创 芯片制造必不可少的工艺之干法刻蚀
干法刻蚀是微电子制造中的关键技术,利用等离子体对材料进行精确蚀刻,形成纳米级结构。等离子体是电离气体状态,具有高反应性和导电性。干法刻蚀具有高精度和各向异性特点,但设备成本较高。主要设备类型包括ECR、ICP、CCP和IBE,分别通过微波、射频感应、电容耦合和离子束实现等离子体生成。该技术工艺复杂但对现代科技发展影响深远,需专业工程师深入掌握。
2025-09-22 15:31:23
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原创 芯片制造是如何进行电子束蒸发?
电子束蒸发是一种物理气相沉积技术,通过电子枪产生高能电子束轰击目标材料,使其蒸发并在基板上形成薄膜。该技术具有高沉积速率、材料利用率高、可精确控制等优点,适合高熔点金属的镀膜。通过电磁聚焦和对准可精准控制电子束,石英晶体微平衡器可实时监测膜厚。但该技术设备复杂昂贵,某些材料可能发生分解,且存在膜厚不均问题。电子束蒸发广泛应用于高质量薄膜制备,尤其适用于多组分镀层。
2025-09-22 15:27:06
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原创 物理气相沉积 (PVD) 的常见工艺磁控溅射是什么?
磁控溅射是一种高效物理气相沉积技术,利用磁场增强溅射过程,具有沉积速度快、温度低等优势。该技术起源于20世纪60年代,现已成为半导体、光学镀膜等领域的关键工艺。其核心原理是通过磁场约束电子运动,提高等离子体密度和溅射效率。磁控溅射源分为平衡式(镀膜均匀)和非平衡式(结合力强)两种,分别适用于不同应用场景。该技术广泛应用于功能性薄膜、微电子器件、光学涂层、机械加工等领域,包括太阳能电池增透膜、装饰镀层、超硬耐磨涂层等,在高温超导、记忆合金等新材料研发中也发挥重要作用。
2025-09-22 15:22:09
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原创 芯片制造中的PVD涂层是什么?
PVD涂层是一种环保的真空沉积工艺,通过在基材表面沉积金属、陶瓷等材料,形成高硬度、耐磨损的薄膜。该工艺包括清洁、预处理、沉积和质量控制四个步骤,常见类型有溅射镀膜、热蒸发等。PVD涂层具有耐久性强、耐腐蚀、美观环保等优点,广泛应用于汽车、航空航天等领域。但其成本较高、膜厚有限,且需要专业设备和技术人员操作。
2025-09-20 11:11:02
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原创 芯片制造常见工艺之MOCVD
MOCVD(金属有机化学气相沉积)是一种重要的外延生长技术,主要用于半导体器件制造。该技术通过金属有机化合物前驱体在加热衬底上分解反应,形成高质量单晶薄膜。MOCVD具有均匀性好、材料质量高等优点,被广泛应用于LED和激光器制造,尤其是氮化镓材料生长。但存在设备成本高、前驱体毒性等缺点。与外延技术(LPE、MBE等)共同构成半导体制造的关键工艺。
2025-09-20 11:05:26
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原创 芯片制造的常见工艺之APCVD
APCVD(常压化学气相沉积)是一种在常压下进行的气相沉积技术,无需真空设备。该技术主要用于微电子器件中沉积绝缘层(如SiO2)和导体层(如多晶硅),也可用于传感器制造。APCVD具有高沉积率、设备简单等优点,但存在非均匀性较差、表面粗糙度高、温度限制和污染风险等缺点。典型工艺包括使用硅烷和氧气反应沉积SiO2,通过添加不同气体可获得PSG或BPSG等特殊材料。该技术广泛应用于电子元件隔离和晶体管制造等领域。
2025-09-20 11:00:37
379
原创 芯片制造常见工艺之ALD
ALD是一种原子级精度的薄膜沉积技术,通过交替脉冲前体气体实现分子层级的逐层生长。其特点包括:1)可在50-350℃温度窗口操作;2)能制备无针孔薄膜;3)实现100%阶梯覆盖;4)适用于敏感基材。该技术最初用于电致发光显示器,现已成为半导体制造和纳米技术的核心工艺,并广泛应用于光学、MEMS、新能源等领域。ALD可沉积金属氧化物、氮化物、有机材料等多种涂层。
2025-09-20 10:57:33
679
原创 半导体制造中常见工艺之LPCVD
LPCVD(低压化学气相沉积)是芯片制造中用于沉积各类薄膜的关键技术,包括氧化硅、氮化硅及金属薄膜等。其工艺包含气体输送、吸附、反应、沉积及副产物移除五个步骤,通过精确控制气压和温度实现薄膜均匀沉积。LPCVD设备分为立式和卧式两类:立式炉通过垂直气流提升均匀性,适合大规模生产;卧式炉虽结构简单但存在厚度不均问题,且占地面积大。现代产线已普遍采用立式炉替代传统卧式设备。该技术通过气态前驱体在低压环境下的受控反应,为集成电路制造提供重要薄膜材料。(149字)
2025-09-20 10:47:42
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原创 一文告诉你什么是半导体制造常见的PECVD工艺
PECVD(等离子增强化学气相沉积)是一种低温薄膜沉积技术,通过等离子体激发化学反应实现高质量薄膜生长。其核心优势包括:低温工艺(室温至350°C)适合热敏感材料;出色的台阶覆盖能力可在复杂表面均匀成膜;通过调节参数可精确控制薄膜特性(折射率、应力等)。典型工艺采用射频放电激发硅烷等前驱气体,在半导体制造和光伏领域应用广泛,如介电层沉积、太阳能电池光学镀膜等。该技术兼具低温加工和高质量成膜的特点,在微电子和光电器件制造中具有不可替代的作用。
2025-09-19 09:50:33
355
原创 芯片制造中常见的CVD机台全类别
化学气相沉积(CVD)是制造半导体薄膜的重要技术,主要有PECVD、LPCVD、APCVD、MOCVD和ALD等类型。PECVD利用等离子体在低温下沉积薄膜;LPCVD在低压高温环境中提高膜均匀性;APCVD操作简单但精度较低;MOCVD专用于III-V族半导体;ALD通过自限反应实现原子级精度。不同CVD技术适用于不同材料和工艺需求。
2025-09-19 09:40:53
578
原创 一文告诉你半导体常见工艺之化学气相沉积(CVD)
化学气相沉积(CVD)是一种通过气相化学反应在基体表面形成固体薄膜的工艺。其反应过程包括反应物激活、表面反应、薄膜生长及结晶等步骤,通常需要高温高压条件。CVD使用高纯度前驱体(如卤化物、氢化物等),具有高均镀性、经济性等优势,但存在高温需求、毒性副产物等缺点。与物理气相沉积(PVD)相比,CVD更适合陶瓷和聚合物沉积,涂层更致密均匀,但材料选择范围较窄。两种工艺在材料适应性、工艺条件和涂层特性方面存在显著差异。
2025-09-19 09:39:04
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原创 一文告诉你如何进行CMP终点检测
CMP工艺中终点检测(EPD)是关键环节,用于确定何时停止抛光以达成目标膜厚和平整度。主要检测方法包括:1)光学检测,通过分析反射光强度或干涉条纹判断材料层变化;2)电学检测,监测电阻或电容值变化识别材料转换;3)声学检测,利用研磨声音的频率特征变化判断终点。这些技术可避免过度或不足抛光导致的性能损失或成本增加,对提升半导体制造良率至关重要。
2025-09-19 09:28:54
301
原创 半导体制造常提到的Fan-in晶圆级封装是什么?
晶圆级封装(WLP)是当前最小封装技术,分为扇入型(FI-WLP)和扇出型(FO-WLP)。FI-WLP封装尺寸与裸片相同,适合引脚数较少场景;FO-WLP通过扩展封装面积支持更多引脚,适用于复杂芯片。相比传统引线键合,WLP具有更高电气性能和封装密度,广泛应用于智能手机、物联网和汽车电子等领域。WLP工艺包含重分布层制作、焊球附着等步骤,其优势在于无需引线和中介层,实现真正芯片级封装。
2025-09-18 11:57:53
596
原创 半导体制造常提到的Fan-Out晶圆级封装是什么?
本文介绍了Fan-Out晶圆级封装(FOWLP)技术及其三种主要工艺形式。FOWLP通过在芯片外扩展I/O布线,解决了传统封装中I/O点密度不足的问题。详细阐述了三种工艺:面朝上(die-up)先模塑后布线,面朝下(die-down)先布线后模塑,以及RDL-first先制作重分布层。分析比较了各工艺在成本、I/O数量适应性、热管理和高频性能等方面的特点,指出面朝下工艺成本最低但适用场景有限,面朝上工艺散热更好,RDL-first工艺适用于复杂封装。最后强调转载需注明出处。(150字)
2025-09-18 11:49:52
375
原创 存储器中3D NAND是一种什么样的技术?
3DNAND是一种垂直堆叠的闪存技术,突破了传统2DNAND的平面容量限制,具有更高密度、更快速度和更低成本等优势。它广泛应用于企业级SSD、超融合基础设施和大容量数据中心存储。全球主要生产商包括三星、英特尔/美光、东芝/西部数据、SK海力士以及中国的长江存储和华力微电子。这项技术正推动着存储行业向更大容量、更高性能方向发展。
2025-09-18 11:36:10
563
原创 为什么光刻过程中需要抗反射层?
光刻工艺中抗反射层(ARC)用于减少光反射导致的工艺缺陷。主要包括底部抗反射涂层(BARC)和顶部抗反射涂层(TARC),分别涂布在衬底和光阻层表面。光反射会造成驻波效应、降低曝光宽容度和焦深、影响临界尺寸均匀性等问题。ARC通过干涉效应和优化折射率来减少反射,其理想厚度为光波长的四分之一。BARC工艺先涂布后固化再涂光阻,TARC则在光阻层上涂布。随着芯片尺寸缩小,ARC在提升光刻精度和良率方面发挥越来越重要的作用。
2025-09-18 11:28:44
236
原创 芯片制造中光刻工艺里出现的I-line光刻胶是什么?
I线光刻胶是一种用于365nm紫外光刻的光敏材料,主要由光敏剂、树脂、溶剂和添加剂组成。光敏剂在曝光后改变溶解性,树脂提供结构支撑,溶剂调节粘度以利涂覆,添加剂则改善特定性能。正性光刻胶含重氮萘醌和新洁尔灵树脂,负性光刻胶则使用双酮醇和环氧树脂。虽然I线光刻胶适用于亚微米线宽制作,但更先进的DUV和EUV光刻胶可实现更高分辨率。该材料的选择需综合考虑光刻胶特性、曝光条件和制程要求。
2025-09-17 17:58:54
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原创 半导体制造中常见的DUV光刻机是什么
DUV光刻机使用193nm深紫外光源,其透镜系统需满足极高要求:采用高纯度石英材料制造,表面需精密抛光;具备高透射率、低色散和低波前畸变特性;要求严格的热稳定性以应对光刻过程中的热量影响。透镜系统主要实现三大功能:聚焦光源、形成光刻图案和校正光线畸变,确保光刻精度。整个制造过程需在严格控温环境下进行,以维持光学性能稳定。
2025-09-17 17:51:13
266
原创 光刻胶需要怎样的存储和运输的条件?
光刻胶是半导体制造的关键材料,对存储和运输条件要求严格。需在4-10°C冷藏保存,温度过高会导致粘度降低、溶剂挥发加速、光敏性变化等,显著缩短有效期。同时必须避光处理,使用不透光包装和遮光环境。运输时需遵守危险品规定,包括正确分类、安全文档、专用设备和人员培训。这些措施对保证光刻胶性能至关重要。
2025-09-17 17:48:48
518
原创 半导体制造的芯片可靠性测试的全类别
芯片可靠性测试是确保芯片性能稳定的关键环节,主要包括温度循环测试、高温存储测试、跌落测试和加速应力测试(uHAST)等方法。温度循环测试评估芯片在不同温度下的稳定性;高温存储测试检测长期高温对芯片的影响;跌落测试验证机械强度;uHAST测试则通过极端条件加速老化过程。这些测试能有效发现潜在缺陷,保障芯片在各种环境下的长期可靠性。
2025-09-17 17:43:05
808
原创 晶圆厂为什么都采用高架地板?
晶圆厂高架地板是为半导体制造环境设计的特殊活动地板系统。其核心功能包括:防静电保护敏感设备、隐蔽式电缆管理、洁净室空气流通控制以及振动吸收。采用PVC等防静电材料制成,结构由穿孔面板、可调节支撑柱和横梁组成,并配备接地系统。典型高度在610-1219mm之间,部分场景可降至100mm。维护需注意:定期清洁、避免超载、检查接地系统,使用专业工具进行面板拆卸。该系统能有效满足晶圆厂对洁净度、防静电和稳定性的严苛要求。
2025-09-17 16:27:43
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原创 光刻胶涂层常见的超声波喷涂工艺是什么?
摘要:超声波喷涂技术为MEMS晶圆和3D微结构提供了一种高效的光刻胶涂覆方案。相比传统旋涂法,该技术能实现更均匀的侧壁涂层,特别适用于高纵横比结构。通过精确控制流速和喷涂参数,可形成超薄均匀涂层,且具有不堵塞、可重复等优势。工艺流程包括基片预处理、胶液加热、参数设置、多向喷涂及固化检测等环节。该技术为芯片制造中的复杂结构涂覆提供了灵活可靠的解决方案,但需根据具体需求优化参数组合。(149字)
2025-09-16 10:10:19
278
原创 什么是半导体产业里必不可少的天车搬运系统(OHT)?
摘要:天车搬运系统(OHT)是半导体制造中关键的自动化运输系统,通过高架轨道实现晶圆盒的高效运输。该系统由导轨、吊车、载具和控制系统组成,具有5m/s的运输速度,能显著提升生产效率、减少人工干预和污染风险。相比其他搬运系统,OHT节省空间、降低成本且可靠性高。半导体厂可通过优化设计、提高系统可靠性和加强维护管理来充分发挥OHT潜力。随着技术进步,OHT系统有望进一步提升半导体制造的效率和质量。
2025-09-16 09:41:44
640
原创 光刻工艺中浸没光刻有什么优点?
浸没光刻技术通过在透镜与晶圆间填充高折射率介质(如纯水)显著提升分辨率,使半导体制造突破至38纳米以下。该技术相比干式光刻分辨率提高30-40%,焦深改善40-70%,成为45nm及更先进节点的关键工艺。但存在工艺缺陷(气泡控制、酸腐蚀)、光源功率限制和光刻胶性能瓶颈等挑战。目前产业界正研发更高折射率材料(如镥铝石榴石)和新型光刻胶以推动技术发展。该技术已广泛应用于32nm/22nm等先进节点,是延续摩尔定律的重要技术路径。
2025-09-16 09:11:39
592
原创 什么是光刻工艺必做的六甲基二硅氮烷处理?
光刻胶粘附是电子制造的关键环节,HMDS处理能有效提升附着力。文章介绍了HMDS处理的发展历程和应用方法,指出其通过脱水烘烤和化学改性使硅片表面疏水化,从而改善光刻胶匹配性。水接触角测量是评估处理效果的重要指标,最佳接触角范围为65°-80°。该工艺能显著降低光刻胶分层风险,确保图案化精度。
2025-09-16 09:09:02
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原创 芯片制造中为什么都喜欢用单晶硅作为衬底材料呢?
单晶硅因其优异的半导体性能成为芯片制造的核心材料。它具有99.9999%以上的超高纯度确保器件稳定性,晶体结构高度均一可实现性能一致性,且生长过程可精确控制。主要制备方法包括直拉法和区熔法,通过严格控制工艺参数,能生产出满足不同需求的单晶硅片。这些特性使单晶硅成为制造计算机芯片、处理器等半导体器件的理想衬底材料。
2025-09-15 17:01:52
445
原创 半导体工艺的关键材料之CMP抛光垫
CMP抛光垫是半导体制造中的关键材料,由多孔聚氨酯泡沫制成,通过微孔结构和沟槽设计实现抛光液均匀分布和碎屑清除。该材料广泛应用于硅片、金属等材料的平坦化加工,其表面特性直接影响抛光效率和质量。国际知名供应商包括3M、杜邦等公司。选型需考虑材料特性、磨料参数及抛光液配方,使用时需控制压力、定期更换并妥善维护。正确使用CMP抛光垫对保证半导体器件性能和延长设备寿命至关重要。
2025-09-15 16:59:58
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原创 一文读懂半导体常提到的气相化学沉积(CVD)
化学气相沉积(CVD)是一种通过气相化学反应在基体表面沉积固体薄膜的工艺,涉及反应物激活、表面反应、薄膜生长和结晶等步骤。该工艺需高温高压条件,使用高纯度前驱体如卤化物、氢化物等,具有高均镀性和经济性优势,但存在高温操作、毒性副产物等缺点。与物理气相沉积(PVD)相比,CVD在材料范围、工艺条件和涂层特性上存在明显差异,适用于不同应用场景。
2025-09-15 16:51:01
833
原创 什么是半导体制造中的PVD涂层?
PVD涂层是一种环保的真空沉积工艺,通过物理气相沉积在基材表面形成薄层材料。该工艺包括清洁、预处理、涂层和质量控制四个步骤,常见类型有溅射镀膜、热蒸发、电子束蒸发和离子镀。PVD涂层具有高硬度、耐磨性和耐腐蚀性,广泛应用于汽车、航空航天、医疗等行业,并能提供多种颜色选择。其优势包括提高耐久性、环保性,但存在成本高、涂层薄、材料选择有限等缺点。PVD涂层工艺需要专业设备和操作人员,是现代制造业中重要的表面处理技术。
2025-09-13 09:57:11
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原创 一文帮你看懂什么是半导体制造中的CMP化学机械研磨技术
CMP研磨液是半导体制造中化学机械抛光的关键材料,主要由磨料、缓冲液、抛光剂和添加剂组成。磨料(如氧化铝、氧化硅)负责去除表面杂质,缓冲液调节pH值,抛光剂降低摩擦,添加剂改善分散性和化学反应。未来研发将重点优化组分性能,提高效率稳定性的同时,注重环保化发展,采用低毒易降解成分。该技术对实现晶圆表面高质量平坦化具有重要作用。
2025-09-13 09:53:24
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原创 芯片厂常用的溶液—TMAH全方位介绍
TMAH(四甲基氢氧化铵)是一种强碱性有机化合物,广泛应用于半导体、光学和化工等领域。它具有清洗、抛光、显影、络合等多种功能,可用作清洗剂、抛光剂、显影剂、表面活性剂等。尽管TMAH用途广泛,但其具有强刺激性、毒性和爆炸风险,使用时需穿戴防护装备、保持通风并严格遵守操作规程。随着技术进步,TMAH的应用领域将持续扩展,但必须重视其安全使用和环境保护问题。
2025-09-13 09:27:51
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原创 半导体制造的光刻工艺该如何选择合适的光刻胶?
光刻胶是微电子制造中的关键材料,其性能直接影响器件质量。选购时需综合考虑六大因素:分辨率决定最小成像尺寸,需与成本权衡;灵敏度影响曝光能量需求;显影性能确保去除效果和精度;机械性能防止变形和裂纹;耐化学性抵抗腐蚀溶解;成本包括制备和使用费用。此外,稳定性和可重复性对量产尤为重要。建议选择大厂品牌产品,根据具体应用场景平衡各要素,确保制造质量和效率。
2025-09-13 09:21:14
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原创 半导体产业常用术语5S是什么意思?
5S管理法是一种源自日本的工作场所优化方法,包含整理(Seiri)、整顿(Seiton)、清扫(Seiso)、清洁(Seiketsu)和素养(Shitsuke)五个步骤。其英文对应为Sort、Set、Shine、Standardize和Sustain。该方法通过清除不必要物品、规范物品摆放、保持环境清洁、建立标准化流程及培养良好习惯,实现工作场所的高效、安全与整洁。5S管理能提升工作效率、改善工作环境、增强员工责任意识,已成为现代企业尤其是芯片制造等行业的重要管理工具。
2025-09-13 09:02:52
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原创 半导体常见分析设备之EDX分析
EDX(能量色散X射线)分析是一种通过检测样品受电子束轰击时释放的特征X射线来确定元素成分的技术。该技术需结合扫描电镜使用,通过分析X射线能谱图中的特征峰来识别元素及浓度。相比WDX(波长色散X射线)分析,EDX操作更简便但分辨率较低。两种方法均适用于无机污染物检测和元素成分分析,其中WDX具有更好的能量分辨率和定量精度。使用时需注意探头电流调节、点模式操作等关键参数设置。
2025-09-12 17:13:17
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原创 晶圆级封装的工艺原理
晶圆级封装(WLP)是一种在完整晶圆上直接进行封装的技术,分为扇入型和扇出型两类。相比传统引线键合,WLP通过焊料凸块实现更高密度互连,具有体积小、成本低、电气性能好等优势。该技术支持RDL布线、2.5D/3D堆叠,广泛应用于移动设备、AI和物联网等领域,满足高性能芯片的微型化需求。随着技术进步,WLP正推动半导体封装向更高效、更集成的方向发展。
2025-09-12 17:06:41
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原创 半导体常提到的TGV玻璃通孔基板是什么
玻璃通孔(TGV)技术在3DIC封装中发挥关键作用,通过玻璃基板实现垂直互连,占封装成本的30%。玻璃中介层具有精细布线、低损耗和光子兼容等优势,适用于5G、HPC和IoT应用。TGV制造采用激光诱导蚀刻技术,可形成高密度、高纵横比(1:10)的微孔。优化碱性蚀刻工艺能实现低至1度的锥角,提升封装性能。该技术为先进封装提供了高带宽、低损耗的互连解决方案。
2025-09-12 17:02:29
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