STM32运行存储在外部SPI FLASH中的代码

STM32的代码是保存在内部FLASH中，执行也在内部FLASH中。那有没有设想一下，如果代码保存在外部SPI FLASH，执行在内部RAM该怎么做?

实现步骤：

1. 我使用的是STM32F103RCT6，板载SPI FLASH，并且PA4(CS)，PA5(SCK)，PA6(MISO)，PA7(MOSI)连到W25Q32FV上,PA2接到LED上。

2. 使用STMCubeMX新建工程，定义SPI4根线、配置SPI相关参数、定义LED端口，生成工程，然后加入SPI FLASH的驱动。

3. 修改总工程属性Option for File Target：

   • 勾选并定义ROM1：0xC0000000, 0x100，由于测试代码较小，这里只分配256个字节。
   • IRAM字段由于要放一部分用来执行代码，则将原先长度0xC000缩小为0x8000
   • 如图：
     

4. 新建test.c文件，该文件用于保存在SPI FLASH、执行在RAM的代码
   修改test.c文件属性Option for File Target，如图：

5. 编辑test.c，加入翻转LED灯代码：

#include "main.h"
#include "stm32f1xx_hal.h"

void led_test(void)
{
    while(1)
    {
        HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
        HAL_Delay(1000);
    }
}

6. 编译没问题后，重新修改总工程属性Option for File Target，切换到Link选项，取消勾选Use Memory Layout from Target Dialog，并点击Edit编辑sct文件。
   如图 ：
   
   sct编辑内容如下：

LR_IROM1 0x08000000 0x00020000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00020000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00008000  {  ; RW data
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

LR_ROM1 0xC0000000 0x00000100  {
  ER_ROM1 0x20008000 0x00000100  {  ; load address = execution address
    test.o (+RO)
   .ANY (+RO)
  }
}

7. 编辑main.c，添加以下代码：

//由于代码存在外部的SPI FLASH，因此代码搬移工作必须手动完成，即加载域到执行域的拷贝工作必须自己完成。
W25QXX_Read((uint8_t*)0x20008000,0x0, 100);//注释该语句将进入HardFault_Handler
led_test();

8. 重新完全编译，然后烧录选项添加SPI FLASH的烧录算法。
   参考：Keil（MDK）下用仿真器烧程序的同时烧写附加数据到SPI FLASH
   烧录后上电，点灯间隔1秒闪烁成功，大功告成！

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