STM32H7代码运行在外置flash的部分总结

场景

项目中需要用到STM32H750这款ARM cortex-M7内核的单片机，它作为H743的阉割版，它的内置flash只剩下128K。但是对于我们需要有IAP升级的项目来说，这128K（一个扇区）完全不够用，所以需要外置QSPI Flash。但是使用外置QSPI Flash又引入了新的问题。

问题一：需要自己写分散加载文件

• 首先介绍一下什么是分散加载文件：我们的代码在编译以后，需要由编译器链接到指定内存地址上，平时我们在STM32内置的flash上可以直接使用keil生成的分散加载文件就可以，但是keil并不知道我们外置的flash，所以需要我们自己来完成这部分工作。

• keil中的配置如下图所示：
  

• 分散加载文件如下图所示（了解了ro、rw、zi代表了什么，就可以自己定义下面的各个地址空间）：
  

问题二：运行在STM32片内flash速度比QSPI Flash要快多少

• 运行速度的差异是很重要的，不能因为外置flash就让我的高性能芯片效率变低，所以我测试了两种代码运行方式的运行速度进行对比࿰