9.3 功率放大电路的安全运行

在功率放大电路中,功放管既要流过大电流,又要承受高电压。例如,在 OCL 电路中,只有功放管满足式(9.2.13)所示极限值的要求,电路才能正常工作。因此,所谓功率放大电路的安全运行,就是要保证功放管安全工作。在实用电路中,常加保护措施,以防止功放管过电压、过电流和过功耗。

一、功放管的二次击穿

从晶体管的输出特性可知,对于某一条输出特性曲线,当 c - e 之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿现象;而且, I B I_{B} IB 愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为 “一次击穿”。晶体管在一次击穿后,集电极电流会骤然增大,若不加以限制,则晶体管的工作点变化到临界点 A A A 时,工作点将以毫秒甚至微秒级的高速度从 A A A 点到 B B B 点,此时电流猛增,而管压降却减小,如图9.3.1(a)所示,称为 “二次击穿”。晶体管经二次击穿后,性能将明显下降,甚至造成永久性损坏。

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I B I_B IB 不同时二次击穿的临界点不同,将它们连接起来,变得到二次击穿的临界区县,简称为 S/B \textrm {S/B} S/B 曲线,如图(b)所画。从二次击穿产生的过程可知,防止晶体管的一次击穿,并限制其集电极电流,就可避免二次击穿。例如,在功放管的 c - e 间加稳压管,就可防止其一次击穿。

二、功放管的散热问题

功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值 P C M P_{CM} PCM。而晶体管的耗散功率取决于管子内部的 PN \textrm{PN} PN 结(主要是集电结)温度 T j T_j Tj。当 T j T_j Tj 超过允许值后,集电极电流将急剧增大而烧坏管子。硅管的结温允许值为 120 ∼ 180   ℃ 120\sim180\,℃ 120180,锗管的结温允许值为 85   ℃ 85\,℃ 85 左右。耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。管子的功耗愈大,结温愈高。因而改善功放管的散热条件,可以在同样的结温下提高集电极最大耗散功率 P C M P_{CM} PCM,也就可以提高输出功率。

1、热阻的概念

热在物体中传导时所受到的阻力用 “热阻” 来表示。当晶体管集电结消耗功率时, PN \textrm {PN} PN 结产生温升,热量从管芯向外传递。设结温为 T j T_j Tj,环境温度为 T a T_a Ta,则温差 Δ T ( = T j − T a ) \Delta T(=T_j-T_a) ΔT(=TjTa) 与集电结耗散功率 P C P_C PC 成正比,比例系数称为热阻 R T R_T RT,即 Δ T = T j − T a = P C R T ( 9.3.1 ) \Delta T=T_j-T_a=P_CR_T\kern 40pt(9.3.1) ΔT=TjTa=PCRT(9.3.1)可见,热阻 R T \pmb{R_T} RT 是传递单位功率时所产生的温差,单位为 ℃ / W ℃/\textrm W ℃/W R T R_T RT 愈大,表明相同温差下能够散发的热能愈小。换言之, R T R_T RT 愈大,表明同样的功耗下结温升愈大。可见,热阻是衡量晶体管散热能力的一个重要参数。
当晶体管结温功耗达到最大允许值 T j M T_{jM} TjM 时,集电结功耗也达到 P C M P_{CM} PCM,若环境温度为 T a T_a Ta,则 Δ T = T j M − T a = P C M R T \Delta T=T_{jM}-T_a=P_{CM}R_T ΔT=TjMTa=PCMRT P C M = T j M − T a R T ( 9.3.2 ) P_{CM}=\frac{T_{jM}-T_a}{R_T}\kern 20pt(9.3.2) PCM=RTTjMTa(9.3.2)式(9.3.2)中,若管子型号确定,则 T j M T_{jM} TjM 也就确定。 T a T_a Ta 常以 25   ℃ 25\,℃ 25 为基准,因而若要增大 P C M P_{CM} PCM,必须减小 R T R_T RT

2、热阻的估算

以晶体管为例,管芯(J)向环境(A)散热的途径有两条:管芯(J)到外壳(C),再经外壳到环境;或者管芯(J)到外壳(C),再经散热片(S)到环境。即 J → C → A \textrm J\rightarrow \textrm C\rightarrow\textrm A JCA J → C → S → A \textrm J \rightarrow \textrm C\rightarrow\textrm S\rightarrow\textrm A JCSA,如图9.3.2(a)所示。设 J - C \textrm {J - C} J - C 间热阻为 R j c R_{jc} Rjc C - A \textrm{C - A} C - A 间热阻为 R c a R_{ca} Rca C - S \textrm {C - S} C - S 间热阻为 R c s R_{cs} Rcs S - A \textrm{S - A} S - A 间热阻为 R s a R_{sa} Rsa,则反映晶体管散热情况的热阻模型如图(b)所示。

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在小功率放大电路中,放大管一般不加散热器,故晶体管的等效热阻为 R T = R j c + R c a ( 9.3.3 ) R_T=R_{jc}+R_{ca}\kern 30pt(9.3.3) RT=Rjc+Rca(9.3.3)在大功率放大电路中,功放管一般均要加散热器,且 R c s + R s a < < R c a R_{cs}+R_{sa}<<R_{ca} Rcs+Rsa<<Rca,故 R T ≈ R j c + R c s + R s a ( 9.3.4 ) R_T\approx R_{jc}+R_{cs}+R_{sa}\kern 20pt(9.3.4) RTRjc+Rcs+Rsa(9.3.4)不同型号的管子 R j c R_{jc} Rjc 不同,如 3AD30 的 R j c R_{jc} Rjc 1   ℃ / W 1\,℃/\textrm W 1℃/W,而 3DG7 的 R j c R_{jc} Rjc 却大于 150   ℃ / W 150\,℃/\textrm W 150℃/W,可见其差别很大。 R c a R_{ca} Rca 与外壳所用材料和几何尺寸有关,如大功率管 3AD30 的 R c a R_{ca} Rca 30   ℃ / W 30\,℃/\textrm W 30℃/W,而小功率管 3DG7 的 R c a R_{ca} Rca 150   ℃ / W 150\, ℃/\textrm W 150℃/W
式(9.3.4)中的 R c s R_{cs} Rcs 既取决于晶体管和散热器之间是否加绝缘层(如聚乙烯薄膜、 0.05 ∼ 0.1   mm 0.05\sim0.1\,\textrm{mm} 0.050.1mm 的云母片),又取决于二者之间的接触面积和压紧程度。 R s a R_{sa} Rsa 与散热器所用材料及其表面积大小、厚薄、颜色,和散热片的安装位置等因素紧密相关。

3、功放管的散热器

两种散热器如图9.3.3所示。经验表明,当散热器垂直或水平放置时,有利于通风,故散热效果较好。散热器表面钝化涂黑,有利于热辐射,从而可以减小热阻。在产品手册中给出的最大集电极耗散功率是在指定散热器(材料、尺寸等)及一定环境温度下的允许值;若改善散热条件,如加大散热器、用电风扇强制风冷,则可获得更大一些的散热功率。

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书 名 高频电路原理与分析(第五版) 作 者 曾兴雯 刘乃安 陈健 付卫红 本书是《高频电路原理与分析(第四版)》的修订版,主要是在《高频电路原理与分析(第四版)》的基础上强化了高频电路的系统概念和系统设计。本书内容包括绪论 高频电路基础与系统问题 高频谐振放大器 正弦波振荡器,频谱的线性搬移电路 振幅调制、 解调及混频、频率调制与解调,反馈控制电路, 高频电路的集成化与系统设计等。 本书可作为通信工程、 电子信息工程等专业的本科生教材,也可作为大专、电大、职大相关专业的教材和有关工程技术人员的参考书。 目录 编辑 第1章 绪论 1 1.1 无线通信系统概述 1 1.1.1 无线通信系统的组成 1 1.1.2 无线通信系统的类型 4 1.1.3 无线通信系统的要求与指标 5 1.2 信号、 频谱与调制 5 1.3 本课程的特点 9 思考题与习题 10 第2章 高频电路基础与系统问题 11 2.1 高频电路中的元器件 11 2.1.1 高频电路中的元件 12 2.1.2 高频电路中的有源器件 13 2.2 高频电路中的组件 15 2.2.1 高频振荡回路 15 2.2.2 高频变压器和传输线变压器 25 2.2.3 石英晶体谐振器 30 2.2.4 集中滤波器 34 2.2.5 高频衰减器 37 2.3 阻抗变换与阻抗匹配 38 2.3.1 振荡回路的阻抗变换 39 2.3.2 LC网络阻抗变换 39 2.3.3 变压器阻抗变换 42 2.3.4 电阻网络阻抗变换 42 2.4 电子噪声与接收灵敏度 43 2.4.1 概述 43 2.4.2 电子噪声的来源与特性 44 2.4.3 噪声系数和噪声温度 49 2.4.4 噪声系数的计算 52 2.4.5 噪声系数与接收灵敏度的关系 55 2.5 非线性失真与动态范围 56 2.5.1 非线性失真产生的机理 56 2.5.2 非线性失真与动态范围 59 2.5.3 改善非线性失真的措施 60 2.6 高频电路的电磁兼容 61 2.6.1 合理接地 62 2.6.2 屏蔽与吸收 62 2.6.3 去耦与滤波 63 2.6.4 电路设计 63 思考题与习题 64[1] 第3章 高频谐振放大器高频谐振功率放大器的工作状态 78 3.1 高频小信号放大器 66 3.1.1 高频小信号谐振放大器的工作原理 67 3.1.2 放大器性能分析 67 3.1.3 高频谐振放大器的稳定性 69 3.1.4 多级谐振放大器 71 3.1.5 高频集成放大器 72 3.2 高频功率放大器的原理和特性 74 3.2.1 工作原理 75 3.2.2 高频谐振功率放大器的工作状态 78 3.2.3 高频功放的外部特性 82 3.3 高频功率放大器的高频效应 85 3.4 高频功率放大器的实际线路 87 3.4.1 直流馈电线路 87 3.4.2 输出匹配网络 88 3.4.3 高频功放的实际线路举例 89 3.5 高效功放与功率合成 90 3.5.1 D类高频功率放大器 90 3.5.2 功率合成器 94 3.6 高频集成功率放大器简介 96 附表 余弦脉冲分解系数表 99 思考题与习题 101 第4章 正弦波振荡器振荡线路举例——互感耦合振荡器 109 4.1 反馈振荡器的原理 105 4.1.1 反馈振荡器的原理分析 105 4.1.2 平衡条件 106 4.1.3 起振条件 107 4.1.4 稳定条件 108 4.1.5 振荡线路举例——互感耦合振荡器 109 4.2 LC振荡器 110 4.2.1 振荡器的组成原则 110 4.2.2 电容反馈振荡器 111 4.2.3 电感反馈振荡器 113 4.2.4 两种改进型电容反馈振荡器 114 4.2.5 场效应管振荡器 116 4.2.6 压控振荡器 117 4.2.7 E1648单片集成振荡器 117 4.3 频率稳定度 118 4.3.1 频率稳定度的意义和表征 118 4.3.2 振荡器的稳频原理 119 4.3.3 提高频率稳定度的措施 120 4.4 LC振荡器的设计考虑 121[1] 4.5 石英晶体振荡器 122 4.5.1 石英晶体振荡器频率稳定度 122 4.5.2 晶体振荡器电路 123 4.5.3 高稳定晶体振荡器 126 4.6 振荡器中的几种现象 127 4.6.1 间歇振荡 127 4.6.2 频率拖曳现象 128 4.6.3 振荡器的频率占据现象 130 4.6.4 寄生振荡 132 4.7 RC振荡器 133 4.7.1 RC网络 134 4.7.2 RC振荡器 135 4.7.3 文氏桥振荡器 136 4.8 负阻振荡器 137 4.8.1 负阻型振荡器 137 4.8.2 负阻性器件 137 4.8.3 负阻振荡器 139 思考题与习题 140 第5章 频谱的线性搬移电路 144 5.1 非线性电路的分析方法 144 5.1.1 非线性函数的级数展开分析法 145 5.1.2 线性时变电路分析法 147 5.2 二极管电路 149 5.2.1 单二极管电路 150 5.2.2 二极管平衡电路 152 5.2.3 二极管环形电路 155 5.3 差分对电路 159 5.3.1 单差分对电路 159 5.3.2 双差分对电路 162 5.4 其它频谱线性搬移电路 164 5.4.1 晶体三极管频谱线性搬移电路 164 5.4.2 场效应管频谱线性搬移电路 166 思考题与习题 168 第6章 振幅调制、 解调及混频 170 6.1 振幅调制 170 6.1.1 振幅调制信号分析 170 6.1.2 振幅调制电路 178 6.2 调幅信号的解调 190 6.2.1 调幅解调的方法 190 6.2.2 二极管峰值包络检波器 191 6.2.3 同步检波 201[1] 6.3 混频 204 6.3.1 混频的概述 204 6.3.2 混频电路 208 6.4 混频器的干扰 216 6.4.1 信号与本振的自身组合干扰 216 6.4.2 外来干扰与本振的组合干扰 218 6.4.3 交叉调制干扰(交调干扰) 220 6.4.4 互调干扰 221 6.4.5 包络失真和阻塞干扰 222 6.4.6 倒易混频 222 思考题与习题 223 第7章 频率调制与解调 231 7.1 调频信号分析 231 7.1.1 调频信号的参数与波形 231 7.1.2 调频波的频谱 233 7.1.3 调频波的信号带宽 235 7.1.4 调频波的功率 236 7.1.5 调频波与调相波的比较 237 7.2 调频器与调频方法 239 7.2.1 调频器 239 7.2.2 调频方法 239 7.3 调频电路 241 7.3.1 直接调频电路 241 7.3.2 间接调频电路 249 7.4 鉴频器与鉴频方法 250 7.4.1 鉴频器 250 7.4.2 鉴频方法 251 7.5 鉴频电路 257 7.5.1 叠加型相位鉴频电路 257 7.5.2 比例鉴频器 262 7.5.3 正交鉴频器 264 7.5.4 其它鉴频电路 266 7.5.5 限幅电路 268 7.6 调频收发信机及特殊电路 269 7.6.1 调频发射机 269 7.6.2 调频接收机 270 7.6.3 特殊电路 270 7.7 调频多重广播 273 7.7.1 调频立体声广播 273 7.7.2 电视伴音的多重广播 274[1] 附表 贝塞尔函数的数值表 275 思考题与习题 276 第8章 反馈控制电路 280 8.1 自动增益控制电路 281 8.1.1 工作原理 281 8.1.2 自动增益控制电路 282 8.1.3 AGC的性能指标 283 8.2 自动频率控制电路 284 8.2.1 工作原理 284 8.2.2 主要性能指标 285 8.2.3 应用 285 8.3 锁相环的基本原理 286 8.3.1 工作原理 286 8.3.2 基本环路方程 287 8.3.3 锁相环工作过程的定性分析 292 8.3.4 锁相环路的线性分析 294 8.3.5 锁相环路的应用 300 8.4 频率合成器 302 8.4.1 频率合成器及其技术指标 302 8.4.2 频率合成器的类型 304 8.4.3 锁相频率合成器 309 8.4.4 集成锁相环频率合成器 312 思考题与习题 317 第9章 高频电路的集成化与系统设计 320 9.1 高频电路的集成化 320 9.1.1 高频集成电路的类型 320 9.1.2 高频电路的集成化技术 321 9.1.3 高频集成电路的发展趋势 323 9.2 高频集成电路 325 9.2.1 高频单元集成电路 325 9.2.2 高频组合集成电路 326 9.2.3 高频系统集成电路 328 9.3 高频电路EDA 331 9.3.1 EDA技术及其发展 331 9.3.2 EDA技术的特征与EDA方法 332 9.3.3 EDA工具 333 9.3.4 高频电路EDA 335 9.4 高频电路系统设计 338 9.4.1 系统设计要求与性能指标 338 9.4.2 高频系统设计步骤 339 各章部分习题参考答案 346
内容简介   这是本严谨的教程,它可帮助您缩短设计周期并改善器件效率。书中设计工程师Andrei Grebennikov告诉您如何与计算机辅助设计技术结合在一起进行分析计算,在处理与生产的过程中提高效率;使用了近300个详细的图表、曲线、电路图图示说明,提供给您所需要的、改善设计的所有信息。   本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧,以及有效地将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。它为电子工程师提供了几乎所有可能的方法,以提高设计效率和缩短设计周期。书中不仅注重基于最新技术的新方法,而且涉及许多传统的设计方法,这些技术对现代无线通信系统的微电子核心是至关重要的。主要内容包括非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器、定向耦合器、高效率的功率放大器设计、宽带功率放大器及通信系统中的功率放大器设计。 本书适合从事射频与微波功率放大器设计的工程师、研究人员及高校相关专业的师生阅读。 目录 第1章 双口网络参数 1.1传统的网络参数 1.2散射参数 1.3双口网络参数间转换 1.4双口网络的互相连接 1.5实际的双口电路 1.5.1单元件网络 1.5.2Ⅱ形和T形网络 1.6具有公共端口的三口网络 1.7传输线 参考文献 第2章 非线性电路设计方法 2.1频域分析 2.1.1三角恒等式法 2.1.2分段线性近似法 2.1.3贝塞尔函数法 2.2时域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4准线性法 2.5谐波平衡法 参考文献 第3章 非线性有源器件模型 3.1功率MOSFET管 3.1.1小信号等效电路 3.1.2等效电路元件的确定 3.1.3非线性I—V模型 3.1.4非线性C.V模型 3.1.5电荷守恒 3.1.6栅一源电阻 3.1.7温度依赖性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1小信号等效电路 3.2.2等效电路元件的确定 3.2.3 CIJrtice平方非线性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非线性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非线性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非线性模型 3.2.7 rrriQuint非线性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非线性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非线性模型 3.2.10模型选择 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1小信号等效电路 3.3.2等效电路中元件的确定 3.3.3本征z形电路与T形电路拓扑之间的等效互换 3.3.4非线性双极器件模型 参考文献 第4章 阻抗匹配 4.1主要原理 4.2 Smith圆图 4.3集中参数的匹配 4.3.1双极UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4使用传输线匹配 4.4.1窄带功率放大器设计 4.4.2宽带高功率放大器设计 4.5传输线类型 4.5.1同轴线 4.5.2带状线 4.5.3微带线 4.5.4槽线 4.5.5共面波导 参考文献 第5章 功率合成器、阻抗变换器和定向耦合器 5.1基本特性 5.2三口网络 5.3四口网络 5.4同轴电缆变换器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6微波混合桥 5.7耦合线定向耦合器 参考文献 第6章 功率放大器设计基础 6.1主要特性 6.2增益和稳定性 6.3稳定电路技术 6.3.1 BJT潜在不稳定的频域 6.3.2 MOSFET潜在不稳定的频域 6.3.3一些稳定电路的例子 6.4线性度 6.5基本的工作类别:A、AB、B和C类 6.6直流偏置 6.7推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的实际外形 参考文献 第7章 高效率功率放大器设计 7.1 B类过激励 7.2 F类电路设计 7.3逆F类 7.4具有并联电容的E类 7.5具有并联电路的E类 7.6具有传输线的E类 7.7宽带E类电路设计 7.8实际的高效率RF和微波功率放大器 参考文献 第8章 宽带功率放大器 8.1 Bode—Fan0准则 8.2具有集中元件的匹配网络 8.3使用混合集中和分布元件的匹配网络 8.4具有传输线的匹配网络 8.5有耗匹配网络 8.6实际设计一瞥 参考文献 第9章 通信系统中的功率放大器设计 9.1 Kahn包络分离和恢复技术 9.2包络跟踪 9.3异相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5开关模式和双途径功率放大器 9.6前馈线性化技术 9.7预失真线性化技术 9.8手持机应用的单片cMOS和HBT功率放大器 参考文献
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