GD32F103与STM32F103的区别 2021.6.2

           GD32F103和STM32F103区别介绍

关键词Key words：
GD32F103、STM32F103
摘要Abstract：
本文主要是GD32F103和STM32F103区别进行介绍。

                              目录

1. 简介
2. GD32和STM32的区别
   2.1. 内核
   2.2. 主频
   2.3. 供电
   2.4. FLASH差异
   2.5. 功耗
   2.6. 串口
   2.7. ADC差异
   2.8. FSMC
   2.9. 103系列RAM&FLASH大小差别
   2.10. 抗干扰能力
3. GD32替换STM32注意事项
   3.1. 硬件注意事项
   3.2. 软件注意事项
4. 自测记录

1.简介

• GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的，因此GD32和STM32有很多地方都是一样的，但是GD32和STM32毕竟是不同的产品，不可能将所有东西都沿用STM32的，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方就不说了，下面我着重介绍一下GD32和STM32不同的地方。

2.GD32和STM32的区别
2.1.内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。

2.2.主频
使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M；
使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M；
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。

2.3.供电
外部供电：GD32外部供电范围是2.6_{3.6V，STM32外部供电范围是2}3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

2.4.FLASH差异
GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。（？）
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：当0<SYSCLK<24MHz，0等待周期；当24MHz<SYSCLK≤48MHz，1等待周期；当48MHz<SYSCLK≤72MHz，等2待周期，。
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

2.5.功耗
相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

2.6.串口
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。

GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式，STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。GD和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。

2.7.ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：