ROM 和RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是Read Only Memory 的缩写，RAM 是Random
Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM 通常都
是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。
RAM 有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM 速度非常快，是目前读
写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的
一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM 保留数据的
时间很短，速度也比SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM 都要快，但从价格上来说DRAM
相比SRAM 要便宜很多，计算机内存就是DRAM 的。
DRAM 分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、
RDRAM、SGRAM 以及WRAM 等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM 和SDRAM 是基
本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel 的另外一种内
存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这
可以大幅度提高3D 加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内
存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM
后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM 的存储单元存储的是0 还是1 取决于电容是否有电
荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1 的电容会放电，代表0 的电容会吸
收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／
2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，
藉此来保持数据的连续性。
ROM 也有很多种，PROM 是可编程的ROM，PROM 和EPROM（可擦除可编程ROM）两
者区别是，PROM 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，
现在已经不可能使用了，而EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存
储器。另外一种EEPROM 是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM 中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存
在SRAM 中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM 中），因为当时有很重
要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM 和RAM 的长处，不仅具备电子可擦除可编程
（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势），U
盘和MP3 里用的就是这种存储器。在过去的20 年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）
作为它们的存储设备，然而近年来Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地
位，用作存储Bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U 盘）。
目前Flash 主要有两种NOR Flash 和NADN Flash。
NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR
FLASH 里面的代码，这样可以减少SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，
通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的Flash 比较廉价。用户不能直接运行NAND
Flash 上的代码，因此好多使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外，还作上了
一块小的NOR Flash 来运行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容
量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On
Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，
Fujitsu 和Toshiba，而生产NAND Flash 的主要厂家有Samsung 和Toshiba。
NAND Flash 和NOR Flash 的比较
NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于1988 年首先开发出NOR
flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东
芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可
以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和
NAND 闪存。
相"flash 存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND
闪存技术相对于NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，
这时NOR 闪存更适合一些。而NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR 是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR 一般只用来存储少量的代码；NOR 主要
应用在代码存储介质中。NOR 的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它
是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR 型）flash 闪存内
运行，不必再把代码读到系统RAM 中。在1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是
很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引
脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪
存市场的大部分。
NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也
很快。应用NAND 的困难在于flash 的管理和需要特殊的系统接口。
1、性能比较:
flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash
器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前
必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR 则要求在进行擦除前先
要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为
5s，与此相反，擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NADN 之间的性能差距，统计表明，对
于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中
进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
NOR 的读速度比NAND 稍快一些。
NAND 的写入速度比NOR 快很多。
NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。
大多数写入操作需要先进行擦除操作。
NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
(注：NOR FLASH SECTOR 擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的
SECTOR 擦除时间为60ms，而有的需要最大6s。)
2、接口差别:
NOR flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
NAND 器件使用复杂的I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相
同。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND 读和写操作采用512 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，
基于NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
3、容量和成本:
NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND 结
构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪存市场的大部分，而NAND flash 只是用在8～
128MB 的产品当中，这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于数据存储，
NAND 在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和MMC 存储卡市场上所占份额最大。
4、可靠性和耐用性:
采用flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF 的系统来说，
Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR
和NAND 的可靠性。
A) 寿命(耐用性)
在NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR 的擦写次数是十万次。
NAND 存储器除了具有10 比1 的块擦除周期优势，典型的NAND 块尺寸要比NOR 器件小
8 倍，每个NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
B) 位交换
所有flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND 发生的次数要比
NOR 多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致
系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反
转的问题更多见于NAND 闪存，NAND 的供应商建议使用NAND 闪存的时候，同时使用
EDC/ECC 算法。
这个问题对于用NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备
来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC 系统以确保可靠性。
C) 坏块处理
NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太
低，代价太高，根本不划算。
NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制
成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
5、易于使用:
可以非常直接地使用基于NOR 的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直
接运行代码。
由于需要I/O 接口，NAND 要复杂得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND 器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND 器件
写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND 器件上自
始至终都必须进行虚拟映射。
6、软件支持:
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存
管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND 器件上进行同样操作时，通
常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND 和NOR 器件在进行写入和擦除
操作时都需要MTD。
使用NOR 器件时所需要的MTD 要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR 器件的更高
级软件，这其中包括M-System 的TrueFFS 驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、
QNX Software System、Symbian 和Intel 等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip 产品进行仿真和NAND 闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗
平衡。
NOR FLASH 的主要供应商是INTEL ,MICRO 等厂商，曾经是FLASH 的主流产品，但现在
被NAND FLASH 挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH 中运行程序，但是工艺复
杂，价格比较贵。
NAND FLASH 的主要供应商是SAMSUNG 和东芝，在U 盘、各种存储卡、MP3 播放器里
面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH 拥有更大存储容量，而且便
宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常
容易出现坏区，所以需要有校验的算法。
在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH 来启动。
除了SAMSUNG 处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH
启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS 等软件从NAND
FLASH 载入SDRAM 中运行才行，挺麻烦的。
DRAM 利用MOS 管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅
极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一
次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使
用一个MOS 管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM 比它多了一
个与CPU 时钟同步。
SRAM 利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料
就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。
Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电
后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom
写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM 可以以byte(字节)为单位进行，flash
rom 只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte 为单位。flash rom 主要用于bios，
U 盘，Mp3 等需要大容量且断电不丢数据的设备。
PSRAM，假静态随机存储器。
背景：
PSRAM 具有一个单晶体管的DRAM 储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM 储存格或是
四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM 的稳定接口，
内部的DRAM 架构给予PSRAM 一些比low-power 6T SRAM 优异的长处，例如体积更为轻
巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM 市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM 组件。
在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM 供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron
与Toshiba 等。
基本原理：
PSRAM 就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM 的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM 相
似，不需要SDRAM 那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM 的接口跟SRAM 的接口是一样
的。
PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit 等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM
的容量要高很多的， 速度支持突发模式， 并不是很慢， Hynix ， Coremagic,
WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM 稍贵一点点，比
SRAM 便宜很多。
PSRAM 主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS 接收器等消费电子
产品与SRAM(采用6T 的技术)相比,PSRAM 采用的是1T+1C 的技术,所以在体积上更小,同
时,PSRAM 的I/O 接口与SRAM 相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB 和
128MB。比较于SDRAM,PSRAM 的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便
携式产品是一个理想的选择
Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM 通常都
是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。
RAM 有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM 速度非常快，是目前读
写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的
一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM 保留数据的
时间很短，速度也比SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM 都要快，但从价格上来说DRAM
相比SRAM 要便宜很多，计算机内存就是DRAM 的。
DRAM 分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、
RDRAM、SGRAM 以及WRAM 等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM 和SDRAM 是基
本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel 的另外一种内
存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这
可以大幅度提高3D 加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内
存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM
后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM 的存储单元存储的是0 还是1 取决于电容是否有电
荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1 的电容会放电，代表0 的电容会吸
收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／
2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，
藉此来保持数据的连续性。
ROM 也有很多种，PROM 是可编程的ROM，PROM 和EPROM（可擦除可编程ROM）两
者区别是，PROM 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，
现在已经不可能使用了，而EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存
储器。另外一种EEPROM 是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM 中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存
在SRAM 中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM 中），因为当时有很重
要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM 和RAM 的长处，不仅具备电子可擦除可编程
（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势），U
盘和MP3 里用的就是这种存储器。在过去的20 年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）
作为它们的存储设备，然而近年来Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地
位，用作存储Bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U 盘）。
目前Flash 主要有两种NOR Flash 和NADN Flash。
NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR
FLASH 里面的代码，这样可以减少SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，
通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的Flash 比较廉价。用户不能直接运行NAND
Flash 上的代码，因此好多使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外，还作上了
一块小的NOR Flash 来运行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容
量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On
Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，
Fujitsu 和Toshiba，而生产NAND Flash 的主要厂家有Samsung 和Toshiba。
NAND Flash 和NOR Flash 的比较
NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于1988 年首先开发出NOR
flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东
芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可
以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和
NAND 闪存。
相"flash 存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND
闪存技术相对于NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，
这时NOR 闪存更适合一些。而NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR 是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR 一般只用来存储少量的代码；NOR 主要
应用在代码存储介质中。NOR 的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它
是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR 型）flash 闪存内
运行，不必再把代码读到系统RAM 中。在1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是
很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引
脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪
存市场的大部分。
NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也
很快。应用NAND 的困难在于flash 的管理和需要特殊的系统接口。
1、性能比较:
flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash
器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前
必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR 则要求在进行擦除前先
要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为
5s，与此相反，擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NADN 之间的性能差距，统计表明，对
于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中
进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
NOR 的读速度比NAND 稍快一些。
NAND 的写入速度比NOR 快很多。
NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。
大多数写入操作需要先进行擦除操作。
NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
(注：NOR FLASH SECTOR 擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的
SECTOR 擦除时间为60ms，而有的需要最大6s。)
2、接口差别:
NOR flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
NAND 器件使用复杂的I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相
同。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND 读和写操作采用512 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，
基于NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
3、容量和成本:
NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND 结
构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪存市场的大部分，而NAND flash 只是用在8～
128MB 的产品当中，这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于数据存储，
NAND 在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和MMC 存储卡市场上所占份额最大。
4、可靠性和耐用性:
采用flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF 的系统来说，
Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR
和NAND 的可靠性。
A) 寿命(耐用性)
在NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR 的擦写次数是十万次。
NAND 存储器除了具有10 比1 的块擦除周期优势，典型的NAND 块尺寸要比NOR 器件小
8 倍，每个NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
B) 位交换
所有flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND 发生的次数要比
NOR 多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致
系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反
转的问题更多见于NAND 闪存，NAND 的供应商建议使用NAND 闪存的时候，同时使用
EDC/ECC 算法。
这个问题对于用NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备
来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC 系统以确保可靠性。
C) 坏块处理
NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太
低，代价太高，根本不划算。
NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制
成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
5、易于使用:
可以非常直接地使用基于NOR 的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直
接运行代码。
由于需要I/O 接口，NAND 要复杂得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND 器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND 器件
写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND 器件上自
始至终都必须进行虚拟映射。
6、软件支持:
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存
管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND 器件上进行同样操作时，通
常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND 和NOR 器件在进行写入和擦除
操作时都需要MTD。
使用NOR 器件时所需要的MTD 要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR 器件的更高
级软件，这其中包括M-System 的TrueFFS 驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、
QNX Software System、Symbian 和Intel 等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip 产品进行仿真和NAND 闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗
平衡。
NOR FLASH 的主要供应商是INTEL ,MICRO 等厂商，曾经是FLASH 的主流产品，但现在
被NAND FLASH 挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH 中运行程序，但是工艺复
杂，价格比较贵。
NAND FLASH 的主要供应商是SAMSUNG 和东芝，在U 盘、各种存储卡、MP3 播放器里
面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH 拥有更大存储容量，而且便
宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常
容易出现坏区，所以需要有校验的算法。
在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH 来启动。
除了SAMSUNG 处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH
启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS 等软件从NAND
FLASH 载入SDRAM 中运行才行，挺麻烦的。
DRAM 利用MOS 管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅
极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一
次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使
用一个MOS 管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM 比它多了一
个与CPU 时钟同步。
SRAM 利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料
就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。
Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电
后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom
写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM 可以以byte(字节)为单位进行，flash
rom 只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte 为单位。flash rom 主要用于bios，
U 盘，Mp3 等需要大容量且断电不丢数据的设备。
PSRAM，假静态随机存储器。
背景：
PSRAM 具有一个单晶体管的DRAM 储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM 储存格或是
四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM 的稳定接口，
内部的DRAM 架构给予PSRAM 一些比low-power 6T SRAM 优异的长处，例如体积更为轻
巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM 市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM 组件。
在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM 供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron
与Toshiba 等。
基本原理：
PSRAM 就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM 的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM 相
似，不需要SDRAM 那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM 的接口跟SRAM 的接口是一样
的。
PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit 等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM
的容量要高很多的， 速度支持突发模式， 并不是很慢， Hynix ， Coremagic,
WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM 稍贵一点点，比
SRAM 便宜很多。
PSRAM 主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS 接收器等消费电子
产品与SRAM(采用6T 的技术)相比,PSRAM 采用的是1T+1C 的技术,所以在体积上更小,同
时,PSRAM 的I/O 接口与SRAM 相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB 和
128MB。比较于SDRAM,PSRAM 的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便
携式产品是一个理想的选择
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