1.ROM (Read-Only Memory) 只读存储器分类及发展。
a)掩膜ROM
b)PROM(Programmable ROM):可编程只读存储器,也叫One-Time Programmable只读存储器,即是仅一次编程。
c)EPROM(Electrically Programmable ROM):紫外线擦除可编程只读存储器
d)EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM):带电可擦除可编程只读存储器,可编程多次,
e)Flash ROM:快擦写只读存储器
主要分为:NOR Flash 和 NAND Flash
NOR Flash :写速度慢,读取速度快,价格高,类似于SRAM,可直接在上面运行程序
NAND Flash:写速度快,读取速度稍慢,价格低,不可直接运行程序
2.RAM(Random Access ROM )随机存储器
制造工艺上分为:双极型和金属氧化物
2.1)双极型RAM:
优点:存取时间短(读写速度快) 几十纳秒,
缺点:价格高,功耗大,集成度低
用途:主要用于要求读写速度快的微型计算机中。
2.2)金属氧化物RAM(MOS RAM)
MOS RAM又分为SRAM(Static RAM )即是动态RAM和DRAM(Dynamic RAM)静态RAM
a)SRAM:基本单元是MOS双稳态触发器
b)DRAM:基本单元是电容
缺点:电容上的信息会泄漏,所以2-4ms需要刷新一次存储信息
子类:SDRAM, DDRAM(电脑内存卡), EDORAM等
ROM 和 RAM 的英语发音
ROM:/rɔm/
RAM:/ræm/