目前NB模块的方案平台主要有海思和MTK。海思平台的串口电平电压为3V,MTK平台的串口电平电压为1.8V,而MCU的供电电压一般为3.3V,或者直接用锂电池供电为3.6V,为了降低串口的功耗,MCU的串口和NB模块的串口连接需要做电平匹配。
第一种匹配方式,此方式只可用于海思平台:
参考BC35-G的硬件参考手册_V1.0版本,直接在MCU和NB模块的串口之间串联电阻,电路如下:
适用于MCU的供电电压在2.7V~3.3V之间。由于模块的TXD和RXD上有钳位二极管,如果是锗二极管,导通电压为0.3V,如果MCU的供电电压大于3.3V,那么MCU的TXD与NB的RXD之间会产生电流,产生的电流大小为(VDDmcu-3.3)/1K,如果MCU的供电电压为3.6V,那么产生的电流大小为300uA。早期的BC95钳位二极管为硅二极管,导通电压为0.6V,所以MCU的供电电压为3.6V时也不会产生额外的电流,但是后期的BC95模块,BC35,BC28模块的钳位二极管均为锗二极管。I/O上的钳位二极管如下图所示。
第二种方案,适用于海思平台和MTK平台:
使用三极管做电平匹配,波特率最高位460Kbps,需要特别注意的是两个三级管基极的电压都是VDD_EXT,如果MCU的供电电压为3.6V,MCU TXD线路上的三极管的基极的电压为VDDmcu,也会产生额外电流,因为如果三极管基极的电压比集电极的电压高,那么电流会从基极流向集电极。
第三种方式,使用电平转换芯片。
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